开关功率变换器中高频电感器的分析与设计

对高频率和大电流的开关功率变换器,电感器损耗对温升及变换器效率指标具有重要影响.通过高频电感器线圈损耗机制的深入分析,对铜箔线圈以及里兹线线圈进行了比较,提出了线圈避开气隙扩散磁通的设计思想和原则.研究了基于功率铁氧体材料性能因素(PF)指标的铁芯材料选用依据.改进、设计了一种高频串联谐振型逆变器的谐振电感器,在1 kVA容量时,使逆变器整机效率提高了4%.     

功率电感器关键参数自动测量装置

对功率电感器关键参数的研究有助于了解其应用范围、减小电源装置的体积和重量、提高电源效率。目前,工业应用中功率电感器的关键参数都是由人工测量完成的,测量操作复杂耗时。本设计是一套基于PIC16F877A单片机的电感关键参数自动测量装置。通过PID算法控制可编程直流源的输出电流,进而控制电感温升稳定在基准值,得到电感温升电流。同时,采样单元可实时获得电感上的电压、电流值,从而计算出直流电阻和直流损耗。该装置电路简单、测量精度高且范围宽、具有良好的人机界面,并且能够自动记录和存储测量数据。     

用功率晶体管设计功率滤波器

提出了一种用大功率晶体管放大电路取代大电容阻尼支路的新的低压大电流功率滤波器的设计方法。并通过实验验证了该设计方法的优越性。     

功率场效应晶体管MOSFET（四）

QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的，主要表现在三个方面：     

一种新型高频大电流电感器的研究

电感作为储能和滤波元件,在电子设备中被广泛使用,随着科学技术的发展,电感器越来越趋于小型化,体积重量要求越来越严格,尤其在航空航天电子设备中大量高频大电流滤波电感,由于其电流大,安匝数高,且要求小体积,采用传统的开气隙方法,无法满足设计要求。本文将介绍一种新型的高频大电流小体积电感。     

分立MOS—双极达林顿功率开关设计中的一些问题

作为大功率开关用途，通常采用分立达林顿结构，在这种结构中，通过电流较小的功率MOSFET驱动主双极功率晶体管，这种结构兼有两种开关的优点，并产生一种大功率高频开关，降低了对驱动的要求，但是，为了由这种开关获得最大的效益，对结构中元件的选择，驱动电路，吸收电路和电路布局都必须进行仔细考虑，本文介绍了分立MOS－双极达林顿开关的开关特性，这样，在高性能功率开关的成功设计中就可以考虑这些因素。     

用合成电流法计算开关磁阻电动机转矩

把开关磁阻电动机相绕组电路等效成主磁路的磁导随定子磁极与转子磁极间的相对位置的不同而变化的“单相电抗器”绕组电路，并用谐波分析法和合成电流法来建立其等值电路电转换模型，阐明了开关磁阻电动机电磁转矩计算的新方法。理论分析与实验结果相当一致。     

电流传输器实现的新型理想接地电感器

采用零器技术提出了两种基于电流传输器的理想接地电感实现电路。该电路结构简单，只用两块CCⅡ及3个接地无源元件，模拟电感受CC器件的非理想因素影响小且可由3个接地无源元件独立调节。研究表明，该电路中等效电感的无源灵敏度低、对有源参数变化不敏感。将该电路应用于二阶高通滤波电路中，并进行了计算机仿真和硬件实验研究，结果证实了本文提出的理想接地电感实现方案的正确性。     

反向开关晶体管开关通态峰值压降的精确测量与研究

基于反向开关晶体管的特殊工作原理,设计了并联电阻法精确测量RSD的通态峰值压降.介绍了通态峰值压降的测量原理及过程,并确定了电路参数.实验结果表明:直径16mm的单片反向开关晶体管在1.2kA的脉冲电流(脉宽17.5μs)下测得通态峰值压降为8.0V.并且,反向开关晶体管通态峰值压降随换流峰值的增大而增大;改变分压电阻...     

零电压和零电流开关的伪相移式变换器

利用ＩＧＢＴ的反向雪崩特性，实现伪相移变换器前臂零电压，尾臂零电流开关，使ＩＧＢＴ可在高开关频率下运行，且降低了开关损耗。