硅中无位错扩散技术

在硅单晶中进行杂质扩散时,若衬底晶体为无位错晶体,则杂质扩散是在晶体中引入位错等缺陷的重要原因,引入的缺陷与掺杂浓度有关,尤其是在硅中接近杂质     

硅中注入硼的异常扩散

<正> 浅结制备是超大规模集成电路发展的关键技术之一。硅中硼、磷等杂质注入,在退火时发生异常扩散,使浅结的控制困难。异常扩散是一个瞬态快速扩散过程。对于硼,在退火开始时,杂质分布尾部推移极快,随之减慢,恢复正常扩散。这一过程用衰变时间表征。     

硅中离子注入硼的异常扩散

本工作用不同的Si~+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.     

多角结的成因与硅的位错密度

本文对大量的合金型P-N结结面的“光滑、平整”情况,作了许多观测结果的报导,并分析了产生多结角的原因及其对P-N结击穿特性的影响,解剖、观测结果证明,欲获得平整、光滑的合金型P-N结,使用无位错硅片并不是最有利的。适当的位错密度(1×10~4～5×10~3/cm~2)对于增加合金结的结深和改善结的质量都是有利的(约2000字,4图)。     

硅的位错核心结构无悬挂键

本文应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理，通过分析透射电镜晶格象，制作了９０°、３０°分位错及Ｃｏｔｅｒｌ位错等一系列的模型，说明硅中位错核心无悬挂键     

硼—硅玻璃扩散硅中的工艺诱生缺陷

我们采用深能级瞬态波谱(DLTS法)检测了以硼硅玻璃为源的高温扩散工艺所产生的缺陷。已测到的缺陷能级为:E_c—0.12,E_c—0.26,E_c—0.36,E_c—0.55和E_v+0.23eV。业已表明:在后续工艺的磷预淀积、热氧化和再分布中,这些缺陷能级被退火。随着缺陷浓度的降低,载流子的寿命从10微秒提高到36微秒。     

硅中浅结高浓度砷扩散

一、引言近几年来,硅双极晶体管有很大发展,在 L、S 波段达到了实用阶段,并正向 C 和X 波段进展。这些进展的取得,主要是工艺上的改进。如光刻能刻出1微米左右的条宽,用离子注入代替热扩散,用多层金属化来作浅结的电极欧姆接触。还有,就是发射区的形成用砷扩散代替了磷扩散。本文介绍硅中浅结高浓度的砷发射极扩散问题。     

衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。     

紫外准分子激光诱导扩散形成硅太阳电池p-n结初步试验成功

在新能源研究中,研制高效率廉价的太阳能电池是目前国际上很受重视的研究课题,其中包括离子注入、激光退火新技术。最近中国科学院上海光机所、洛阳单晶硅厂电池分厂和郑州工学院太阳能研究室共同协作采用紫外激光直接诱导扩散形成硅太阳能电p-n结,于1983年11月获得初步试验成功。该方法的优点是省去离子注入,直接用激光诱     

硅中扩散p－n结形成时的“自吸除”效应

硅中扩散ｐ－ｎ结形成时的“自吸除”效应＝［刊．俄］－１９９３．２２（１）．－２２～２６在半导体基片的非工作区扩散掺杂至接近掺杂元素的极限溶解度。是最为有效的吸除方法之一。以往。人们对这一方法进行了广泛的研究。包括对吸除机理进行了深入仔细的探讨。研究发...     

两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨

本文介绍两步硼扩散工艺,它对改善台面功率晶体管的性能极有帮助.     

无平面结敏感区硅光电探测器

研制了在平面ＰＮ结内无敏感区的硅光电探测器，测量了这种新结构器件的光电转换特性，说明在一定的均匀光照下，器件的光电池也有一定的值。利用本文的分析模型，可以得到该器件的有效光敏面积，从而可以确定衬底材料中光生少子的扩散长度。     

双掺硅P-N-P重结的形成

本文研究双掺杂硅单晶片在非氧化气氛下高温热处理形成P-N-P双重结的现象.利用非氧化热处理杂质再分布理论解释了P-N-P重结的形成,结深的理论计算与实验值符合良好.根据再分布理论给出浅结结深和空间电荷区电场分布表示式.最后就非氧化热处理双掺结和热氧化双掺结作了比较.     

硅中硼扩散运动对氧化层错的影响

本文讨论了硼在硅中的扩散运动对氧化层错生长和收缩动力学的影响.一方面,硼的扩散运动降低氧化层错的激活能,使层错的生长速度增加;另一方面,却又抑制层错的产生和促使层错消失,使氧化层错的密度减小.在推填子扩散模型中,硼原子的扩散增强了过剩硅间隙原子的扩散,从而促进了层错的生长;而硼扩散引入的失配位错,在生长过程中抑制了某些层错的产生;在退火过程中又促使某些层错断裂和消失,从而降低了层错的密度.     

磷扩散硅片中残余应变和失配位错

本文讨论了Si单晶中磷扩散造成的扩散层晶格的残余应变,此应变与磷浓度的关系,以及它的测量方法和测量结果。还讨论了在此应变梯度驱动下在扩散层中产生失配位错网络的条件和影响失配位错的因素,及其在Si的集成技术上的意义。     

在硅中络合物形成对砷扩散的影响

当砷扩散入硅中时,仅有一部分砷保留电活性。因为砷作为发射极掺杂剂是重要的,所以了解不活泼的砷的性质和它如何影响 As~ 离子的溶解度和扩散是很必要的。提出了一个模型,在该模型中,当与〔VsiAs_2〕络合物形成准平衡时,As~ 的扩散是通过一个简单的空位机构,游动的单质 As~ 的通量根据〔VsiAs_2〕络合物形成的程度而作修正。讨论了缺陷的结构和它的形成能(≈1.8电子伏)。采用这一模型推导出一个有效扩散系数:D_As=2DiC_A/(1 8 K′_2C~3_A)式中 C_A 是 As~ 浓度,K′_2是一个依赖于 As~ 表面浓度和扩散温度的集合参数。给出了该方程的准确性的实验检验。这一定量分析的重要结果表明了 D_(AS)随砷浓度的增加而达到一个极大值,然后又单调地下降。出现 Dmax 的砷的浓度是依赖于总的砷表面掺杂和扩散温度。总的砷与电活性 As~ 之比值在1300℃下下降到1。在1250℃下表明了As~ 溶解度达到一极大值,在 P—Si 中是1.5×10~(21)原子/厘米~3,在n—Si 中是1.2×10~(21)原子/厘米~3。     

掺硼a-SiC:H/a-Si:H异质结的硼扩散(英文)

The diffusion of impurities in a p-i-n solar cell is one of causes for the degradation of energy conversion efficiency. However, few reports on the study of the illumination dependence of the boron diffusion in B-doped a-SiC:H/a-Si:H heterojunction have been seen so far. In this work, the B depth profiles in B-doped a-SiC:H/a-Si:H hetero junctions after illumination and annealing have been measured by nuclear reaction analysis; from the change of B profiles, we estimate the diffusion coefficient of B in a-Si:H.Diffusion of electrically activated B atoms is investigated and a simple discussion for the results obtained is presented as well.     

开管铝镓扩散的掺杂机制

针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论。     

无坩埚区熔法生长的无位错硅单晶中微缺陷形成的特征

无坩埚区熔法生长的无位错硅单晶中微缺陷形成的特征Э．С．法勒克维奇И．Ф．切沃勒（乌克兰国立扎波罗热大学）无位错硅单晶晶体结构的完美程度，即它们体内的宏观和微观缺陷的存在，乃是目前评定硅单晶质量的主要参数之一。结构缺陷的特征、浓度及分布限定了硅单晶的...