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微结构气敏传感器敏感薄膜制备方法的研究 总被引:4,自引:1,他引:4
随着微结构气敏传感器的出现,金属氧化物半导体薄膜因具有灵敏度高、热质量小、批量制备一致性好等特点受到日益广泛的重视,本比较了在微结构气敏传感器中三种方法制备的SnO2敏感薄膜的结构和气敏响应特性。结果表明,用液涎生长和热氧化技术制备Sn2薄膜虽然能采用Lift-off技术成形,但由于膜中晶粒结构和Sn/O比不合适使得它的气敏响应特性很差;室温混合气氛(Ar/O2比为8:2)下射频溅射SnO2靶然 相似文献
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针对RGTO SnO2薄膜颗粒粒径较大的问题,通过控制直流磁控溅射时的溅射气压,制备出了纳米粒径RGTO SnO2薄膜,用SEM表征了其形貌及粒径分布,研究了溅射气压对其形核及生长过程的影响,测试了薄膜对乙醇的气敏特性。研究结果表明,改变溅射气压能够有效控制RGTO SnO2薄膜的粒径,这种控制作用主要发生在形核阶段,是通过溅射气压对沉积速率的影响产生的;气敏测试结果证实了该纳米粒径敏感膜具有较高的灵敏度和较快的响应恢复特性。 相似文献
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SnO2光敏,气敏元件的性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了用常压蒸发法制备的SnO2薄膜的光敏性能和用烧结法制备的圆珠状气敏元件的气敏性能。初步探讨了其结构与机理。指出进行集光敏、气敏全一体的传感器的研究。 相似文献
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微结构气敏传感器敏感薄膜制备方法的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
随着微结构气敏传感器的出现 ,金属氧化物半导体薄膜因具有灵敏度高、热质量小、批量制备一致性好等特点受到日益广泛的重视。本文比较了在微结构气敏传感器中三种方法制备的SnO2 敏感薄膜的结构和气敏响应特性。结果表明 ,用液涎生长和热氧化技术制备的SnO2 薄膜灵敏度高、稳定性好 ,但这种方法与lift off技术不兼容 ;室温直流溅射Sn然后热氧化方法制备的SnO2 薄膜虽然能采用lift off技术成形 ,但由于膜中晶粒结构和Sn/O比不合适使得它的气敏响应特性很差 ;室温混合气氛 (Ar/O2 比为 8∶2 )下射频溅射SnO2 靶然后退火制备的SnO2 薄膜 ,不仅对有机分子十分灵敏 ,而且与微电子工艺相容。室温射频溅射是制备微结构气敏传感器敏感薄膜较理想的方法 相似文献
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ESP工艺制备SnO2—MnO薄膜的氢敏特性 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了用静电喷雾高温分解(ESP)工艺制备的SnO2-MnO薄膜在氢气氛下电阻的变化,结果表明它的电阻较高,对H2亦有较高的灵敏度;这种特性与MnO添加剂密切关系。 相似文献
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以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普通PECVDSnO_(2-x)薄膜元件的气敏性能作了比较,对SnO_(2-x)膜的气敏机理作了探讨。 相似文献
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CdO/SnO2双层薄膜的气敏性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以CdO、SnO_2粉料作为靶,采用直流溅射方法制得CdO、SnO_2双层薄膜元件,比较了CdO/SnO_2与SnO_2/CdO在性能方面的差异。认为CdO/SnO_2的气敏性能较好,并初步探讨了工作温度和膜厚等因素对CdO/SnO_2元件的电学性质及气敏特性的影响。 相似文献
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用激光烧结法制备的SnO2薄膜的气敏性质 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶-凝胶法制备SnO2前驱液,然后用提拉法分别在单晶Si和Al2O3基片表面制备出SnO2前驱膜,再用脉冲Nd:YAG激光烧结前驱膜使其转变为晶体SnO2薄膜.用XRD分析了单晶Si表面的SnO2薄膜,研究激光功率对SnO2薄膜相组成的影响.TEM观察表明,激光烧结后的薄膜SnO2颗粒均匀,直径约为10 nm.用激光烧结法制备的SnO2薄膜对浓度为1.80×10-4丙酮的最高灵敏度为30~40,明显高于用传统烧结法制备的SnO2薄膜的灵敏度.激光烧结能降低薄膜具有最高灵敏度的工作温度. 相似文献
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