骨架制备工艺对熔渗法AgW(65)触头材料金相组织和性能的影响

采用熔渗法制备AgW(65)触头材料,对不同骨架制备工艺获得的AgW(65)触头材料的金相组织和性能进行了比较,分析了骨架制备工艺对材料金相组织和性能的影响。结果表明,采用纯W骨架坯制备的触头材料具有良好的综合性能,其具有金相组织均匀、密度高、电阻率低、硬度高的特点。     

熔渗法AgW（75）触头材料研究

电触头作为电器设备的关键元件之一,既是载流体,又是机械零部件,要求具有良好的导电导热性、耐电孤烧损、抗熔焊、低而稳定的接触电阻、有一定的强度和易于机械加工等。本研究采用粉末冶金熔渗技术制备AgW（75）电触头材料,对其进行复压、复烧,并测量了其力学物理性能和显微组织。结果表明,粉末冶金熔渗技术与复压复烧相结合制备的AgW（75）触头材料的相对密度高,硬度达到国家标准要求,但材料收缩性大。     

化学置换沉积银制备AgWC(40)触头材料的方法

以去离子水为分散介质,聚乙烯醇(PVA)为分散剂,在超声波条件下制备WC分散系。在WC分散系中加入硝酸银溶液、铜粉进行化学置换反应,制得均匀分散的AgWC55混合粉体;与混粉法相比,此方法制得的AgWC55粉体为原料制备的AgWC(40)触头材料金相分布均匀。此方法避免了混粉法WC聚集的问题。     

真空接触器用AgWC触头产品缺陷分析

介绍了真空接触器用AgWC(60)触头材料在金相组织、电导率、氧含量等方面常见的几种产品缺陷,并对缺陷产生的原因进行了分析和探讨,为实际生产中改善AgWC触头产品的性能和提高质量提供参考。     

小型断路器用AgWC触头材料

对小型断路器用AgWC(55)触头材料的制备工艺进行了研究。通过对比试验,制备出了高性能的AgWC(55)触头。材料装机型式试验表明：采用AgWC(55)作为对称配对触头,能满足小型断路器的各项性能要求。     

混料方式对AgWC(12)C(3)电触头材料性能及组织的影响

采用球磨机、擂溃机、V型混料机等三种不同混料方式制备AgWC(12)C(3)混合料,并通过压制烧结制得AgWC(12)C(3)电触头材料,检测材料的电阻率、力学性能及金相组织。研究表明:采用球磨机混料和擂溃机混料方式所制备的AgWC(12)C(3)材料具有良好的性能及金相组织,而采用V型混料机混料方式制备的试样金相组织中出现了Ag及WC偏聚。     

CuCr(30)触头材料的制造工艺及性能

本文介绍了Cu Cr(30)触头材料的多种制造工艺,重点介绍了熔铸法和混粉熔渗法,详细分析了它们的优缺点,并对不同工艺制备的Cu Cr(30)触头材料的性能进行比较分析。     

H2气氛熔渗CuW触头材料性能的研究

重点研究了H2气氛熔渗方法制造的高压开关Cuw触头材料的物理机械性能,分析了影响材料性能的因素。测试了材料的密度、硬度、电导率、抗弯强度、抗拉强度、延伸率和冲击韧性,结果显示：H2气氛熔渗Cuw触头材料具有良好的物理机械性能,符合GB／T8320、ASTM B702标准和用户对Cuw触头的性能要求。特别是Cuw70合金具有较好的综合性能,能够满足高压开关GIS的技术要求。金相组织分析和对断口形貌的扫描电镜分析发现,H2气氛熔渗的Cuw触头材料金相组织均匀致密、孔隙少、无夹杂物,W颗粒大小分布均匀并被Cu均匀包覆。相对密度高、金相组织均匀、孔隙少、无夹杂物是H2气氛熔渗Cuw触头材料性能良好的主要原因。     

钨粉粒度及组成对铜钨触头抗电弧烧蚀性能的影响

铜钨合金是高压开关电器中的重要触头材料,铜钨触头的抗电弧烧蚀性能是衡量触头优劣的重要指标。本文采用熔渗法制备了三组铜钨合金,研究了钨粉粒度及组成对合金金相组织、力学物理性能及抗电弧烧蚀性能的影响,分析了影响铜钨触头抗电弧烧损性能的原因。     

制粒工艺对AgWC(12)C(3)电触头材料性能的影响

采用化学包覆法制备AgWC(12)C(3)混合粉,再分别采用烧粉制粒、掺胶制粒和干法制粒将混合粉制粒,使粉体获得一定的流动性,通过初压—烧结—复压—退火—再复压制备出AgWC(12)C(3)电触头材料。测试材料的电阻率、抗弯强度等关键特性,研究了制粒工艺对AgWC(12)C(3)电触头材料力学物理性能以及使用寿命的影响。研究结果表明：干法制粒能明显降低材料的电阻率,提高材料的抗弯强度和使用寿命;与烧粉制粒相比,电阻率降低9.7%,抗弯强度提高了23%,电寿命提高了78%以上。     

烧结法与熔渗法铜铬触头微观组织差异及对电性能的影响

评述了熔渗法和混粉烧结法两种工艺制备的CuC触头的微观结构差异及对其电开断性能的影响。与熔渗法相比,烧结法制备的CuCr触头具有更好的抗熔焊性能、更低的截流值和更好的吸放气性能,但因其机械强度较低,耐压性能可能不如熔渗法触头。对两种工艺提出了改进的建议。     

钼铜真空开关触头材料渗铜工艺的优化

采用粉末冶金法压制、烧结和熔渗工艺制备钼铜真空开关触头材料,时而会出现钼基体表面氧化黄斑点和渗铜分布不均或钼晶粒间铜相填充不均现象。为了提高钼渗铜工艺效果,在常规钼渗铜工艺基础上,低温熔渗增加一段还原温度、时间梯度段。结果表明,通过优化改进钼渗铜工艺后,钼铜触头产品质量得到了有效控制。     

不同粉末冶金工艺制造的CuCr触头的微观组织差异及对电性能的影响

评述了熔渗法和混粉烧结法两种粉末冶金工艺制备的CuCr触头的微观结构差异及对电开断性能的影响。与熔渗法相比，烧结法制备的CuCr触头具有更好的抗熔焊性能，更低的截流值和更好的吸放气性能，但因其机械强度较低故耐压可能不如熔渗法触头。对两种工艺提出了改进的建议。     

钨粉粒径对熔渗法制备的CuW触头材料硬度的影响

本文研究了钨粉粒径对熔渗法制备CuW触头材料硬度的影响。结果表明：钨粉粒径过大时,会降低CuW触头材料的硬度;钨粉粒径过细小时,易在CuW触头材料中产生铜的富集;钨粉粒径5－7μm比较合适。     

高压真空断路器用熔渗法CuMoCr触头材料的制备工艺

介绍了高压真空断路器用熔渗法CuMoCr触头材料的制备工艺。研究了原材料预处理温度对Cu粉、Mo粉含氧量的影响,以及Cu粉与MoCr粉的混合比例对熔渗后坯件体积变化的影响,并对结果进行了分析。     

Cu-Cr二元合金状态图与Cu-Cr触头的工艺探索

本文从Cu-Cr二元合金平衡状态图的基本结构出发，分析了典型成份下的Cu-Cr合金平衡结晶的过程及其常温下合金的组织结构。结合熔渗法制造Cu-Cr50触头材料的合金化特点，分析了产生组织缺陷的原因和消除这些缺陷的方法，从而使熔渗法制造Cu-Cr触头的生产工艺和产品质量提高到一个新的水平。     

非晶-晶化法制备微晶铜铬真空触头材料

本文提出了一种非晶－晶化法制备微晶铜铬触头材料的新工艺。该工艺制备的铜铬触头材料，其组织中散着几个微米大小的铬细晶颗粒。由于经过电弧熔炼过程，消除了熔渗法和烧结法制造的触头中存在的大颗粒夹杂现象。可提高触头质量及在真空开关中运行的可靠性。另外，该工艺对原料铜和铬的要求可以降低，工艺相对简单，适用于各种铬含量铜铬头触头的材料的制造，是一种高质量，低成本，便于大规模生产铜铬触头材料的新的制造工艺。     

真空断路器用铜-铬触头材料

主要研究用Cr骨架熔渗法制备的CuCr触头材料掺入不同的少量元素后,对其电性能的影响,实验分析得到一些有价值的结论。     

真空接触器用AgWC60触头材料及其工艺研究

目前国内真空接触器触头材料主要有Cu—WC、CuW—WC、Cu—W系列,国外普遍采用AgWC触头。与其他触头相比,AgWC具有更好的导电性能,更低的截流值（0．7A）,是接触器触头的理想材料,但因其成本大,价格高,国内尚没有普及,应用限于要求较高的场合,如1．2kV／630A系列真空接触器。我公司应客户要求提供AgWC60触头材料,其性能指标要求如表1所示。     

化学包覆法AgWC（20）C（3）触头材料的性能分析及应用

对化学包覆法AgWC（20）C（3）触头材料的各项性能作了较全面的测试，并与机械混粉法AgWC（12）C（3）触头材料进行对比。试验证明，AgWC（20）C（3）的各项性能指标均优于AgWC（12）C（3）。前者装于我国某新型飞机的断路器中，顺利通过了地面各项性能及五年飞行后的性能考核，目前已经批量使用。在断路器DW10—400、DW10-600、DZ20J-400中也通过了型式试验。