超声波提取对麦冬多糖结构和抗氧化活性的影响

研究了超声波提取法在提取麦冬多糖过程中,对麦冬多糖的结构和抗氧化活性的影响.利用气相色谱法、环境扫描电子显微镜、原子力显微镜对其进行初步结构分析,然后在体外化学模拟条件下,测定它的总还原能力、对羟基自由基的清除作用及对Fe2诱发的脂质过氧化反应的抑制作用,并与传统热水提取法提取得到的麦冬多糖进行对比.超声波提取得到的麦冬多糖(SBP)和传统热水提取法提取得到的麦冬多糖(WBP)具有相同的单糖组成,都包括阿拉伯糖、甘露糖、葡萄糖及半乳糖,环境扫描电子显微镜的结果显示经超声提取的多糖的片状结构有不同程度的变小;原子力显微镜的扫描分析显示超声波使其糖链的分子片断变小,且SBP的抗氧化活性都要高于WBP.经超声波处理不会影响多糖的单糖组成,但会改变多糖的微观结构同时提高多糖的抗氧化活性.     

绿茶多糖的扫描电镜制样新方法及原子力显微镜观察

利用扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对绿茶多糖及酶解绿茶多糖试样进行显微成像,得到颗粒状或由单个颗粒聚集成的形貌结构。结果表明：改进制样方法的扫描电镜观察结果与原子力显微镜成像基本一致,说明了改进后的扫描电镜制样方法是一种简单有效的方法。实验结果还在一定程度上解释了绿茶多糖经酶解后其微观形态的变化情况。     

在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.结果表明:高温退火后SiC膜的晶化程度明显提高,而且在薄膜中观察到了碳纳米线的形成.     

SnO2纳米薄膜的自组装制备及表征

利用自组装单层膜法,在单晶硅基底上生长有机硅烷单分子膜层,并在硅烷的功能性基团上,诱导生成二氧化锡纳米薄膜,通过XPS、AFM、SEM及XRD等手段对膜材料的表面形貌和结构进行了分析。结果表明:自组装单层法制备的SnO2薄膜为晶态膜,膜层致密、均一,厚度约为20 nm,结构为金红石结构。     

在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.结果表明:高温退火后SiC膜的晶化程度明显提高,而且在薄膜中观察到了碳纳米线的形成.     

聚酰亚胺静电损伤和取向作用失效的系统观测

利用偏光显微镜、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对聚酰亚胺(PI)表面正常区域和静电损伤区域进行系统观测。偏光显微镜的观测基于超扭曲向列相液晶显示(STN-LCD)的关态透射原理,并确定损伤区域的线度在50~100μm。用SEM区分静电损伤引起的“白点”与尘粒引起的“白点”,同时观测到电极被局域破坏,其线度沿电极边缘约20μm。通过AFM的直接观测发现,与正常区域比较损伤区域失去了沟槽结构,但仍然保持深度在10 nm以内的二维无序凹凸结构,其原因为:损伤后PI对液晶分子取向作用失效的机制是沟槽结构的消失。     

Si基Sr1.8Ca0.2NaNb5O15薄膜的合成及光学特性研究

利用溶胶-凝胶法,在Si(001)单晶衬底上逐层生长四方钨青铜结构的Sr1.8Ca0.2NaNb5O15(SCNN)薄膜。利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等技术研究了薄膜的微结构,结果表明,SCNN薄膜在厚度较小的状态下可呈现出明显的(001)择优取向,而随着厚度的增加择优取向受到抑制,颗粒尺寸增大,薄膜的多晶态的趋势增强。然后通过测量薄膜在400~780nm光谱范围内的反射率曲线,采用Sellmeier色散公式分析折射率非均匀性的影响,通过改进的单纯形法计算拟合出SCNN薄膜的折射率和厚度,其中厚度的结果利用SEM加以验证,而折射率的变化则与薄膜结晶态的变化保持一致。     

离子束沉积PdC_x纳米结构及其输运性能

采用离子束沉积方法制备了PdCx纳米结构,并对材料的电子输运性能进行了研究。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDX)分析了材料的微观结构和组成,利用原子力显微镜(AFM)分析了纳米结构的尺寸大小,利用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析了材料的原子结构。采用电阻桥测试了PdCx纳米结构的电阻,在低温保持器(OXFORD2)中对其电子传输性能进行了测试。X射线能谱仪(EDX)检测结果表明,该纳米结构金属含量低,表现出非金属性。高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)检测结果表明,其为PdCx多晶纳米结构,与所观测到的电子输运性能结果一致。     

多孔β-SiC薄膜的蓝光发射

通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了β-SiC薄膜,用HF酸(40%)和C2H5OH(99%)的混合溶液对β-SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理,形成了多孔β-SiC(PSC)薄膜.利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光(PL)特性,用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了样品腐蚀前后的表面形貌.结果表明:多孔β-SiC薄膜具有较强的蓝光发射特性;通过改变腐蚀时间,可以改变蓝光发射的强度,也可以观察到蓝光-红光同时发射的现象;降低HF酸的浓度,蓝光发射峰明显变弱,并对多孔β-SiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论.     

多孔β-SiC薄膜的蓝光发射

通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了βSiC薄膜,用HF酸(40 % )和C2 H5OH(99% )的混合溶液对βSiC薄膜进行了电化学腐蚀处理,形成了多孔βSiC(PSC)薄膜.利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光(PL)特性,用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM )观察了样品腐蚀前后的表面形貌.结果表明:多孔βSiC薄膜具有较强的蓝光发射特性;通过改变腐蚀时间,可以改变蓝光发射的强度,也可以观察到蓝光红光同时发射的现象;降低HF酸的浓度,蓝光发射峰明显变弱,并对多孔βSiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论.