真空蒸镀氟化镁增透膜的厚度与均匀性控制

基于光学增透膜与真空蒸发镀膜的基本原理,从MgF2原料状态、原料蒸镀质量、蒸发源与基片间距等方面,研究了热电阻和电子束蒸镀的MgF2薄膜厚度与其均匀性的控制工艺,以制备出高效的MgF2增透膜。结果表明:对于颗粒度较小或熔点较低的原料,热电阻比电子束蒸镀更易控制,并可避免原料污染;原料实际蒸镀质量与膜厚呈较好的线性关系;实际蒸镀质量相同的多晶颗粒与粉末状原料相比,前者蒸镀膜更厚;基片置于旋转工转盘中心比其侧部区域蒸镀膜更厚、均匀性更好。最后利用旋转球面夹具的小平面源蒸发模型很好地解释了上述实验结果。     

OVPD技术在OLED蒸镀装置中的应用

将OVPD(有机气相沉积)技术应用于OLED(有机电致发光显示器件)蒸镀装置中,研制了一台实验设备,并通过实验验证了其可行性和可控性.该技术克服了常规点源蒸发所产生的有机材料利用率低、膜层均匀性差、不适合大基片镀膜等缺点,为OLED量产设备的研制奠定了基础.     

利用空心阴极放电法(HCD)的蒸镀技术

1.产生高密度金属离子的HCD蒸镀法 过去真空蒸镀和溅镀,曾被光学和半导体工业广泛采用,做为一种近乎理想的无公害镀膜法,代替了温式镀膜,但是进入70年代以来,人们对于这些方法做了认真的研究。尤其是离子镀是有发展前途的代用手段,引起了很多人的注意。所谓离子镀,就是在蒸发物质(金属、合金及无机化合物等)和气体的离子轰击中,使蒸发物质蒸镀到基片表面上的方法:由Mattox创始的离子镀,最初追求良好的粘着性;是在产生气体散射的10-2托压力下进行的1-3)。但是有人批评,在高的压方下镀膜能降低膜的牢,固性,因此进一步研究在或低于、10-3的压…     

第二十一讲真空卷绕镀膜

(接2020年第6期86页) 2.2.1 原理 电阻加热蒸发镀膜原理如图3所示.将卷筒状的待镀薄膜基材装在真空蒸镀机的放卷辊上,薄膜穿过导向辊和镀膜冷鼓卷绕在收卷辊上.抽真空,使蒸镀室中的真空度达到4×10-2Pa以上,加热蒸发舟或蒸发坩埚使高纯度的金属或化合物在气化温度下融化并蒸发.启动薄膜卷绕系统,当薄膜运行速度达...     

塑料真空镀膜的进展及应用

一、概况为了提高塑料的附加功能,进一步扩大塑料用途,利用真空镀膜技术对塑料表面进行处理是一个好办法。目前常用的塑料真空镀膜方法有真空蒸镀法和磁控溅射法。所谓蒸镀法就是在10~(-4)～10~(-5)Torr的真空中加热蒸镀材料,使其在极短时间内蒸发并沉积在基材表面形成镀膜层。一般,该法只能蒸镀像铝这样的低融点金属。磁控溅射法利用高效磁控管溅     

离子蒸镀

离子蒸镀是最近才发展起来的一种新的表面处理技术。它是利用辉光放电之能量进行离子镀膜的,故称做离子蒸镀。 离子蒸度的基本原理是由低压气体的放电所产生的等离子体中,包含有大量的离子、电子以及被活化的气体原子等高能粒子;置于负高压的试料(阴级)彼等离子包围,由于离子的轰击作用而使其表面达到清洁处理目的(在氩气存在的条件下);另一方面,从蒸发源蒸发出来的气化原子(如金属或非金属),由于等离子体中的电子的作用而电离,其离子在电场力的作用下被加速到试料表面上,从而形成镀膜。 离子蒸钦法,基片和镀层不论是金属或非金属均可,若不…     

EB-PVD在热障涂层中的研究及应用

EB-PVD是以高能电子束为热源的一种蒸发镀膜技术.在真空的环境下,高能离子束轰击靶材(金属,陶瓷等),使其融化、升华、蒸发,最后沉积在基片上.由于EB-PVD技术具有蒸发和沉积速率高,涂层致密,化学成分易于精确控制,可得到柱状晶组织,无污染,热效率高,基片与薄膜之间有较强的结合力等诸多优点,已被广泛应用于国防和民用领域.本文介绍了EB-PVD技术在制备热障涂层时优势、不足与改进措施.     

真空蒸镀钝化太安（PETN）薄膜的研究

对真空蒸镀钝化太安(PETN)炸药薄膜进行了研究。分析了真空度、蒸镀温度、蒸发速率、基片表面状态等因素对形成薄膜的影响。得出了适宜蒸镀的真空条件、最佳蒸镀温度和蒸发速率；提出了增加薄膜和基片附着力的方法。     

真空蒸镀钝化太安(PETN)薄膜的研究

对真空蒸镀钝化太安 (PETN)炸药薄膜进行了研究。分析了真空度、蒸镀温度、蒸发速率、基片表面状态等因素对形成薄膜的影响。得出了适宜蒸镀的真空条件、最佳蒸镀温度和蒸发速率 ;提出了增加薄膜和基片附着力的方法。     

真空镀膜技术

由真空蒸镀所获得的薄膜,是实现部件超小型化的有力手段之一,但在真空中的薄膜表面,易受剩余气体成分,分压强,蒸发温度和时间的影响以及蒸发源的形式,温度等影响而产生变化。另外,如何既经济又有效地进行电连接和涂敷保护层,在提高性能上也是一种重要问题。因此,除非常稳定地控制蒸镀条件提高工作效率以外,大量生产能保持一定质量水平的产品,就显得非常重要了。本文介绍制备薄膜电子元件的蒸镀技术和采用的多级蒸镀装置概况。 真空抽气装置 在分子运动服从麦克斯韦分布定律的前提下,碰撞于蒸镀膜的分子数N为: /厘米2·秒·乇 式中; P:压强(…     

真空蒸镀聚乙烯醇薄膜

采用真空蒸发沉积(蒸镀)聚乙烯醇薄膜,通过SEM和光学显微镜观察聚乙烯醇薄膜呈现典型的岛状形式并均匀分布于衬底表面,且以梯田状台阶式长大.衬底温度是影响PVA薄膜沉积速度的主要因素.红外光谱分析表明其蒸镀薄膜的主要化学结构特点是羰基代替了部分羟基.     

金属蒸镀膜的附着力测定

1.前言 对于蒸镀膜在基板上的附着强度和把该膜从基板上剥离下来时的破坏过程的研究,在考虑蒸镀膜应用技术及其膜的持久性时是重要的。并且,做为蒸镀膜的物性研究也是很有兴趣的问题。 在这里通过真空蒸镀法就测定玻璃基板上蒸镀金属(银、铜、铝)的附着力、膜厚度的依存性以及基板温度的依存性的结果进行报告。 2.试验材料的制作 附着力测定时所用材料(银、铜、铝)的蒸镀是采用扩散泵排气系统进行排气的真空室。试验材料的纯度用99.999～99.99%在锦蒸发器中进行加热,其蒸发速度为2～4A/s。蒸镀过程中的真空度为4 × 10-3帕。基板采用 26 ×…     

镀膜技术讲座 第一讲 真空镀膜设备

真空镀膜是近年来发展十分迅速的一门技术。真空镀膜的应用范围越来越广泛,已渗透到国民经济的许多领域中。利用镀膜技术可得到各种精制的产品,如微电子电路,各种光学元件,塑料、纸张、纺织品上蒸镀金属,门窗玻璃及铁板镀层,耐磨工具或机械元件等。镀件有大有小,大的如天文望远镜的反射镜直径达几米,小的如钮扣只有几毫米。蒸镀速度也很快,已实现了每周完成数千平方米或每个循环数千个元件的沉积任务。这些迹象表明,不久的将来镀膜技术还要有更大的发展。     

多功能的新型软包装材料——SIOx蒸镀薄膜

一、技术现状 硅蒸镀薄膜是利用一氧化硅(Siliconmonoxide)在真空中蒸镀形成的微米级薄膜。由于一氧化硅很不稳定,它很容易氧化成为二氧化硅,所以在分子式中常记为SiOx,其中x值在1-2之间。从原理上说,可用来真空镀膜的蒸发技术都可用来形成硅蒸镀膜,但不同的方法对蒸发源材料的组成有不同的要求,得到的膜组成也不同。除了利用通常的电阻加热或高频感应加热在真空室中可以蒸镀SiOx薄膜外,也可以用电子束(EB)和低温等离子体     

真空蒸镀装饰膜工业化生产中的若干问题

真空蒸发镀膜是装饰膜生产的常用工艺。结合生产实践,对真空蒸镀装饰膜工业化生产中生产设备的选用及关建工艺进行了分析,对装饰膜规模化生产中的一些管理经验作了简单介绍。     

“仿金镜”真空镀膜

我们在北京仪器厂生产的DMW——900制镜镀膜机上开发了“仿金镜”。仿金镜镀膜材料是我们自己制备的。制镜镀膜是我们在北仪产的DMW——900制镜机上进行的,它和一般真空蒸镀铝镜的工艺基本相同。为保障仿金镜的镀膜质量,我们注意以下几个方面的控制: 1.膜厚用定量蒸发法粗略控制,1500～3000(?)为宜,每次蒸镀,放材料量要适当,尽可能全部蒸发完,不留余料。     

确定真空蒸镀起始压强的方法

真空蒸镀时镀膜室内的环境压强如何选择才合适，这是获得优良薄膜的重要前提。本文简要论述压强Ｐｒ与工件相对蒸发源距离Ｌ间的关系，从而确定蒸发镀膜时所需的起始压强大小。     

镀膜装置蒸发源发射形态与膜厚分布

蒸发源是真空镀膜装置中一个非常重要的部件。在多个蒸发源共存的装置中,如何在设计中正确选择蒸发源与蒸发源、蒸发源与基片之间的距离就显得尤为重要,它直接关系到基板涂层均匀性。本篇文章根据蒸发源与基片之间的物理联系入手,分析基片--蒸发源距离对基片涂层均匀性的影响,进而对蒸发源与蒸发源、蒸发源与基片之间距离的确定,提出了自己的一些观点和看法。     

科技简报

科技简报表面处理中的离子镀技术随着科学技术特别是尖端技术的发展，对镀膜提出了更高的要求，以往的镀膜技术，如电镀、化学镀、喷镀、刷镀难以满足生产。电镀虽然应用广泛，但粘着性与均匀性显得不够，不能镀难熔金局及各种化合物膜，污染问题难以彻底克服。真空蒸发镀...     

离子气相沉积铝

离子气相沉积(IVD)和通常的真空镀膜是相同的,其共同点是使金属蒸发,让它凝在待镀另件的表面。铝离子气相沉积在精致件上镀装饰铝,其镀层较厚,较致密,并有较大的附着力。这种镀是在镀件和蒸发源之间,加以高的负电位而获得的。把惰性气体