波长可调谐聚合膜/无机膜异质结电致发光

针对聚合物电致发光材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状,采用无机电子型半导体材料ZnO∶Zn与空穴型聚合物材料PDDOPV[poly (2,5-bis (dodecyloxy)-phenylenevinylene)]成功制备了结构为ITO/PDDOPV/ZnO∶Zn/Al的异质结双层器件.异质结器件的发光效率与亮度较单层器件提高1个数量级以上.该异质结器件的发光颜色是随着电压的增加而蓝移的,其光致发光光谱也随着激发波长的改变而改变,可能形成了新的发光基团.     

高发光亮度高效率的异质结聚合物电致发光器件

成功制备了可溶性的空穴型聚合物 PDDOPV [poly （2,5-bis （dodecyloxy）-phenylenevinylene）]与电子型聚合物 PPQ [poly（phenyl quinoxaline）]构成的异质结有机薄膜发光二极管。异质结器件的最高亮度是其本身最低亮度的106倍,是 PDDOPV单层器件的 365倍,而最高效率则是 PDDOPV单层器件的 336倍。异质结器件在正向、反向以及交流驱动下均可获得发光,但在正向和交流驱动下的发光来自PDDOPV,而反向驱动下的发光既有来自 PDDOPV的,也有来自 PPQ的。反向偏压下器件获得发光的原因是高场强使得能带高度倾斜,高度倾斜的结果使得载流子的注入势垒变得足够薄从而被载流子隧穿,从而导致载流子的注入和复合。     

有机-无机异质结电致发光器件发光机理的研究

制备了3种有机-无机异质结电致发光器件。由于电场强度或界面势垒的不同．这3种器件的发光性能和发光机理有很大的差别：器件A的发光主要是来自无机层的蓝光．器件B中有机层和无机层都有发光．而器件C只有来自有机层的发光。对所制备的3种结构器件的EL进行了比较,研究了结构对发光起因的影响,揭示通过调节有机层和无机层厚度以及界面势垒高度可以实现对发光区域的控制。     

有机无机复合膜发光器件的研究

针对聚合物电致发光（EL）材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状，采用无机电子型半导体材料ZnO：Zn与空穴型聚合物材料poly（2，5bis（dodecyloxy）-phenylenevinylene）（PDDOPV）成功制备了结构为ITO／PDDOPV／ZnO：Zn／Al的有机／无机复合膜双层器件。复合膜器件的发光效率与亮度比单层器件提高了1个数量级以上，而复合膜的电流是单层器件的0．5倍。而且，聚合物／无机物复合膜器件的发光颜色随电压的增加而蓝移，其光致发光（PL）光谱也随激发波长的改变而改变，有可能形成了新的发光基团。     

高发光亮度高效率的异质结聚合物电致发光器年

成功制备了可溶性的空穴型聚合物PDDOPV(2,5-bis(dodecyloxy)-phenylenevinylene）]与电子型聚合物PPQ[phenyl quinoxaline)]构成的异质结有机薄膜发光二极管。异质结器件的最高亮度是其本身最低亮度的10^6倍，是PDDOPV单层器件的365倍，而最高效率则是PDDOPV单层器件的336倍。异质结器件在正向、反向以及交流驱动下均可获得发光，但在正向和交流驱动下的发光来自PDDOPV，而反向驱动下的发光既有来自PDDOPV的，也有来自PPQ的。反向偏压下器件获得发光的原因是高场强使得能带高度倾斜，高度倾斜的结果使得载流子的注入势垒变得足够薄从而被载流子隧穿，从而导致载流子的注入和复合。     

基于有机-无机异质结的白色电致发光器件

制备了一种白色有机-无机异质结ITO／Poly(9,9-bis(2-ethylhexyl))fluorine(PFs)／ZnS：Mn／Al电致发光(EL)器件。其EL光谱是一个宽的发光带,范围从410nm到650nm。通过对器件的EL、光致发光(PL)、瞬态EL以及EL发光强度随电压和电流的变化关系等的研究,认为其EL来源于PFs和ZnS：Mn各自的发光叠加,其中PFs的发光机理是电子和空穴的复合发光,而ZnS：Mn的发光机理是过热电子的直接碰撞激发发光。器件的起亮电压约7V,最大发光亮度约62．1cd／m^2,色坐标为：X-0．303,Y=0．32。结果表明,有机-无机异质结是一种实现白光EL的新途径。     

LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究

采用低压-金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)在(100)p-Si衬底上制备未掺杂n型ZnO薄膜,并制作了相应的n-ZnO/p-Si异质结器件.通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和霍尔测试分别研究了所制备薄膜的结构、光学和电学特性.得到具有较高质量的n型ZnO薄膜.在室温条件下,测得了该类异质结器件正向注入电流下可见光和近红外区域的电致发光(EL).     

聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管及其发射机制

为了提高有机电致发光器件的效率和稳定性,制作了聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管.它以新型PTPD(聚TPD)为空穴传输材料,高效荧光材料Rubrene为掺杂剂. 异质结基本结构为PTPD/Alq3,双层掺杂时,器件电致发光的量子效率大约是未掺杂器件的两倍;与未掺杂器件和常用的TPD/Alq3二极管相比,掺杂器件的稳定性有了显著的提高. 从电致发光光谱可知,掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Frster能量转换过程的共同作用.     

聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管及其发射机制

为了提高有机电致发光器件的效率和稳定性,制作了聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管.它以新型PTPD(聚TPD)为空穴传输材料,高效荧光材料Rubrene为掺杂剂.异质结基本结构为PTPD/Alq3,双层掺杂时,器件电致发光的量子效率大约是未掺杂器件的两倍;与未掺杂器件和常用的TPD/Alq3二极管相比,掺杂器件的稳定性有了显著的提高.从电致发光光谱可知,掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用.     

有机薄膜电致发光的研究及现状

有机薄膜电致发光（OTFEL）由于具有许多独特的优点而成为当今发光领域研究的热点，具有十分诱人的应用前景。本文从其发展过程、发光原理、发光材料、器件结构等几个方面作了概括和论述。     

倒置型PLED的电致发光特性研究

提出一种以聚合物MEH PPV为发光材料,结构为Al/MEH PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(I PLED)。对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5nm,最佳的MEH PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40 4cd·m2提高到掺杂后的207.7cd/m2,其发光峰从未掺杂的624nm蓝移到掺杂后的592nm,但其I V特性并没有明显的变化。     

Se薄膜封装层对OLED器件寿命的影响

对于绿光OLED多层器件,在高真空条件下,利用真空蒸镀的方法,在各功能层蒸镀完成后,又在阴极的外面蒸镀了一层硒薄膜封装层,然后再按一般方法进行封装.对比了正常封装与增加Se薄膜封装层后器件的性能,对比实验中封装过程都未加干燥剂.研究发现未加Se薄膜封装层器件的半衰期为2 880 h,增加Se薄膜封装层器件的半衰期接近4 000 h,Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍;研究还发现Se薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能.     

薄膜电致发光技术

薄膜电致发光(thinfilmelectroluminescece,TFEL)具有主动发光、全固体化、耐冲击、视角大、反应快、工作温度范围宽以及图像清晰度高等诸多优点,曾经被认为是一种很有前景的平板显示技术。但是,由于这种显示技术存在的固有问题和其它与之的竞争显示技术的快速发展的影响,使得TFEL虽经过30多年的发展,但一直不能实现大规模产业化。本文对TFEL技术和产业化做一个介绍。     

有机聚合物材料的电致发光及其应用

论述了有机聚合物材料的电致发光原理和有机发光二极管的结构及影响器件量子效率、稳定性及寿命的因素。总结了目前该领域所取得的主要成蝤和面对的技术挑战,展望了２１世纪有机发光材料的应用前景和商业化可能性。     

利用ZnO薄膜界面层改善ZnO纳米棒/p-GaN发光二极管的电致发光性能

Heterostructure light-emitting diodes(LEDs)were fabricated by growing ZnO nanorods and undoped ZnO films on p-GaN templates.The heterojunction showed a diode-like I–V characteristic and emitted electroluminescence(EL)peaks at 383 nm,402 nm,438 nm,and 507 nm under forward bias.Since the electrons from ZnO nanorods and the holes from p-GaN could be injected into ZnO films with a relatively low carrier concentration and mobility,the radiative recombination was mainly confined in the ZnO film region.As a result,the ZnO nanorods/i-ZnO/p-GaN light emitting diode exhibits a stronger ultraviolet–violet emission peak.     

非晶硅薄膜晶体管有机电致发光单元像素的设计

介绍了两管薄膜晶体管(TFT)和四管TFT有源驱动有机发光二极管工作原理,结合TFT工作条件限制以及实现显示的要求完成了四管TFT有源驱动有机电致发光单元像素的设计,利用Hspice软件验证了单元像素的设计结果,最大输出电流为2.1 μA,一帧的时间后变化到2.0 μA,变化量小于一个灰阶电流,满足显示要求.     

硫系玻璃薄膜封装层对OLED寿命的影响

在高真空条件下(3×10-4Pa),利用硫系玻璃(Se,Te,Sb)薄膜封装材料对有机电致发光器件(OLED)进行原位封装,有效避免了传统封装方法难以避免的水、氧危害,以达到延长器件寿命的目的。实验对比了正常封装与增加Se、Te、Sb薄膜封装层后器件的性能,对比实验中封装过程都未加干燥剂。研究发现Se、Te、Sb薄膜封装层分别可以使器件的寿命延长1.4倍,2倍,1.3倍以上;采用封装层对器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能几乎不产生影响,但影响了器件散热,薄膜封装层使器件的击穿电压、最高亮度等参数稍有下降。