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半导体高温压力传感器的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍多晶硅压力传感器,由于采用二氧化硅介质膜作应变电阻之间的隔离,因而提高了传感器的工作温度。实验表明,该类传感器具有灵敏度高,精度高、温度特性好、工作温限高等特点。 相似文献
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灵敏度和非线性是表征硅压阻式压力传感器性能的两个最重要参数,这是压力传感器的设计目标.最初出现的硅压阻式压力传感器都采用圆形均厚膜设计,但由于膜片本身 相似文献
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对圆形膜片,正方形膜片及矩坟力传感器的灵敏度进行了详细剖析,计算并列出大量数据,指出影响压力传感器灵敏度的因素及提高器件灵敏度的有效途径,给出部分实验数据与理论分析符合较好,本分析对开发设计新型高灵敏度的压力传感器有一定指导意义。 相似文献
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硅压阻式压力传感器的温度补偿 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了硅压阻式压力传感器的温度误差来源,给出了通过长时间实验的温度与传感器输出电阻的数据,提出了对此类传感器温度误差的测量和修正方法,从而保证此类传感器在大温度范围内得到高精度使用。 相似文献
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<正> 压阻式绝对压力传感器是利用单晶硅的压阻效应,在周边固支的圆型膜片上采用半导体平面工艺,在晶片特定的方向和位置上制成电阻并组成全桥电路,最后通过静电封接技术形成真空腔制成。 相似文献
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为了提高硅压阻式压力传感器温度性能指标,并实现快速补偿,通过以ADμC816微处理器为核心设计了智能压力传感器,提出了传感器在宽温区下测量误差的自动补偿办法,通过对IC sensor系列压力传感器的应用,使其温度性能提高了1~2个数量级。 相似文献
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压阻式压力传感器的在线综合补偿 总被引:6,自引:0,他引:6
利用曲面拟合法来建立被测目标参量与传感器输出量之间的对应关系,借助二维标定/校准实验,按最小二乘法原理由实验标定/校准数据计算出均方误差最小时的回归方程中的系数。这样,当测得了传感器的输出值时,就可由已知系数的多维回归方程来计算相应的输入被测目标参数。该算法应用于压阻式压力传感器,在进行温度补偿的同时也进行了非线性校正,使传感器的读数准确度达到0.05%,同时利用传感器自身的RS232接口对其进行在线补偿和校正。 相似文献
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提出了一种环保、高效、低成本的传感器制作方法.应用等离子体射流喷枪沉积ZnO半导体材料,其中等离子体射流喷枪的气源为N2,电源采用输出频率为20 kHz的高频高压电源.使用Zn(NO3)2的水溶液作为前驱物,经过雾化装置形成气溶胶,气溶胶在等离子体的氛围中成功在衬底上沉积出一层ZnO半导体材料,通过XRD、SEM、UV-Vis等对其进行表征分析.并对基于该方法制备的ZnO湿度传感器性能进行表征.ZnO沉积时间为5 min时的灵敏度最高,低湿和高湿下分别为0.435 pF/% RH和19.634 pF/% RH,同时该样品的迟滞、响应时间与恢复时间亦是最优. 相似文献
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本文提出了一种新型的光纤电流互感器结构,从理论和实验结果上证明了该互感器能有效地抑制了温度等环境变化所产生的干扰。与晶体构建的光纤电流互感器相比,这种电流互感器动态范围大、灵敏度高、插入损耗小、信噪比高。 相似文献
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