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熔渗法AgW(75)触头材料研究 总被引:2,自引:0,他引:2
电触头作为电器设备的关键元件之一,既是载流体,又是机械零部件,要求具有良好的导电导热性、耐电孤烧损、抗熔焊、低而稳定的接触电阻、有一定的强度和易于机械加工等。本研究采用粉末冶金熔渗技术制备AgW(75)电触头材料,对其进行复压、复烧,并测量了其力学物理性能和显微组织。结果表明,粉末冶金熔渗技术与复压复烧相结合制备的AgW(75)触头材料的相对密度高,硬度达到国家标准要求,但材料收缩性大。 相似文献
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H2气氛熔渗CuW触头材料性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
重点研究了H2气氛熔渗方法制造的高压开关Cuw触头材料的物理机械性能,分析了影响材料性能的因素。测试了材料的密度、硬度、电导率、抗弯强度、抗拉强度、延伸率和冲击韧性,结果显示:H2气氛熔渗Cuw触头材料具有良好的物理机械性能,符合GB/T8320、ASTM B702标准和用户对Cuw触头的性能要求。特别是Cuw70合金具有较好的综合性能,能够满足高压开关GIS的技术要求。金相组织分析和对断口形貌的扫描电镜分析发现,H2气氛熔渗的Cuw触头材料金相组织均匀致密、孔隙少、无夹杂物,W颗粒大小分布均匀并被Cu均匀包覆。相对密度高、金相组织均匀、孔隙少、无夹杂物是H2气氛熔渗Cuw触头材料性能良好的主要原因。 相似文献
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采用化学包覆法制备AgWC(12)C(3)混合粉,再分别采用烧粉制粒、掺胶制粒和干法制粒将混合粉制粒,使粉体获得一定的流动性,通过初压—烧结—复压—退火—再复压制备出AgWC(12)C(3)电触头材料。测试材料的电阻率、抗弯强度等关键特性,研究了制粒工艺对AgWC(12)C(3)电触头材料力学物理性能以及使用寿命的影响。研究结果表明:干法制粒能明显降低材料的电阻率,提高材料的抗弯强度和使用寿命;与烧粉制粒相比,电阻率降低9.7%,抗弯强度提高了23%,电寿命提高了78%以上。 相似文献
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烧结法与熔渗法铜铬触头微观组织差异及对电性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
评述了熔渗法和混粉烧结法两种工艺制备的CuC触头的微观结构差异及对其电开断性能的影响。与熔渗法相比,烧结法制备的CuCr触头具有更好的抗熔焊性能、更低的截流值和更好的吸放气性能,但因其机械强度较低,耐压性能可能不如熔渗法触头。对两种工艺提出了改进的建议。 相似文献
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不同粉末冶金工艺制造的CuCr触头的微观组织差异及对电性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
评述了熔渗法和混粉烧结法两种粉末冶金工艺制备的CuCr触头的微观结构差异及对电开断性能的影响。与熔渗法相比,烧结法制备的CuCr触头具有更好的抗熔焊性能,更低的截流值和更好的吸放气性能,但因其机械强度较低故耐压可能不如熔渗法触头。对两种工艺提出了改进的建议。 相似文献
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本文提出了一种非晶-晶化法制备微晶铜铬触头材料的新工艺。该工艺制备的铜铬触头材料,其组织中散着几个微米大小的铬细晶颗粒。由于经过电弧熔炼过程,消除了熔渗法和烧结法制造的触头中存在的大颗粒夹杂现象。可提高触头质量及在真空开关中运行的可靠性。另外,该工艺对原料铜和铬的要求可以降低,工艺相对简单,适用于各种铬含量铜铬头触头的材料的制造,是一种高质量,低成本,便于大规模生产铜铬触头材料的新的制造工艺。 相似文献
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目前国内真空接触器触头材料主要有Cu—WC、CuW—WC、Cu—W系列,国外普遍采用AgWC触头。与其他触头相比,AgWC具有更好的导电性能,更低的截流值(0.7A),是接触器触头的理想材料,但因其成本大,价格高,国内尚没有普及,应用限于要求较高的场合,如1.2kV/630A系列真空接触器。我公司应客户要求提供AgWC60触头材料,其性能指标要求如表1所示。 相似文献
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化学包覆法AgWC(20)C(3)触头材料的性能分析及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
对化学包覆法AgWC(20)C(3)触头材料的各项性能作了较全面的测试,并与机械混粉法AgWC(12)C(3)触头材料进行对比。试验证明,AgWC(20)C(3)的各项性能指标均优于AgWC(12)C(3)。前者装于我国某新型飞机的断路器中,顺利通过了地面各项性能及五年飞行后的性能考核,目前已经批量使用。在断路器DW10—400、DW10-600、DZ20J-400中也通过了型式试验。 相似文献