微秒级脉冲电流电化学抛光的试验建模与工艺

针对电化学抛光时，在窄缝、盲孔处电解液流动性差的困难．根据试验数据，采用正交试验法与逐步回归分析法相结合和人工神经网络法，分别建立了微秒级脉冲电流电化学抛光的数学模型和网络输入输出模型，探讨了抛光机理，并对两种模型的加工效果进行了比较．结果表明，由于电解液发生扰动，有利于排除电解产物，提高了抛光质量，而基于人工神经网络建立的模型具有更好的加工效果．     

基于正交试验设计的压缩机曲轴电化学抛光工艺参数优选

利用正交试验设计的方法,研究了涡旋压缩机曲轴电化学抛光工艺参数的最佳组合。归纳了影响曲轴电化学抛光效果的8个主要因素,通过正交试验设计方法,优选出影响曲轴电化学抛光工艺的因素水平,在此条件下,通过试验验证,压缩机曲轴电化学抛光技术与传统的磨削工艺相比抛光后的粗糙度降低了40%以上,大大降低了涡旋压缩机曲轴由于运动产生的摩擦损耗。     

1Cr18Ni9Ti的电化学抛光

本文研究了1Cr18Ni9Ti在H_3PO_4—H_2SO_4—CrO_3体系中的电化学抛光。探讨抛光液组分的作用、筛选抛光工艺条件、讨论抛光机理,并对比测定了抛光膜的光洁度和耐蚀性。试验表明,采用本文推荐的抛光工艺可得到光洁度高、平整性好、又具有较高耐蚀性的光泽表面。     

不锈钢管内表面电化学抛光技术的研究

根据电化学抛光的一般原理，采用双辅助电极法实现了不锈钢管内壁的抛光；通过正交试验分析论证了各工艺因素对抛光后粗糙度的影响，得出了最佳抛光液的成分配比及相应的操作条件。     

抛光工艺及其设备

回转零件镜面抛光技术是利用电解——机械复合光整加工作用,加工效果高于单一的机械研磨和电解抛光．回转零件镜面抛光工艺及其设备成果包括特殊工艺装备、电解电源和电控系统、电解液循环系统、工具头和一套工艺方案．     

双辅电极不锈钢电化学抛光技术

提出了双辅助电极电化学抛光技术，研究了实现双辅助电极电化学抛光的设备结构，分析了双辅助电极电化学抛光的基本原理，提出了双辅助电极电化学抛光的工艺规范，结果表明：双辅助电极电化学抛光具有抛光质量高、工件装夹方便等优点，尤其适应于不锈钢管内表面的抛光。     

硼硅玻璃薄膜的抛光工艺

对硼硅玻璃产品的用途及加工表面质量要求进行了分析,以自制抛光机为抛光工具,抛光薄膜为抛光膜,水作为抛光冷却液,通过对大量抛光实验数据的研究,拟定了最优的硼硅玻璃薄膜抛光过程工艺.该工艺不仅可以满足加工要求,而且其冷却液还具有绿色环保作用.     

回转零件镜面抛光工艺及其设备

回转零件镜面抛光技术是利用电解——机械复合光整加工作用，加工效果高于单一的机械研磨和电解抛光．回转零件镜面抛光工艺及其设备成果包括特殊工艺装备、电解电源和电控系统、电解液循环系统、工具头和一套工艺方案．     

微晶玻璃研磨抛光超光滑表面粗糙度的工艺研究

研磨抛光采用浸液式定偏心锡磨盘抛光方式，研究抛光液浓度、PH值、上下研磨盘转速、抛光时间等参数对微晶玻璃超光滑表面粗糙度的影响，粗糙度的测量采用NT1100干涉仪．实验结果表明：粗糙度受PH值影响比较大；试件在低浓度弱碱抛光液中，延长抛光时间可降低表面粗糙度值并获得高质量的表面，最终测得表面粗糙度为Rα=0．37nm．     

复杂模具自由曲面抛光工艺规划的研究

抛光是模具自由曲面自动化加工中的重要工序．本文对复杂模具自由曲面抛光的工艺规划技术进行了研究,首先详细给出了抛光工艺规划步骤,即自由曲面分区、磨具的选择、路径规划、加工参数优化和抛光次数的确定;提出了三种确定抛光次数的方法,即表面粗糙度法、材料去除深度法和效率法,并具体给出了每一种临界抛光次数的计算方法．     

银铜合金的电解抛光工艺探索

对银铜合金电解抛光的工艺参数和抛光液组分进行了系列实验,并通过进行人工汗渍试验、湿热试验、光敏试验来验证合金的抗变色的能力.     

模具复合抛光工艺的研究与应用

研究了电解磨料喷射复合抛光新工艺，认识了其加工规律和特点，并将其应用于生产实际，形成模具复合抛光的系统技术。     

高纯铝片抛光工艺及对氧化铝模板的影响

在多孔阳极氧化铝（Porous anodic alumina,PAA）制备过程中,为了得到更稳定的电解过程,实现高度有序的纳米孔阵列结构,对高纯铝片表面进行抛光是一个典型的、必要的步骤。为此系统研究了高氯酸/乙醇抛光液体系在不同电压（1,5,10,20V和25V）和不同时间（10,60s和180s）下的抛光工艺,以及抛光对高纯铝片表面以及PAA的影响,获得用于制备PAA模板较合适的抛光工艺,即抛光电压为10V,抛光时间为180s。     

抛光不锈钢管内壁的工艺试验研究

总结不锈钢管内壁抛光的研究成果,本文所进行的离心振动抛光动力学分析及所得实验数据,可供不锈钢管内壁抛光研究工作参考。     

微晶玻璃研磨抛光超光滑表面粗糙度的工艺研究

研磨抛光采用浸液式定偏心锡磨盘抛光方式,研究抛光液浓度、PH值、上下研磨盘转速、抛光时间等参数对微晶玻璃超光滑表面粗糙度的影响,粗糙度的测量采用NT1100干涉仪.实验结果表明:粗糙度受PH值影响比较大;试件在低浓度弱碱抛光液中,延长抛光时间可降低表面粗糙度值并获得高质量的表面,最终测得表面粗糙度为Ra=0.37 nm.     

基于硫系玻璃非球面抛光工艺研究

硫系玻璃非球面透镜具有优异的红外光学性能,分析了硫系玻璃材料的光学和热力学特性,针对硫系玻璃质软,热膨胀系数大,依据自适应迭代驻留时间算法理论,采用数控气囊式抛光对?50mm硫系玻璃非球面透镜进行抛光。通过正交试验确定了透镜在抛光过程中的气囊抛光头旋转速度、气囊充气压力值、氧化铈抛光液浓度等工艺参数,再使用带有聚氨酯抛光垫的气囊对透镜进行多次抛光,并检测其面形图。最后通过分析对比实验,在实验基础上改用金刚石微粉作为抛光液,对透镜进行最后阶段的面形修正抛光,其表面粗糙度Ra值为9.28nm,PV值为0.6097μm,表面疵病B为Ⅲ级。     

磨料水射流抛光时工艺参数对工件去除量的试验研究

将磨料水射流用于零件表面的光整加工是一门新工艺、新方法。本文借助正交设计方法研究了磨料水射流用于光整加工时的工艺参数，包括磨料的粒度、种类、硬度以及工作压力、加工时间等对表面粗糙度和表面去除量的影响。获得的结果对应用磨料水射流光整加工技术和设计相应的工艺设备具有指导意义和实用价值。     

微流控芯片磁性抛光工艺参数优化

以提高微流控芯片表面质量为目的,进行磁性抛光微流控芯片的关键工艺参数优化研究.首先,设计单因素实验组,根据实验结果,得到磁性抛光关键工艺参数对其抛光质量的影响规律:随着抛光间隙的减小,芯片表面粗糙度由0.327μm增至0.045μm,后又降至0.130μm,其最佳抛光间隙为1.5 mm;主轴转速对抛光质量的影响并不显著,改变转速进行抛光后芯片表面粗糙度保持在0.045～0.055μm,其最佳范围为400～800 r/min;微流控芯片表面粗糙度随着抛光时间增加而提高,最高表面粗糙度为0.018μm,相对而言,最佳抛光时间为30 min.此外,磁性复合流体(magnetic compound fluid,MCF)抛光质量受加工间隙影响最大,受抛光时间的影响略大于主轴转速.实验结果表明,通过对磁性抛光的关键工艺参数进行优化,可以将微流控芯片的表面粗糙度从0.510μm提高到0.018μm,由此可进一步探索磁性抛光技术应用于微流控芯片的确定性抛光.