可变束流二级透镜聚焦离子束系统的设计

本文介绍了一种具有高速消隐和可变束流的二级透镜聚焦离子束（ＦＩＢ）系统的设计原理和方法。在这种新的二级透镜ＦＩＢ系统中，采用了束径束流的双工作模式和一种新的电可调无级可变束径束流方案，使二级系统既可用于需要大束流的ＴＯＦ─ＳＩＭＳ和刻蚀粗加工，又可用于需要小束径的高分辨扫描离子显微镜和刻蚀精加工以及ＦＩＢ暴光、变蚀等其它微细加工。设计中提出了逐级可测试性设计原则，解决了多级系统中对中调整和测试的困难。计算了透镜系统的离子光学性能和各种参数对束径束流的影响。最后对系统进行了初步的调试，束斑达到０．１μｍ，得到了预期的结果。     

电子束曝光机束斑的自动测控系统

根据亚微米电子束曝光机束斑直径、束流大小与各磁透镜电流之间的关系以及刀口法测试束斑的原理，设计了一套总线式的束斑自动测控系统。该系统以ＩＢＭ—ＰＣ／ＡＴ作为主控机，系统包括用于总线扩展的总线驱动板、电子束扫描控制板和束流信号数据采集板。     

稀布阵综合脉孔径雷达发射波束形成的实验结果

本文介绍了稀布阵综合脉冲孔径雷达（ＳＩＡＲ）的实验系统，简介了ＳＩＡＲ发射波束形成的基本原理，并给出了该雷达目前所取得的实测数据处理结果。该结果对ＳＩＡＲ系统给予了原理性验证。     

ISDN线路开通和维护测试

开通ＩＳＤＮ线路时，必须尽可能进行全面的测试。本文介绍了美国胜利电讯公司的ＩＳＤＮ测试仪Ｓｕｎｓｅｔ ＩＳＤＮ，该仪器集基本速率接口（ＢＲＩ）和基群速率接口（ＰＲＩ）测试于一体，可完成ＩＳＤＮ ＢＲＩ／ＰＲＩ线路形通、维护的各项测试。     

全球重要ERP厂商落户中国瑞典IFS公司北京办事处成立

ＩＦＳ中国分公司日前宣告成立,总办事处设在北京。ＩＦＳ中国分公司将推广、销售和实施基于元件的ＥＲＰ系统,即ＩＦＳ应用系统。ＩＦＳ公司的ＩＦＳ应用系统是针对大中型企业的完整的企业资源计划（ＥＲＰ）系统,覆盖制造、分销、财务、维修管理、人力资源、工程设计和客户管理（ＦｒｏｎｔＯｆｆｉｃｅ）。ＩＦＳ的经营哲学是提供技术先进的标准化业务系统,提高客户业务运作的自由度和竞争能力。ＩＦＳ应用系统是市场上首批完全采用元件化结构的业务系统,该系统的最大特点是可根据用户实际需求灵活组合。该系统符合２０００年日期…     

单片LSI网络电视在日本推出

单片ＬＳＩ网络电视在日本推出美国ＩｎｔｅｒｇｒａｐｈｉｃｓＳｙｓｔｅｍｓ（ＩＧＳ）半导体公司研制成功一种可以在普通电视机上浏览因特网系统大规模集成电路（ＬＳＩ）。该公司将与日本兼松半导体公司和Ａｃｃｅｓｓ软件开发公司联合开拓日本市场。若将该系统ＬＳＩ...     

平流层通信系统

平流层通信系统是由美国空间站国际公司（ＳＳＩ）提出的一种崭新的通信系统。美国ＦＣＣ已经对该民提出建设和经营这样一个的申请给予了支持。并在国际上产生了一定的影响。该基于驻留在平流层的空间站（ＳＫＹ ＳＴＡＴＩＯＮ），可以提供固定或移动的基本电信业务或宽带电信业务。文章对平流层通信系统进行了较全面的描述，重点介绍了这个系统的结构、能源、技术、安全性和提供的业务。另外，对ＳＳＩ公司制定的计划和世界上各个     

利用时间分辨热透镜技术研究C_(60)三线态

利用时间分辨热透镜技术测定了Ｃ６０的三线态量子产额（ＩＳＣ）、三线态寿命（τＴ）以及苯溶液中溶解氧通过猝灭Ｃ６０三线态而生成的单线态氧的量子产额（Δ）、氧的单线态寿命（τ０）。ＩＳＣ和Δ的值约为１，τＴ的值在８～６０μｓ范围内，τ０的值为２０μｓ。     

彩色相机用的图像传感器芯片

苏格兰的ＶＬＳＩ影视公司开发一种先进的图像传感器和配套件ＡＳＩＣ（专用集成电路）。传感器将新结构和微透镜工艺结合，在２００ｌｕｘ时得到４８ｄＢ信噪比。微透镜工艺能在减小像素尺寸的同时提供较高的灵敏度。据说，３５２×２９２像素彩色图像传感器提供的图像质量可与其他同类ＣＭＯＳ产品竞争。传感器芯片（上）及配套的专用集成电路这种传感器直接为其专用集成电路界面设计，以形成低成本、高性能、高集成度的视频彩色相机。可得到两种输出：逐行倒相制时得到５０帧／秒，６２５线图像；ＮＴＳＣ时得到６０帧／秒，５２５线图像…     

利宝2代ISDN卡亮相

捷讯亚太区有限公司近日宣布其利宝２代ＩＳＤＮ笔记本电脑综合卡装运出厂。作为获奖产品利宝笔记本电脑综合卡系列家族的新成员──利宝２代ＩＳＤＮ卡，它为笔记本用户提供１２８千字节／秒的高速ＩＳＤＮ数据连接，是同类调制解调器最快速度的２倍。利宝２代ＩＳＤＮ卡具有更大的灵活性，用户可以根据具体情况选择适用的功能卡，组合成为用户化的无线解决方案。利宝２代笔记本电脑综合卡结合了捷讯专利技术综合接口系统，具有该接口系统的特性，既可独立使用，又可与其它利宝２代卡（包括以太网、５６Ｋ调制解调器和通过移动电话实现的无线数据等）配合使用。利宝2代ISDN卡亮相     

场致发射阵列制作工艺的研究

研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2绝缘层的去除方法,并对这两种方法进行了比较,给出了各自的优缺点。     

Ion beam mixing for processing of nanostructure materials

Ion beam mixing (IBM) has been used to process various nanostructure materials and thin films for applications in microelectronics and optoelectronics. In this paper, a study of alloy formation of Si-Ge, processed at shallow depths followed by oxygen implantation, is presented. The mixture is annealed to form Si-GeO₂-Si, wherein the germanium oxide may form alone or as a matrix with the source of excitation. Characterization techniques used in this study include investigations of the structural variations due to argon ion-beam irradiation by Rutherford backscattering (RBS) and shallow defects and deep trapping level states by thermoluminescence (TL) measurements. Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy is used to analyze the thin film/islands of GeO₂ formed in the matrix.     

聚焦离子束无掩模刻蚀研究

利用镓源二级透镜聚焦离子束装置在半导体基片上进行了一系列的无掩模刻蚀实验研究，在不同材料上刻蚀了各种图形，总结分析了不同参数的聚焦离子束对刻蚀的影响。     

微波管栅发射问题的研究

利用离子束辅助沉积技术在 Mo栅极上镀上并注入一层 Hf膜,对镀后的样品进行了形貌、结构、成份、膜厚及 Mo、Hf界面分析。将样品进行电子管模拟栅发射试验,栅极温度为 650℃,试验 1000h以上基本无栅发射电流,可以提高栅控管的可靠性和寿命。实验结果表明,阴极中的活性物质Ba蒸发到镀Hf的 Mo栅极表面,Ba,Hf和O2能形成化合物,从而有效抑制栅极发射电流。     

Compensation phenomena by ion implantation doping of an electroactive polymer,poly(para-phenylene)

We have shown that poly(para-phenylene) (PPP) can be obtained either n-type or p-type by ion implantation at low energy (E ≦ 50 keV); PPP is primarily an insulator pellet obtained from compacted powder synthetised by the Kovacic method. To compare with the chemical doping effect, we have studied the conductivity and thermopower of PPP samples after two successive ion implantations with Cs⁺ and I⁺. The experimental results show that we clearly obtain reversible doping only in the case of an initially I⁺-doped sample: the thermopower sign is changed after a Cs⁺ implantation with a fluence equal to 3 × 10¹⁴ ions cm^?2. In the other case (Cs⁺ initial implantation) we observe the change in thermopower sign at higher fluence (2 × 10¹⁶ I⁺ ions cm^?2). This last effect can be attributed to a metal transition induced by the accumulation of defects in the material because of too high implantation parameters (graphitisation).     

快速热退火对锑化铟表层化学配比的影响

锑化铟是一种窄禁带化合物半导体。近几年,它作为3～5μm红外探测器阵列的一种材料受到广泛的重视。为了制备高质量的锑化铟PN结光电二极管,铍注入与快速热退火(RTA)技术相结合是一种最佳的选择。本文借助俄歇电子能谱(AES)对在快速退火条件下锑化铟表层化学配比的偏离进行了系统的研究。     

Ion Beam Analysis of Amorphous and Nanocrystalline Group III-V Nitride and ZnO Thin Films

The ion beam analysis (IBA) techniques of Rutherford backscattering spectrometry (RBS), elastic recoil detection analysis (ERDA), nuclear reaction analysis (NRA), and particle-induced x-ray emission (PIXE) have been used to quantitatively determine composition, uniformity, impurity, and elemental depth profiles of major, minor, and trace elements of group III-V nitride and zinc oxide (ZnO) thin films prepared by various growth techniques. The IBA revealed that an amorphous GaN film prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) has large variations in film thickness and composition coupled with typically 10–20% oxygen that was found to be essential to stabilize their amorphous structure. The IBA characterization of plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) grown GaN, InN, and InCrN films revealed composition, impurity, and uniformity information of the films. The IBA of ZnO films prepared by radio frequency (RF) sputtering showed that the Zn/O ratio often varied significantly over the film thickness. Hydrogen was found to be a major impurity in the films with around one present in the as-deposited ZnO films. It is clearly shown that the nondestructive, quantitative, and rapid IBA measurements are very useful to develop and optimize growth protocols in respect to film thickness, stoichiometry, and especially in regard to hydrogen and oxygen impurities for group III-V nitride and ZnO thin films prepared by various growth techniques.     

硫酸根离子敏感半导体器件的研究

本文报导一种基于四苯硼钠的离子敏感半导体器件。该器件的线性响应范围为 1 0×10 - 1- 1 0× 10 - 3mol/L ,斜率为 32ml/pc (13℃ ) ,检测下限为 6 0× 10 - 4mol/L。适宜的PH范围为 4 - 4 6。     

1XZ 20／30W二代微光像增强器的设计与研制

本文分两部分论述了１ＸＺ２０／３０Ｗ二代微光像增强器的设计与研制：（１）１ＸＺ２０／３０Ｗ二代微光像增强器设计参数的确定原则和方法，（２）１ＸＺ２０／３０Ｗ二代微光像增强器电子光学系统设计计算及性能分析。１ＸＺ２０／３０Ｗ二代微光像增强器的设计，是吸取国内外同类产品的优点，结合我国的现实情况进行设计的。研制结果表明，本设计计算方法正确，结构设计合理，技术性能优越，工艺技术先进，环境试验可靠。并且零件、材料基本立足于国内，适于大批量生产，并能够与国际上同类产品１０－ＸＸ１３８３互换使用，达到８０年代国际同类产品的先进水平。