Ta_2O_5和Al_2O_3薄膜的离子辅助淀积

本文介绍用离子辅助淀积法制作的Ta_2O_5和Al_2O_3薄膜的特性。测量了用不同的离子能(300、500及1000eV)和离子流密度(0～200μAcm~(-2)轰击制作的膜的折射率和消光系数。     

取向性Ta_2O_5薄膜的制作

最近,Ta_2O_5薄膜已应用于集成光学器件和太阳能电池上作抗反射涂层.这些应用是鉴于薄膜的高化学稳定性,特别是具有相当低的光传输损耗的光学特性.但这些薄膜都是无定型的.本研究是采用反应性直流二极溅射工艺,用金属钽靶和氩、氧混合气体在石英基片上获得结晶性薄膜,本研究提供了制得取向性和无定型Ta_2O_5薄膜的有关沉积条件,并首次观察到取向性Ta_2O_5薄膜的压电现象.成功地用叉指换能器在Ta_2O_5薄膜上激励出声表面波.     

具有压电效应的Ta_2O_5晶体薄膜

<正> Ta_2O_5薄膜以其很高的化学稳定性和优良的光学性能(如折射率高,光吸收率很低等)用于薄膜电容器、光波导和太阳能电池的减反射涂层等方面。以往的Ta_2O_5薄膜都是通过电子束蒸发钽然后热氧化或高频溅射、直流二极反应溅射获得的,并且上述用途的Ta_2O_5薄膜都是非晶膜。本文报道了在熔融石英基片上用直流二极反应溅射技     

SAW器件在DS-CDMA中的应用

声表面波(SAW)器件可以用来在直接序列扩频码分多址系统中实现匹配滤波器。特别地,它也可以通过应用实值部分来处理长序列。在本文中,我们描述了对提高自相关性和互相关性很有益处的实值序列的起源,并提供了一个比传统二进制序列数目更大的序列码。     

多晶硅薄膜的淀积

近十年来,由于硅栅工艺在MOS集成电路中的应用逐渐普遍,对于介质上淀积多晶硅荡膜的工艺,以及多晶硅淀积层性质的研究己经受到了重视。     

光诱导化学汽相淀积非晶硅薄膜及其在太阳电池中的应用

本文较系统地评述了光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术淀积非晶硅薄膜的开发现状,主要介绍了LCVD淀积非晶硅薄膜 的机理.评价了LCVD淀积非晶硅薄膜的电学和光学特性,最后介绍了这种薄在制备晶硅太阳电池方面的应用.     

离子选择性电极法测定Ta_2O_5中的氟

本方法采用国产PXJ-1型数字式离子计测定Ta_2O_5中的氟,并选用石蕊指示剂指示试液中的PH值,因此简化了操作手续。 另外,本文还着重探讨了钠离子浓度,试液的酸度对测定结果的影响。根据试验结果选择了较理想的试验条件,获得了比较满意的结果。     

TiO_2:Ta_2O_5固相混合薄膜的电子探针定量分析研究

利用电子微探针波谱仪,对单源固相混合真空镀膜制备的不同混合比的TiO_2:Ta_2O_5单层膜,进行了膜成份分析。选择P-T方法对电子探针测试数据做了理论修正。实验结果表明:由于TiO_2与Ta_2O_5真空蒸发温度的差异,单源混合蒸发时,出现了分馏蒸发现象。     

离子束淀积方法制备GdSi2薄膜

采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在400℃沉积的样品中仅存在正交的GdSiz相.样品在氩气氛中350C,30min退火处理后,GdSi2相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,GdSi2的晶体质量变得更好.     

离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜

采用离子束淀积方法制备了单相Gd Si2 薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的Gd Si2 相.样品在氩气氛中35 0℃,30 m in退火处理后,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,Gd Si2 的晶体质量变得更好     

平面型Gunn器件低温SiO2淀积

采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温淀积ＳｉＯ２并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。     

氮化硅薄膜的淀积方法

使半导体衬底的表面温度保持在550°至850℃,将由硅烷(SiH_4)、联氨(N_2H_4)和携带气体混合组成的反应气体作用在该加热表面,因而在半导体衬底表面淀积氮化硅膜的一种方法。本专利为此方法确定了以下条件,即:反应管内半导体衬底的温度;反应管内硅烷同联氨各自的浓度以及他们之间的比;从而工业上能在所述的衬底上淀积氮化硅薄膜。     

薄膜的离子束辅助淀积

本文报导一些介质膜在电子枪源蒸发过程中用离子轰击后光学特性的变化,目的是提高膜的聚集密度,从而减小其对潮气的吸附,以便提高其稳定性。     

对Ta_2O_5/MnO_2界面的研究

通过被MnO_2层实验,借助于扫描电镜分析,讨论了MnO_2与Ta_2O_5膜的接触形式对固体钽电容器性能的影响。分析结果表明,MnO_2与Ta_2O_5膜的点面接触的存在,是导致被MnO_2层后,钽电容器漏电流增大的主要根源。     

光化学汽相淀积技术在薄膜备制中的应用

介绍了光化学汽相淀积法的原理以及ＰＶＤ－１０００设备淀积薄膜的规律，特点等，并且给出了所淀积的ＳｉＯ２膜，Ｓｉ３Ｎ４膜和ＺｎＳ膜的基本特性。     

反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究

实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝（ＡｌＮ）薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Ａｌ和Ｎ发生完全反应制备高质量符合化学计量比的ＡｌＮ薄膜。讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响。实验结果表明,当ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ－２,ＰＮ２＝１３．３３３ｋＰａ,Ｔｓｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功地沉积于Ｓｉ（１００）基片上。分析表明薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,薄膜的能带间隙约为６．２ｅＶ,其电阻率和击穿电场分别为２×１０１３Ω·ｃｍ和３×１０６Ｖ·ｃｍ－１。     

PECVD法淀积TiSi_2薄膜性质及应用研究

利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来监测硅化物的形成.用扫描电子显微镜观察了TiSi_2薄膜的等离子刻蚀情况.分别采用I—V法和C—V法测量了TiSi_2/Si接触的肖特基势垒高度.利用圆形传输线模型外推法求得了TiSi_2/Si引的接触电阻率,这比同样条件下Al/Si的接触电阻率低一个数量级以上.     

激光诱导化学气相淀积SiO_2薄膜

已经证明,用气相施主分子,可以快速（3O00A/分）的进行光化学淀积二氧化硅。利用ArF激光器（193nm）来激励并离介硅烷（SiH_4）和笑气（M_2O）分子进行淀积,与早期的用汞灯不相干光进行辐照淀积氧化物相比,其淀积速度快,可达到汞灯的20倍的淀积速率,在特定范围内,受离介反应的限制。并受紫外光（UV）对衬底直接碰撞的影响。     

应用Ta_2O_5电容器的二级单片中频放大器

一种组装有溅射Ta_2O_5电容器的二级单片中频放大器已问世,该电容器是分别溅射 Au、Ta、Ta_2O_5、Ta和Au五层组成的复合层结构。由于这种层状结构是在同一溅射系统中顺序淀积而成,因而消除了微粒污染,得到大面积的无针孔的薄膜介质,从而制造出容量为140pF的合格率高的优质电容器。目前单位面积的容量可达1500pF/mm~2,故有可能减少微波单片电路和混合薄膜电路中的匹配电路和偏置电路的尺寸。 这种单片放大器在1.2～2.6GHz频率范围内增益为17.5±1.0dB。而在1.7GHz频率下,最低噪声值约为2.7dB,相应的增益为17.5dB。