球面离子注入均匀性的计算机模拟

<正> 近几年来,金属材料的真空处理技术飞速发展,从原来的真空热处理,发展到今天的真空镀膜和在金属中的离子注入技术。无论是金属表面的镀膜还是在金属中注入离子,均可改善金属材料的机械性能。     

高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟

本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＾＋或Ｎ＾＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＭＩ的物理效应及计算机模拟结果；分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构动态模拟程序。实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设。多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度。低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而     

离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟

本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的计算机模拟结果，分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动态模拟程序．实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设．多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度．低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而且可以降低注入剂量     

探讨DF－4离子注入机在生产实践中的离子速率分布函数和最概然速率

介绍了DF－4离子注入机的基本原理，从理论上推导出狭缝里吸出来的离子的速率分布函数和最概然速率，并结合工作实际讨论离子速率分布函数和最概然速率的变化对吸极电流、束流、质谱等的影响。     

电子束大面积辐照硅片温度分布的计算机模拟

本文对聚焦电子束大面积辐照(包括快速多次扫描)硅片的纵向温度分布进行了计算机数值模拟。作者运用表面热导关系计算了硅片底面的传导散热。模拟中还计入了电子在硅中的能量耗散分布、硅的热导率随温度的变化以及硅片两面的辐射散热等因素。模拟结果与实验都较好地符合。本文模拟结果特别指出:辐射时间达1毫秒或更长时,如果辐照功率密废达10~3瓦/厘米~2以上,硅片纵向温度分布并不均匀,温度差远远超过10℃。这一结果尚未见国内外文献报道。作者根据模拟结果作了一些推论。     

一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法

给出了一种简单而有效的碲镉汞(MCT)离子注入工艺模型,研究了应用该模型进行计算机模拟的数值方法,最后讨论了该模型中一些重要参数的确定方法。     

离子注入能量对深结扩散表面浓度的影响

采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用。文章主要探讨相同注入剂量,不同离子注入硼与磷的能量,对于深结扩散后表面浓度的影响,从而得到较理想的工艺注入能量,以便提升注入机设备效率及产品深结扩散后的浓度稳定性,并在深结扩散器件中得到有效的利用,取得较理想的效果。     

等离子体离子能量自动分析器的研制和应用

为了快速获得等离子体离子能量的分布规律 ,研制了一套等离子体离子能量自动分析器 .离子能量自动分析器由多极型探头和计算机控制的测量系统组成 .利用离子能量自动分析器在线测量了ECR等离子体中离子能量分布范围为 12～ 4 2eV ,不存在对被加工的半导体器件表面产生损伤的高能离子 ,从而ECR等离子体技术适合于在半导体器件加工中应用     

Si／SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布

本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法［１］，测量了ＭＯＳ结构Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的俘获截面，并利用这些结果将界面态的ＤＬＴＳ谱反演成界面态的能量分布．结果表明：界面态的电子俘获截面强烈地依赖于能量和温度，空穴俘获截面依赖于温度而与能量无明显相关，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态在Ｓｉ禁带下半部的是施主态，而在上半部的是受主态，用ＤＬＴＳ测量的界面态不呈Ｕ型分布，它与准静态Ｃ－Ｖ测量的结果完全不同．     

应用LED对光谱能量分布的仿真模拟

对特定光谱能量分布的仿真模拟是目前植物培养研究中的一种先进的试验手段。本文从理论上研究了采用发光二极管（LED）窄带光谱进行特定光谱的模拟方法．提出了LED模拟光谱能量分布的数学模型,给出了仿真模拟实例。     

国外离子注入机发展动态

本文概述了微电子器件对离子注入机的需求，介绍了国外离子注入机发展现状和发展趋势。     

离子注入机的计算机控制扫描系统

本文讨论了影响常规静电扫描系统的均匀性的因素,并提出一种离子注入机的计算机控制扫描系统。     

国内离子注入机发展概况

本文简要介绍我国离子注入机的发展概况。     

低能全元素离子注入机

本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到~(209)Bi;最低能量5keV的As~+、Se~+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3％;注入温度:室温～400℃可调。已制备出0.1μm以下的GaAs超薄有源层和硅超浅结。     

低能离子束在薄膜淀积中的应用

本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。     

离子注入模型

本文结合我们的科研工作,阐述了半导体器件工艺模拟中的离子注入模型,并指出,由于离子注入具有能精确控制工艺参数,并能在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层等特点,因此在工艺模拟中选用合适的离子注入模型对于提高工艺模拟的精确性是十分重要的。     

一台离子注入机的改进及其在BaTiO3陶瓷改性中的应用

本文介绍了武汉大学２００ｋｅＶ离子注入机的改进情况，用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源，使输出流强由几十微安提高到毫安级，离子种类由原来单电荷的气体离子扩展到多电荷离子和金属离子。用该机对半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷注入Ｃｕ离子，使材料的ＰＴＣＲ突跳幅度增加，室温电阻率提高，证实Ｃｕ（２＋）离子在ＰＴＣＲ材料晶界起着电子陷阱作用。     

离子注入机的国内外现状

本文简要介绍了离子注入和器件的关系,概述了离子注入机的发展现状和趋势,初步探讨了我国离子注入机不能形成产业的原因。     

LC-11型强流离子注入机剂量控制器

本文介绍了LG－11型强流离子注入机全机械扫描剂量控制器的工作原理，硬件结构和软件框图。     

全机械扫描强流离子注入机重复性研究

对影响全机械扫描强流离子注入机剂量重复性的因素进行了分析。对束流纹波的影响建立了数学模型，计算了束流纹波对剂量重复性的影响。结果表明只要束流纹波在9％以内，剂量重复性可控制在1％以下。