电场下[001]cub切型弛豫铁电单品PMN-32PT电畴的极化反转

为研究弛豫铁电单晶PMN-32PT电畴在电场下的极化反转，利用偏光显微镜研究了电场下[001]cub切型PMN-32PT单晶电畴组态的变化，建立了极化反转模型．在[001]cub单晶切片中，当电场强度达到4kV／cm时，电畴开始极化反转，出现平行于电场方向的畴壁，畴壁沿垂直自身的方向运动，畴壁的运动实际是畴的横向扩张；当电场强度增至6kV／cm时，畴壁消失，又出现垂直于电场方向的新畴壁；而电场强度进一步增至10kV／cm时，新畴壁也消失，且电畴消光，这表明多畴已单畴化．     

电场下[001]cub切型弛豫铁电单晶PMN-32PT电畴的极化反转

为研究弛豫铁电单晶PMN-32PT电畴在电场下的极化反转,利用偏光显微镜研究了电场下[001]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴组态的变化,建立了极化反转模型.在[001]_(cub)单晶切片中,当电场强度达到4kV/cm时,电畴开始极化反转,出现平行于电场方向的畴壁,畴壁沿垂直自身的方向运动,畴壁的运动实际是畴的横向扩张;当电场强度增至6kV/cm时,畴壁消失,又出现垂直于电场方向的新畴壁;而电场强度进一步增至10kV/cm时,新畴壁也消失,且电畴消光,这表明多畴已单畴化.     

0．76PMN-0．24PT单晶极化前后的介电特性

研究电场对0．76PbMgl／3Nb2／303-0．24PbTi03（0．76PMN-0．24PT）单晶结构影响．采用介电特性测量的方法,分析了0．76PMN--0．24PT单晶在直流电场极化前后介电常数随温度和频率的关系．实验结果表明,0．76PMN-0．24PT单晶极化前后介电特性有明显的差异,电场作用使单晶的内部从微畴转变为铁电宏畴．     

层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究

利用电子显微镜比较研究了SrBi_2Ta_2O_9(SBT),Bi_3TiTaO_9(BTT),Bi_4Ti_3O_12(BTO),Bi_3.25La_0.75Ti_4O_12(BLT),SrBi_4Ti_4O_15-Bi_4Ti_3O_12(SBTi-BT)和SrBi_4Ti_4O_15-Bi_3.25La_0.75Ti_3O_12(SBTi-BLT)各自的畴结构和形态,并讨论了可能的相关机制.研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响;90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好.     

元素分布和裂纹对PMN-32PT单晶电学性能的影响

为寻求PMN-32PT单晶电学性能不稳定的成因,利用准静态压电常数测试仪、数字电桥和EDS对[001]切型PMN-32PT 单晶的电学性能和成分分布进行了对比分析,并考察了裂纹对晶体电学性能的影响.结果表明,元素分布的不均匀是造成[001]切型PMN-32PT单晶电学性能不均匀的重要原因,其中Ti对晶体的压电性能有正的贡献而Nb与之相反,Mg对介电常数有正的贡献;裂纹对晶体的电学性能影响显著,在裂纹处,PMN-32PT单晶的电学性能急剧下降.     

电场对[100]cub切型PMN-PT单晶电畴组态的影响

采用偏光显微镜观察了电场作用下[100]cub切型PMN-PT弛豫铁电单晶电畴组态的变化.结果表明：在正向电场作用下,当电场强度超过2.45 kV/cm时,平行于电场方向小畴条带慢慢消失,当电场强度升高到7.15 kV/cm时,原畴壁逐渐消失,在接近电极附近试样上优先出现了垂直于电场方向的新电畴;在反向电场作用下,电场强度超过2.05 kV/cm时,电畴条带沿电场方向扩展,当电场强度升到7.15 kV/cm时,平行于电场方向电畴消失,而出现许多垂直于电场方向电畴;在交流电场驱动下,电畴以低于50 Hz的频率做周期性振动.     

快速退火Sol—Gel PZT铁电薄膜的性能研究

报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料，用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法，经多次旋转涂膜，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速退火（RTA）作薄膜的热解和结晶热处理，制备了以（100）取向为主的PZT薄膜。用X射线衍射（XRD）和RT66A测试了膜的结晶取向、漏电流、电滞回线和抗疲劳性能等。结果表明，经RTA处理的溶胶凝胶法PZT膜具有良好的性能。     

钙钛矿结构驰豫型铁电体的介电弛豫谱研究

通过分析钙钛矿结构驰豫铁电陶瓷铌镁酸沿的复介电响应,探讨了其在弥散相变温区的驰豫特征及极性微区、铁电微畴的极化机制。数值拟合表明幂指数Arrhenius关系比Vogel-Fulcher关系可更为合理地表征驰豫型铁电体。给出铁电微畴的驰豫响应时间分布函数,计算所得介电驰豫温度谱与实验结果吻合较好。     

高纯氮气退火处理对铁钝化多孔硅形貌的影响

退火处理对复合薄膜的形貌和结构都将产生较大的影响,对由水热腐蚀技术制得的铁钝化多孔硅进行高纯氮气(99.999 9%)下900℃退火3 h,利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在退火前与退火后的结构变化特点.发现在微米层次上,退火后的多孔硅样品基本保持了退火前样品表面的规则阵列排布形式;在纳米层次上,退火后样品表面的硅柱仍呈多孔状,但孔壁的硅晶粒长大,平均晶粒尺寸由退火前的5 nm长大为退火后的17.2 nm.     

Morphology and defect structures of novel relaxor ferroelectric single crystals Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3

High-performance relaxor ferroelectric single crystals Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3 have been grown successfully by a modified Bridgman method. They have the size of 25×25×50mm~3 and are of pure perovskite phases with tetragonal or rhombohedral structures. Their {001} faces appear dominantly, which can be interpreted by the model of anionic coordination polyhedral growth units. Main macro defects observed under optical microscopes and SEM can be reduced or removed by improving growth parameters after understanding their formation mechanism. 71° or 109° macrodomains in rhombohedral PMNT 76/24 crystals and 90° macrodomains in tetragonal PMNT 65/35 crystals have been observed by optical microscopes. It has been found that the transition from microdomains to macrodomains can be induced by compositions. Both the imaging mechanism of non-180° domains and the relation between domain configurations and ferroelectric phase transition have been analyzed.     

氧化物单晶晶纤的生长规律

用LHPG法可以生长出优质单晶纤维,其条件是:(1)熔区长度调整到1_c=K(D d),其中K在0.55～0.75间,其值与晶体表面能有关;(2)在V_f=(D/d),V_s条件下,选择合适的V_f可以使△d/d极小。(3)源棒均匀,即△D=0。式中D、d别为源棒和晶纤直径,V_f和V_s分别为提拉晶纤和输送源棒速率。文中用晶体生长理论讨论了上述规律。     

SAPMAC法生长大尺寸蓝宝石单晶工艺研究

采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC法)在真空条件下,选择<101-0>方向的籽晶成功生长了尺寸为220×200 mm的大尺寸蓝宝石晶体,生长时结晶区温度梯度为0.5~1.0℃/mm,生长速度为0.1~2 mm/h.对生成晶体的透射率进行了检测,测试结果表明在2 500~4 000 cm-1范围内,1mm厚度蓝宝石晶片的透过率达85%以上.     

La2／3Sr1／3MnO3单晶的本征低温电阻最小行为研究（英文）

摘要：为了阐明在锰氧化物多晶以及外延薄膜中存在的低温电阻极小值现象,对La2／3Sr1／3MnO3单晶样品的性质进行研究.该单晶样品是利用光学浮区生长炉,在氩气气氛中生长出的高品质晶体,系统研究了退火对La2／3Sr1／3MnO3单晶低温输运行为的影响.结果表明,在退火前样品存在的低温电阻极小值无论是c轴还是ab平面在退火后均消失,这一结果首次证明了在锰氧化物体系中存在的低温电阻极小是一种非本征的物理行为,与实验样品的制备工艺和存在于其中的非完整性具有较强的依赖性,并进一步证明自旋无序散射乃是传统体系出现低温电阻极小的主要原因.     

塑性变形对单晶铜线材导电性影响的研究

为了研究塑性变形对单晶铜线材导电性的影响，以及电阻率与塑性变形量之间的定量关系，将Φ8mm的工业单晶铜线材冷拔后，得到塑性变形量不同的试样，用四端引线法精确测量其电阻率、结果表明，单晶铜线材的电阻率随塑性变形量的增加而上升，其原因是由于单晶铜线材的微观组织畸变程度随塑性变形量的增加而加剧。     

小直径金属线材单晶化技术原理及工艺

在系统研究单晶连铸的基础上，提出小直径线材单晶化技术，该技术结合区域熔化技术和连续铸造技术，实现了“三个连续”，即送料连续、加热熔化连续、引锭连续．他能克服单晶连铸对所制备的单晶线材长度和直径的限制．理论和工艺实验结果表明，小直径线材单晶化技术满足制备单晶线材对固液界面的要求，可将直径较粗的多晶金属线材直接拉制成长度不受限制、直径较细的单晶金属线材，功率和连铸速度适当配合时，可在较大范围内获得表面光滑的单晶铜线材。     

单晶锗微结构的超声振动辅助微切削加工

为解决单晶锗微结构元件超精密金刚石切削加工的技术难题,提出采用超声振动辅助切削技术提高单晶锗的临界未变形切屑厚度,并推导了微结构切削中切屑厚度的理论计算公式. 进行微圆弧金刚石刀具的振动辅助微切削实验,研究临界未变形切屑厚度随振幅的变化规律,分析微槽表面加工质量和切屑形貌等. 分析4.5 μm和10.0 μm深的十字槽、矩形凸台等微结构的加工质量,针对微槽边缘的加工损伤问题,采用“切深递减”同时结合横向进给的工艺方法. 实验结果表明:微槽切削中切削深度的理论计算值存在较大的误差,应选用直接测量法;振动辅助切削的临界未变形切屑厚度随着振幅的增加而增大,最高达到了704 nm,是普通切削深度的5.2倍. 与普通切削相比,振动辅助加工可以在一定程度上降低微槽表面粗糙度. 采用振动辅助微切削技术能够在大切深条件下加工出具有较高表面质量和轮廓精度的微结构,能够有效解决微槽侧面加工损伤问题,微槽表面粗糙度R_a值低至3.09 nm.