关于阀控密封铅蓄电池容量与电导的相关性

阀控密封铅蓄电池荷电态在50％以上时，其内阻(或电导)是看不出什么变化的。只是荷电态在50％以下时，铅蓄电池的内阻才逐渐增大。若将荷电态在0至100％的全部铅蓄电池都统计进去，其容量与电导才有线性相关关系。然而对荷电态大于80％的在线使用的铅蓄电池而言，却不存在上述关系。因而不能用铅蓄电池的电导值去推断在线使用的铅电池的荷电态或健康状态。     

密封铅蓄电池阻抗参数与荷电态

蓄电池的交流阻抗特性远比理想的单电极要复杂，不同类型的蓄电池的阻抗参数差别很大，其中有些参数有可能用于指示蓄电池的荷电态。密封铅蓄电池的荷电态在50%以上时，电池内阻几乎没有变化，但其电化学反应内阻与双层电容之积，却对荷电态很敏感。     

氢对硅中4d过渡杂质的钝化

本文研究了氢原子与Ｓｉ中４ｄ过渡杂（Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｍｏ）引入深入中心的相互作用，得到了Ｓｉ中这些深中心被钝化的难易程度。从钝化角度支持了Ｓｉ：Ｐｄ与Ｓｉ：Ｒｈ中有关能级属于同一中心、不同荷电态的判断，同时提出了Ｓｉ：Ｍｏ中Ｅ（０．５３）和Ｈ（０．１６）两个能级属于同一中心、不同荷电态的证据，通过氢对已知同一中心、不同荷电态两个能级的相互作用，对氢的钝化机理作了初步探讨。     

Cd-Ni电池组并联充电的研究

电池组的失效通常是由组内个别电池性能下降引起的,并与充电方法有较密切的关系.用恒流并联充电法对CA-Ni电池组充电并对充放电过程进行研究,结果表明:并联充电过程中各支路电池的充电电流是按电池的荷电态来分配的,荷电态高的电池分配的电流小,荷电态低的电池分配的电流大,随着充电的进行,各支路电流的差值经过一定的波动逐渐减小,最终电流趋于一致,完成充电过程.并联充电使各支路电池充电结束时电池的荷电态差值减小,提高了电池的均匀性,延长了电池组的循环寿命.     

阀控密封铅蓄电池的开路电压变化规律

起动型铅蓄电池的开路电压跟荷电态之间存在线性关系,因而可以根据开路电压来推断电池的放电容量或荷电态。阀控密封铅蓄电池的开路电压跟电极表面附近液层中的电解液的密度有关,但它的放电容量不仅跟电池中参与电极反应的电解液的量以及活性物质的量有关,而且还深受反应粒子的扩散过程迟缓性的影响。因而不能直接用开路电压来推断阀控密封铅蓄电池的放电容量或荷电态。     

GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究

本文对３０ｋｅｖ Ｓｉ＾＋和分子离子ＳｉＦ＾＋注入半绝缘ＧａＡｓ的行为进行了研究对比。注入Ｓｉ＾２＋样品的Ｓｉ原子纵向分布与相同条件下用ＳＩＣＴ模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光９００℃１０″ＲＴＡ，电激活率可达６０％，电化学Ｃ－Ｖ测得的载流子纵向分布与注入态ＳＩＭＳ结果相同，可以获得近０．２μｍ的ＧａＡｓ有源层。而注入分子离子ＳｉＦ＾＋样品，虽注入层较浅，但灯光退火后，电激活率很低。因此，用     

放电激励产生单重态氧的实验研究

对射频放电产生单重态氧进行了实验研究,在不同掺杂物种、不同电极间距、不同稀释配比的情况下,研究了单重态氧相对产率的变化规律,分析了单位氧流量注入能量对单重态氧产率和电效率的影响。实验表明,NO和Hg蒸气的加入,使放电产生单重态氧的相对产率都有显著的提高。随着电极间距的缩小,可以实现高气压工作,放电总压可以达到22.6 kPa,氧气分压超过了4.0 kPa,产率方面也有大幅度提高。单位氧流量注入能量在150~400 J/mmol时,单重态氧产率比较高;电效率较高的区域对应的单位氧流量注入能量在150 J/mmol左右。     

离子注入在SiO_2中引入的陷阱中心

本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联合测量装置,研究了这类陷阱的荷电状态、有效密度、电子俘获截面及与注入离子的关系;利用陷阱电子解陷的热激电流技术,研究了As~+注入氧化层中陷阱的能级深度.     

介观电感耦合电路的量子涨落

随着纳米技术和纳米电子学的飞速发展，在电子器件中，电路及器件小型化越来越强烈，近年来已达到原子尺度．当电子的输运尺度达到电子两次非弹性碰撞之间的尺度时，必须考虑器件和电路的量子效应．1973年，Louisell首先讨论了LC电路的量子效应并给出了在真空态下这一电路的量子噪声．最近，我们分别研究了在压缩真空态下介观LC电路和RLC电路中电荷、电流的量子涨落；由于真空态可视为其压缩参数为零的压缩真空态，因此研究介观电路在压缩真空态下电荷、电流的量子涨落将会更具有普遍性．本文首先讨论了由两个LC电路通过电感耦合而组成…     

GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究

本文对30keV Si~+和分子离子S_1F~+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si~+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60％,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF~+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF~+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si~+和SiF~+的退火行为进行了讨论。     

离子注入机的国内外现状

本文简要介绍了离子注入和器件的关系,概述了离子注入机的发展现状和趋势,初步探讨了我国离子注入机不能形成产业的原因。     

镓液态金属离子源的制备

镓液态金属离子源广泛应用于聚焦离子束技术 ,本文介绍了一种利用电子轰击的方法制备镓液态金属离子源的工艺和设备 ,测试了源的 I- V发射特性曲线 ,d I/ d V≈ 0 .0 5 ( μA/ V) ,进行了新旧工艺下电流发射稳定度的比较 ,最佳源发射稳定度大于 95 % ,寿命大于 1 0 0 0小时。     

国外离子注入机发展动态

本文概述了微电子器件对离子注入机的需求，介绍了国外离子注入机发展现状和发展趋势。     

用于材料改性的宽束离子源现状及其发展

本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。     

强流离子光学计算方法

强流离子光学与传统离子成像光学相比，最主要的区别是强流离子光学必须考虑空间电荷效应。本文讨论利用计算机辅助设计建立强流离子光学的差分计算方法，可直接绘出空间电位分布及离子运动轨迹。设计验证了几个实例，获得较好的结果。     

国内离子注入机发展概况

本文简要介绍我国离子注入机的发展概况。     

离子束刻蚀过程中光刻胶收缩行为研究

光刻胶作为离子束刻蚀的掩膜已得到了普遍采用，由于它在受到离子束轰击时会发热收缩、不利于刻蚀线条高宽比的提高，限制了它的进一步使用。在离子束的轰击下，光刻胶的收缩不仅与其发热程度有关，而且与刻蚀线条的宽度也有关，通过改变刻蚀时基片和旋转台之间的热接触状态发现，光刻胶发热越厉害，收缩量越大。而在光刻胶发热程度很小或者不发热时，收缩量极小，可以忽略不计。而在同一发热状态下，不同宽度线条的光刻胶收缩量也不一样，宽度越大，收缩量就越大，宽度越小，收缩量也越小。结果造成在不同宽度线条的接合处，线条边缘出现弯曲。     

动态离子束混合技术制备固体薄膜

本文简要介绍动态离子束混合技术制备薄膜的原理及其特点，通过形成膜的分析了解有关影响生成膜性质的若干因素。     

用Monte Carlo法模拟计算液态金属离子源的发射特性

本文运用Monte Carlo方法模拟计算液态金属离子源的发射特性.通过随机抽样确定离子发射的初始位置和速度,考虑离散的空间电荷效应,用四阶自动变步长Runge-Kutta方法计算离子的运动轨迹。为加速Poisson场收敛,本文用恒定的总束流进行每轮迭代,并提出以维持总发射束流恒定所需引出电压的变化作为衡量Poisson场收敛的判据。通过对大量离子的统计计算,获得了角电流强度、虚源的大小和位置、离子束能量散度和束斑大小等离子源的特性参量。     

离子束刻蚀深度检测技术的研究

将光学薄片用作敏感元件,利用激光干涉原理,将离子束刻蚀深度的信息转换为可测的激光干涉条纹的移动信息。这对微光学元件的离子束微细加工具有现实意义。对敏感元件与传感元件间的耦合进行了探讨,给出了振动误差的抑制措施。