YIG石榴石磁光薄膜材料的最新进展

介绍了YIG磁光薄膜材料的研究发展趋势以及薄膜材料的制备方法,指出薄膜制备方法对薄膜的性能有很大的影响。且Ce∶YIG磁光薄膜的研究代表了此类薄膜的研究方向。     

掺Rb纳米晶DyIG磁光薄膜研究

用热分解法制备的Bi，Al替DyIG磁光薄膜虽然是纳米晶，但由于其晶界分布不均匀、晶粒较大且均匀性差，当用于磁光记录时，晶界将产生较大的噪音。而掺Rb的Bi，Al替DyIG磁光薄膜不仅可以降低晶化温度，而且晶粒明显细化，最大晶粒尺寸从100nm下降到50nm左右，平均晶粒尺寸下降为30nm左右。并且晶粒的均匀性明显改善，掺入的Rb以Rb2O固溶体的形式存在于磁光薄膜表面，填补了薄膜表面的凹凸不平，使薄膜表面反射率增加，信噪比增大。因此掺Rb可使纳米晶Bi，Al替DyIG磁光薄膜的性能大大提高。     

用于光通信的新型磁光Bragg器件的优化分析

采用变分法研究了横向不均匀偏置磁场作用下掺Bi的YIG薄膜中微波静磁波对导波光的Bragg衍射效率,理论计算得到的衍射效率曲线与实验结果基本一致.计算表明,采用适当的不均匀偏置磁场、在一定范围内增大激发电流以及优化波导结构等方法可有效提高磁光Bragg器件的衍射性能;减小Bi:YIG薄膜厚度也可提高导波光衍射效率,但磁光带宽有所减小.     

Ce:YIG薄膜中氧空位对光吸收性能的影响

讨论了Ce替代石榴石薄膜制备条件对其光吸收性能的影响.通过引入氧空位概念,提出了溅射气氛中的氧含量对薄膜中Ce元素价态影响的理论模型.基于该模型,讨论了Ce：YIG晶体中氧空位的产生机理.研究表明,当晶格中存在过量氧空位时,会导致部分Fe^3＋被还原成Fe^2＋,使得薄膜的光吸收显著增大.实验结果证实,在Ce：YIG薄膜的晶化过程中,采用富氧气氛可以使得薄膜中Ce元素的价态以Ce^3＋离子为主而Ce^4＋离子含量较少,从而有效降低薄膜的光吸收.溅射气氛中的氧含量及后续热处理过程中氧含量的大小均会直接影响Ce：YIG薄膜的光吸收特性.     

集成磁光布拉格池调制器

加州大学电气计算机工程系和表面科学研究所的ChehWang等人已发展一种在锥形钇铁石榴石－铁嫁石榴石（YIG－GGG）波导衬底中含有一对弯曲混合型透镜的集成磁光布拉格池调制器。这种弯曲混合型成对透镜在大大减少慧差情况下提供了近衍射极限焦斑尺寸和相对较大的角视场（见图）。取焦衍射极限光束通过改变静磁前向体积波（MSFVW）的载波频率而扫描。通过同时应用多个微波频率进行射频频谱分析。锥形波导结构证明能满足大磁光布拉格带宽以及良好透镜性能的要求。用尺寸为6．OX16mm‘的掺钛YIG－GGG锥形波导结构制作的集成磁光布拉格…     

现代磁光薄膜

本文重点叙述了目前常规使用的以非晶态稀土－过渡金属合金基础的磁光存储材料及介质的研究和发展方向，同时对有希望用于磁光记录的另两类新材料－氧化物和多层金属薄膜的化点及存在问题进行了探讨。     

纳米晶巨磁光BiAlDyIG薄膜的磁光性能研究

基于对ＢｉＡｌＤｙＩＧ巨磁光材料的紫蓝光波段法拉第角频谱分析，采用新型热分解法工艺合成优质ＢｉＡｌＤｙＩＧ磁光薄膜，经快速循环晶化处理的结果表明，由于晶粒细化，其平均有效法拉第角比常规热处理后的样品大０．５°左右，且随循环数增加而增大。同时由于Ａｌ３＋在四面体和八面体位的取代，导致居里温度下降（１４０～１６０℃），这些结果对提高磁光盘信噪比以及增大记录密度是极有意义的     

面向高功率激光隔离器的磁光材料（特邀）

磁光材料作为激光隔离器中的核心部分，在激光系统尤其是高功率激光器中起到确保激光单向传输、保护种子源及前端系统、稳定激光输出的重要作用。介绍了目前近红外波段高功率隔离器中磁光材料的国内外研究现状，阐述了磁光材料在高功率条件下的关键磁光特性及其对器件性能的影响。对比了常用的TGG单晶、铽玻璃与数种新型高功率磁光材料如TSAG单晶、TAG陶瓷和TGG陶瓷的高功率性能，重点讨论了掺杂离子和制备工艺对TAG陶瓷高功率磁光性能、热光性能的影响以及最近TAG陶瓷研究的新进展，及其重要应用需求，探讨了仍处于起步阶段的3~5 μm“大气窗口”中红外波段磁光材料的发展方向及前景。     

非晶态TbFeCo磁光膜的HREM研究

磁光介质的性质与其微观结构有密切的关系,H.J.leamy等曾研究过RE-TM非晶态材料的柱状微结构[1]。但未涉及Tb Fe Co膜,且所采用的复型技术显得不适用。在与磁光介质性能劣化相联系的实用化上,Tetsuo Zijima等研究过RE-TM膜的稳定性,其着重点限于氧的扩散和Co在Tb Fe Co膜中的作用,未对晶化引起劣化给予仔细的研究[2]。本文对磁控溅射Tb Fe Co磁光膜的老化及晶化引起的微结构变化进行了HREM研究。由XMA测得该膜的成分为Fe36.5Co48.8Tb14.7(WT％)     

超磁致伸缩薄膜性能测试系统研究

针对超磁致伸缩薄膜制备过程中所关心的性能测试问题,提出了利用外加磁场引起薄膜变形,运用微位移传感器测试薄膜变形的新方法,以此为基础,建立了超磁致伸缩薄膜性能测试系统,并通过本系统测试比较了不同条件下制备的Tbo.27 Dy0.73 Fe2 薄膜的磁性能.结果表明,在制备磁致伸缩薄膜材料过程中施加一个平行于薄膜长度方向的磁场,可得到更好的磁致伸缩性能.     

退火温度对Cr-Si压阻薄膜电性能的影响

采用射频磁控溅射法在氧化铝陶瓷基底上制备了Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜,研究了不同退火温度对薄膜电性能的影响.结果表明:在溅射态及退火温度低于600℃时,薄膜为非晶态.随着退火温度的升高,薄膜的电阻温度系数(TCR)逐渐增大,应变因子(GF)先增大后减小,室温电阻率(ρ)则逐渐降低.在退火温度为300℃时,Cr-Si...     

退火温度对WO_3薄膜结构及气敏性能的影响

采用直流磁控溅射法制备了WO3薄膜,并在350~550℃时对薄膜进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构及气敏性能的影响。结果表明:退火前及350℃退火后的薄膜为非晶态,450℃和550℃退火后的薄膜为WO3–x型晶态;随退火温度的提高,薄膜厚度增加,晶粒度增大。550℃退火后薄膜的厚度,较450℃退火后薄膜厚30nm,晶粒度相差8nm;450℃和550℃退火后的薄膜,在150℃时对体积分数为0.05%的NO2的灵敏度接近于22。     

退火温度对SnF2掺杂SnO2薄膜性能的影响

利用电子束蒸镀技术在石英玻璃上沉积SnF2掺杂SnO2(FTO)薄膜.研究了不同退火温度对FTO薄膜结构和光电性能的影响.研究结果表明:升高退火温度可促进FTO薄膜中晶粒逐渐变大,结晶度变好,同时薄膜在可见光范围内的透射率随着退火温度升高逐渐增加,吸收边发生蓝移,禁带宽度显著变宽,这是由于载流子浓度增加导致的Moss-Burstein效应.升高温度时,薄膜电学性能随着退火温度升高有了很大改善,700℃退火处理后得到电阻率低至2.74×101 Ω·cm、载流子浓度为2.09×1020 cm-3、迁移率为9.93 cm2·V 1·s 1的FTO薄膜.     

Fabrication of CNTs/Cu composite thin films for interconnects application

Carbon nanotubes/copper (CNTs/Cu) composite thin films were fabricated by combined electrophoresis and electroplating techniques. Electrical properties and structure of both CNTs/Cu thin films and the reference pure Cu thin films were investigated after annealing at different temperatures. The sheet electrical resistance of CNTs/Cu films decreases faster than that of pure Cu films with increase of annealing temperature. The grain size of CNTs/Cu film becomes much larger than that of pure Cu film at the same annealing temperature. The peak relative intensity of Cu (1 1 1) plane in CNTs/Cu film was stronger than that of pure Cu film. CNTs/Cu composite thin films, with better electrical properties than that of conventional pure Cu thin films, have been fabricated by electrophoresis and electroplating deposition techniques.     

退火温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响

为了获得光电性能好的ZnS窗口层薄膜,采用电子束蒸发法在玻璃基片上沉积ZnS薄膜,研究退火温度(200~500℃)对ZnS薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:所制备的薄膜均为闪锌矿结构的β-ZnS多晶薄膜,导电类型为n型。随着退火温度的增高,薄膜结晶度和光电性能都变好。但是,当退火温度过高(500℃)时,薄膜的半导体特性反而变差。退火温度为400℃时,ZnS薄膜的性能最佳,此时薄膜的透过率较高;电阻率较低,为246.2?.cm。     

Correlation between the surface morphology and structure and the photoluminescence of amorphous PbTiO3 thin films obtained by the chemical route

A polymeric precursor method was used to synthesis PbTiO₃ amorphous thin film processed at low temperature. The luminescence spectra of PbTiO₃ amorphous thin films at room temperature revealed an intense single‐emission band in the visible region. The visible emission band was found to be dependent on the thermal treatment history. Photoluminescence properties versus different annealing temperatures were investigated. The experimental results (XRD, AFM, PL) indicate that the nature of photoluminescence (PL) must be related to the disordered structure of PbTiO₃ amorphous thin films. Copyright © 2000 John Wiley & Sons, Ltd.     

直流磁控溅射制备非晶硅薄膜的研究

非晶硅薄膜（a-Si）是目前重要的光敏材料,在很多领域得到广泛应用。直流磁控溅射具有工艺简单．沉积温度低等优点,是制备薄膜的一种重要技术。采用直流磁控溅射工艺在玻璃基板上沉积薄膜,并对样品进行了退火处理。研究了沉积速率与溅射功率的关系。结果表明薄膜的沉积速率与溅射功率近似有线性关系。利用X射线衍射（XRD）对薄膜进行了分析鉴定,结果表明溅射的薄膜是非晶硅薄膜。利用扫描电子显微镜（SEM）对非晶硅薄膜的表面形貌进行了观察和分析,与X射线衍射测试的结果一致。所以．利用直流磁控溅射工艺能在常温下能快速制备出良好的非晶硅薄膜。     

非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性

报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术,探讨了镍诱导晶化机理．详细调查了诱导晶化时间和温度对晶化速率的影响,并用Raman、AFM和TEM等测试了材料的特性．实验结果发现用该方法可以获得较大晶粒的多晶;在晶化温度为625℃左右时晶体横向晶化速率最高．如要获得较长的晶体,低温退火则比较有利．