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本文介绍了二级透镜亚微米聚焦离子束系统中的合轴技术和聚焦检测技术,包括合轴的调整及其检测技术的原理和具体方法、离子束聚焦状态的跟踪检测技术,利用此技术可以快速准确地获得微细离子束。 相似文献
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综述了聚焦离子束系统的结构和基本原理,介绍了国产化聚焦离子束系统的结构与特点。基于国产化聚焦离子束系统进行了硅材料刻蚀实验,研究了硅材料刻蚀速率与离子束流大小的关系,建立了刻蚀速率与束流大小的关系方程,进行了硅悬梁微结构刻蚀加工。结果表明,国产聚焦离子束系统可满足硅微悬梁结构加工的应用需要。 相似文献
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高性能聚焦离子束系统(简称FIB)具有许多独特且重要的功能,已广泛地应用于半导体工业中。近年来,FIB在材料科学研究领域也有了广泛的应用。本文主要介绍利用FIB快速制备TEM样品的方法。实验设备为日本精工公司生产的型号为Seiko SM12200的聚焦离子束系统。 相似文献
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介绍了应用于亚微米微细加工的2级透镜聚焦离子束系统,从象差和散焦的角度利用理论分析和模拟计算,研究了决定光学系统性能的离子源、离子引出极、预聚焦极、聚焦极等高压电源的稳定度对离子束径的影响,得到了束径小于0.2μm时电源必须达到的稳定度(纹波系数小于10-5),最后提及了所研制的高稳定度高压电源。 相似文献
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聚焦离子束(FIB)因其制样成功率和效率高,可定点精确制样等特点已经成为半导体失效分析领域重要的透射电子显微镜(TEM)制样方法。利用双束FIB系统针对TEM样品制备条件对样品形貌的影响进行了分析和研究。通过控制变量法等方法分析了FIB的电子束或离子束等制样条件可能对样品带来的损伤。通过实验发现,FIB的离子束能量对TEM样品热损伤影响较小,电子束的电压和电流是引起样品损伤的主要因素。实验证明,在电子束辅助沉积保护层时适当降低电子束的电压和电流,可有效改善样品的微观形貌。 相似文献
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本文简要介绍了离子注入和器件的关系,概述了离子注入机的发展现状和趋势,初步探讨了我国离子注入机不能形成产业的原因。 相似文献
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薄膜加工用考夫曼离子源的几个问题 总被引:1,自引:0,他引:1
近十年来,我国采用离子束刻蚀进行微细加工以及离子束辅助镀膜在电子和光学工业中获得了广泛应用。采用离子束增强镀膜制造超导膜、贮氢合金膜以及离子束注入表面改性等都得到了广泛的研究及应用。在这些先进的工艺中基本上都使用了考夫曼离子源,考夫曼离子源是在空间电推进技术基础上发展起来的,由于要用于空间推进,它必然要具备低气耗、低能耗、高效率、高稳定、长寿命等优点,此外它必须能产生大面积、均匀、强流的离子束。 相似文献
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定向离子清洗对基片表面性质的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
为提高高功率激光薄膜的抗激光损伤能力,研究了定向离子清洗对玻璃基片表面性质的影响。用End-Hall型离子源在不同清洗参数下对K9玻璃基片进行了清洗,用光学显微镜验证了基片的二次污染和离子的清洗效果,用静滴接触角仪测量了基片在离子清洗前后对水滴的接触角,用原子力显微镜和轮廓仪分别观测了不同参数的离子清洗前后的基片表面形貌和粗糙度,分析了基片清洗后表面性质如清洁、表面能、接触角、表面粗糙度、表面形貌的变化机理。研究表明定向离子清洗可有效去除二次污染、增加基片表面能、控制基片表面粗糙度和表面形貌,是一种有效改善基片表面性质的处理方法。 相似文献
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主要介绍几种离子化制备薄膜的方法,其目的是评述用于制备低损耗光学涂层的低能反应工艺和等离子体工艺的优劣。 相似文献
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本文利用电解液电反射方法研究了离子注入HgCdTe的损伤特性,得出了材料的E1能量值,同时探讨了热退火下离子注入引起的损伤变化关系。 相似文献
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用于材料改性的宽束离子源现状及其发展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求,重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源,也介绍了RF、ECR离子源及MEVVA源。 相似文献