金属Micro/Meso结构器件制造技术

具有特定功能或满足特定需要的复杂形状金属micro/meso结构器件的加工,是非硅基MEMS制造和微细加工领域的一项重要内容。论述了制造金属micro/meso结构器件的几种常用加工技术(精密机械加工技术、LIGA和LIGA-like技术、微细电火花加工技术、微细电解加工技术和选择性电沉积技术等)及其工艺进展,并分析了它们的优缺点。     

1～1.5微米时代的多层布线技术

随着超LSI时代的到来,器件尺寸正在逐年地向微细化发展,可以认为,对于下一代有代表性的器件1MRAM来说,1～1.5μm的微细加工技术肯定是必不可少的。对于这种高水平的超LSI器件,既要实现高集成化,同时又要高速化,而且成品率又不能降低,故对布线要求也就更加严格,为了满足这些要求,有必要确定一种新的多层布线技术。     

微细电火花加工MEMS器件技术关键分析

微细电火花加工作为一种低成本、高材料选择度的柔性非接触式加工技术,在微加工中具有独特的工艺优势。本文研究分析了利用微细电火花加工技术制造MEMS微结构、微器件的技术关键及其解决思路。     

刻蚀技术的进展

1.前言 刻蚀技术是这样一种工艺,即在硅片之类的基板表面涂敷感光膜或者光致抗蚀剂,在其上面复制微细图形,并通过显影处理残留适应图形微细形状的光致抗蚀剂。把这种光致抗蚀图作为保护层,实施基板表面的蚀刻和有选择添加杂质等的加工工序,利用这种技术能制作微细器件和电路。因此,刻蚀技术是决定集成电路微细尺寸首要的基础技术。     

亚微米电子束制版工艺技术应用研究

文章简述了国外电子束曝光技术发展概况;着重介绍了为发展微细加工技术,以适应我所研制各种新型器件要求而进行的“亚微米电子束制版工艺技术应用研究”工作;给出了与选择最佳工艺条件有关的一些实验数据、曲线,最佳工艺条件及其应用效果。     

深亚微米集成电路工艺中铜金属互联技术

本文介绍了铜互联技术在深亚微米半导体工艺中的应用,重点介绍了铜金属互联技术中的关键工艺,包括在器件中采用铜金属互联线以降低互联延迟,大马士革（Damascene）结构微细加工工艺,物理汽相淀积（PVD）技术制备铜扩散阻挡层（Barrier）和铜子晶层（Cu-seed）,铜金属层化学电镀技术（Electroplating）,对铜金属互联工艺集成方面的要点也作了一些探讨。     

激光微细加工展望

<正> 在电子学领域,将激光微细加工作为新的器件制造技术正在不断发展之中。在IC、LSI制造工艺中,对薄膜形成、光刻、腐蚀等不可缺少的工艺技术如果采用激光微细加工的话,有那些优点呢?从这种观点出发,对目前实际状况加以分析,笔者想就适用于超微细加工的激光加工技术加以介绍,以供有关人员参考。     

移相掩模技术及其发展前景

移相掩模技术的出现和在高密度微电子器件研制中的成功应用,是近几年来光学微细加工技术发展的最主要成果。本文在具体介绍移相掩模基本原理、结构工艺改进以及最新应用成果的基础上,展望了光学微细加工技术的发展前景。并指出,在大力研制高性能实用步进曝光设备的同时,重点研究移相掩模或移相光刻技术,已成为迅速改变我国光学微细加工技术落后面貌的必由之路。     

多孔硅微细加工及其在微型传感器中的应用（一）

我们正面临着一场新的技术革命,微细加工和微型器件就是这场革命的主题。随着微细加工技术的飞速进步和微型器件的大量涌现,国民经济和科技研究的各部门都在发生深刻变化。根据这种迅猛发展的势头,人们有理由预言,微细加工和微型器件在今后几十年内改变世界面貌,就像微电子技术在前几十年内改变世界面貌那样巨大。 所谓微细加工就是用硅作材料或在硅片上制造各种微型的机械零部件,因此硅的加工技术和集成电路制造技术是微细加工产生和发展的基础。用微细加工制造的微结构种类很多,最常见的有梁、膜、沟槽、喷嘴、腔体、     

国外点滴

国外点滴继激光器和发光二极管之后的第三种半导体光源日本ＮＴＴ公司已实现用半导体三维微波空腔谐振器对自然放射光施加控制的新型发光器件。这种发光器件使用半导体结晶成长和微细加工技术，在薄薄的发光层两侧加上多层结构反射镜，构成与光波波长相匹配的谐振器。借助...     

光学光刻在军事微电子器件制造中的作用和地位

<正> 光学微细加工技术或称光学技术,是促成集成电路微电子器件的诞生与不断进步的主要微细加工手段。无论是过去还是现在,国外始终都对光学光刻技术设备的发展寄予极大希望与重视,而且在当前通用和军用微电子器件研制、生产中,光学光刻也一直起     

三维电路器件与图象传感器

一、引言以微细加工技术进步为中心发展起来的超大规模集成电路(VLSI)的最小加工尺寸进入了亚微米领域,人们逐渐认为其高集成度似乎将达到极限.为了突破这一极限,对器件结构的三维化进行了尝试,这种三维结构器件是在传统的平面进行加工,增加诸如以沟道为基础的各种分离和存储器单元,或者堆积型结构存储器单元等.三维电路器件进一步发展了这种想法,在传统属于单层的IC层上夹入绝缘层,使之多层层叠化,就是企图借助迅速提高集成度或功能复合化之类的方法来实现新功能器件.而且,     

半导体工艺用化学药品

近年来,半导体工业在微细加工技术方面取得了令人震惊的进步,集成电路每块芯片上的元件数也正在急剧地增加着。针对微细的LSI制造工艺这种迅速进步的情况,有关的外围行业生产也需要有相应的发展,化学药品当然也不例外。LSI制造工艺中使用的药品,包括有机药品和无机药品,种类相当繁多。随着器件的高密度化,不仅要求尽量减少药品中可能引起器件劣化的金属杂质,而且对于大大影响产品成品率等的微粒(尘埃),最     

采用铝等离子CVD方法的多层布线技术

LSI技术的进步和发展是惊人的,现虽已进入了VLSI时代,但其发展趋势仍在持续。作为维持这种倾向的先导当然是制造工艺技术的革新。我们认为,图形的微细化、工艺的精密化等,今后将更加切实地向前发展。一方面,随着微细加工技术的进步,器件将更微细化,因而LSI芯片的大部分面积却被布线占据了。在有限的面积内,为了进一步提高集成度,提高密度,就必须采用多层布线技术。于是,多层布线技术在今后的工艺技术中将是最重要的课题。     

纳米机械光学

采用微机械加工技术,可以制作各种各样的小型探测器和高度集成化的微系统.微机械加工的特点是可采用比用半导体微细加工技术的精密加工自由度还高的加工工艺,制作立体的微型结构.此外,还有可制作机械性能更加灵活的结构和可批量生产等优点.通过将各种探测器和致动器集成化,可构成复杂的微系统.针对小型化、高集成化和高精度化的要求,加工精度及器件的尺寸等已经开始向纳米级方向发展.随着从微米级向纳米级尺寸的变化,在光学领域也正在展开定域的近场光学器件的研究.这并不是说一味地缩小器件就是好事,问题是经过缩小的器件的性能要得到提高,或者赋与器件新的功     

水射流技术在集成电路制造工艺中的应用

半导体器件制造过程中通常采用锯片来切割芯片和封装元件.锯片一般只能切割直线轮廓,对于曲线轮廓或复合层材料,锯片切割会遇到很大的问题.水射流技术作为一种新的加工工艺,被成功引入到半导体制造行业.通过对半导体加工工艺的分析,介绍了水射流切割技术在半导体制造工艺中的应用.研究表明,水射流切割作为一种冷切割工艺,其显著特点是被加工工件没有热影响区,因此加工的半导体器件的机械强度大大提高,而且水射流切割既可以切割直线轮廓,也可以切割曲线轮廓或沟槽.另一方面,由于无切向力存在,器件定位容易,加工轮廓精度高,切割速度快,且对加工材料没有选择性.因此,采用微细水射流切割技术,可以极大地提高半导体器件的产量、质量和可靠性.     

微细加工技术在光无源器件中的应用

本文简要介绍了光纤通信领域中所应用的平面型光无源器件。论述了采用微细加工技术制作平面型光无源器件的核心—平面光波导,以及国外对平面型光无源器件的研制情况。从而可以看到微细加工技术在平面型光无源器件领域中的应用前景。     

有关微细加工的几个问题

随着微波集成电路、声表面波器件、超导电子元件等固体器件的发展,特别是大规模集成电路、超大规模集成电路的发展,微细加工技术成了世界上发达国家发展微电子技术的重中之重,我国也将其列为重点攻关项目之一。化学气相沉积、热扩散掺杂、光学系统曝光、湿法刻蚀战功地解决了2～3微米以上线宽图形的制作,称为第一代微细加工技术。以真     

东芝公司应用新的器件隔离技术试制1M位动态RAM 东芝公司由于采用了1.2μm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的1M位动态随机存取存贮器。 为了在与原来相同大小的总片上集成1M位的动态RAM,则要求:(1)最小设计

东芝公司由于采用了1.2/zm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的lM位动态随机存取存贮器。 为了在与原来拥吲大小的总片上集成1M位的动态RAM,则要求: (1)最小设计线宽为1～1.5#m的微细加工技术, (2)相邻元件之间能良好绝缘、隔离的器件隔离技术, (3)能够存贮仅能抗软误差电荷的电容器结构等新的器件、电路设计和制造技术。 公司为了满足上述要求,首先就采用了高性能的反应离子腐蚀工艺等,以形成线宽1.2/zm的微细加工技术,采用在硅基片上形成隔离槽的技术,此隔离槽用于元件…     

双面PSD器件的工艺研究

双面PSD器件具有很高的灵敏度、良好的瞬态响应特性、紧密的结构以及简单的处理电路等优点。介绍了PSD器件的制作技术。重点介绍了利用微细加工技术进行双面两侧分流电极型PSD的制作,解决了双面对准光刻技术的工艺难题,为双面高精度PSD器件的制作提供了一条工艺技术途径。