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本文介绍了直流磁控溅射淀积Si薄膜的镀膜工艺,研究了Si薄膜的光学特性(包括透射率光谱曲线、光学吸收、光学常数)和电阻率,通过对薄膜的X射线能谱图和透射衍射图等研究、观察,了解了磁控溅射Si薄膜的晶相结构,以及它们经加热处理后的变化情况,并加以讨论。 相似文献
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利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷. 相似文献
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采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50nm的Ta膜和400 nm的Cu膜.使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕.使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X射线能谱仪(EDX)对残留压痕形貌、剖面上的分层现象进行观察,确定分层所在的位置.发现在69 mN的最大载荷作用后,在TA/SiO2界面处发生分层.分层的原因主要归结为在应力作用下,多层膜中各种材料的应变、弹性恢复能力不同. 相似文献
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磁控溅射工艺参数对Cu薄膜电阻率的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在确定Cu薄膜临界尺寸的基础上,选定基底温度、靶基距、溅射功率和工作气压为影响因素设计正交试验,研究了磁控溅射制备工艺对Cu薄膜电阻率的影响。研究结果表明:基底温度是影响薄膜电阻率的最主要因素,电阻率随着基底温度的升高而减小;在工艺条件为基底温度200℃、靶基距45 mm、溅射功率100 W、工作气压0.5 Pa时,所制薄膜的电阻率将会达到最小。最后,结合薄膜微观形貌对试验结论进行了分析,并对最佳工艺条件进行了实验验证。 相似文献
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磁控溅射Cu膜的表面形貌演化研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用磁控溅射工艺在单晶Si<111>衬底上制备300 nm厚的Cu膜,用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,研究工艺参数对Cu膜表面形貌的影响.结果表明:随着沉积温度、溅射功率及偏压的变化,Cu膜表面粗糙度历经了不同的演化过程.沉积粒子的扩散和晶粒生长之间的竞争决定了薄膜表面演化. 相似文献
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磁控溅射Cu膜的织构与残余应力 总被引:1,自引:0,他引:1
用磁控溅射工艺在不同沉积温度制备200 nm与2μm厚的Cu膜,并用X射线衍射仪(XRD)与光学相移方法测量薄膜织构与残余应力.结果表明,对于200 nm厚Cu膜,随着沉积温度T增加,晶粒取向组成几乎保持不变,薄膜具有较低拉应力且不断减小;而对于2μm厚Cu膜,随着T增加,Cu<111>/Cu<200>晶粒取向组成比值急剧减小.薄膜具有较大的拉应力且不断减小.根据表面能、应变能及缺陷形成等机制对薄膜残余应力与织构的演化特征进行了分析. 相似文献
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磁控溅射300 nm铜膜的电学性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频磁控溅射方法,在不同的基片温度Ts和偏压Us条件下淀积300 nm厚的Cu膜,用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、四点探针电阻测试仪,研究了薄膜的表面形貌和电阻率。结果表明:Cu膜的表面粗糙度和电阻率随工艺参数的改变而变化。随着Ts的升高,薄膜表面粗糙度Rrms与电阻率ρ均经历了先减小再增加的过程,在Ts<373 K时,表面扩散导致薄膜表面平滑,而当Ts>373 K时,晶粒长大诱导表面粗化;当Ts<673 K时,ρ随着Ts的增加而不断减小,但是,当Ts>673 K时,晶粒发生团聚而造成其几何形态和分布方式改变,进而导致ρ异常增加。随着Us的增加,Rrms呈现出先降低再增加的趋势,而ρ则逐渐递减。 相似文献
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利用磁控溅射制备了纯ZnO薄膜,并在NH3O-2A-r气氛中溅射Zn靶实现了ZnO薄膜的N掺杂;利用双靶共溅的方法分别制备了Al掺杂和N+Al掺杂样品。原子力显微镜(AFM)观察显示各ZnO薄膜样品具有较好的晶粒分布,退火处理能够显著提高薄膜的结构状态,N+Al共掺杂样品具有较好的表面平整度;在438cm-1附近观察到了喇曼谱特征峰;透射光谱揭示了激子的吸收特征和掺杂样品的吸收边向短波方向移动;发射光谱测试表明,掺杂样品比未掺杂样品有更强的紫外发射;同时分析了ZnO薄膜的掺杂机理。 相似文献
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研究了在半绝缘GaAs衬底上磁控溅射SiO_2薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析,给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明,和其它镀膜技术相比,磁控溅射可以在更低的温度下制作致密、均匀、重复性好的SiO_2膜。 相似文献
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射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光 总被引:11,自引:6,他引:11
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 . 相似文献