半导体激光泵浦固体激光器进展

介绍了半导体二极管激光器泵浦固体激光器(DPL)的国际新进展和国内研究动态。指出它在单块集成微型激光器件、超短脉冲激光器注入种籽光源和高功率、大能量超级激光器研究中的潜在优势。用国产DH-LD和MQW-LD泵浦Nd:YAG、Nd:glass、Nd:YLF和NYAB固体激光器,得到激光输出。实现了DPL的增益开关效应、腔内倍频和自倍频。建立了DPL动力学计算机模拟,计算值与实验结果基本一致。     

半导体泵浦固体激光器在激光加工中的应用

介绍了激光加工的优点和对激光器输出参数的要求，对固体激光器中发展最活跃的半导体泵浦全固体激光器进行了分析。在对当前的几种主要结构比较后，指出盘形激光器和光纤激光器将在未来的激光加工中发挥更大的作用。     

高亮度半导体激光器泵浦光纤耦合模块

采用一种阶梯排列结构的单管激光器合束技术制成了高亮度半导体激光器光纤耦合模块,可用于泵浦掺Yb3+大模场双包层光纤激光器。利用微透镜组对各单管半导体激光器进行快慢轴准直,在快轴方向实现光束叠加,然后通过两组消球差设计的柱面透镜组分别对合成光束快慢轴方向进行聚焦,耦合进入光纤。实验中将6只输出功率为6 W 的976 nm单管半导体激光器输出光束耦合进芯径为105 m、数值孔径为0.15的光纤中,当工作电流为6.2 A 时,光纤输出功率达29.0 W,光纤耦合效率达到80.1%,亮度超过4.74 MW/cm2-str。     

光纤激光器的泵浦源

根据光纤激光器的特殊结构,提出了光纤激光器泵浦源的不同种类,并给出了选择泵浦源的标准,以及其对应的效率。     

光纤激光器及其泵浦源设计

光纤激光器在光通信、传感技术、医疗、工业加工等领域有着广泛的应用，是未来非常重要的激光光源．本文简要介绍了光纤激光器的原理及特点，并给出了一种环形腔光纤激光器的结构。随后介绍了光纤激光器泵浦源驱动电路的设计方案。     

光纤激光器泵浦源驱动电路的设计

根据通信用光纤激光器泵浦源的要求,结合半导体激光器的特性,设计了一款高性能、低成本的激光器驱动电路(包括恒流电路、控制电路和保护电路)。恒流电路采用达林顿管作为调整管,利用集成运放的深度负反馈实现恒流输出。经实验验证,本设计系统恒流源稳定度达0.03%,纹波较小,可实现对光纤激光器泵浦源激光二极管(LD)的驱动。     

半导体泵浦固体激光在传感器微调领域中的应用

随着工业自动化水平的提高以及传感器的广泛应用,对传感器装置的标准偏差的要求越来越严格;与此同时,传感器生产者也必须尽可能地减少生产耗费,提高生产效率以满足市场需求。最近,一种新型的全固体激光器成为了重要的微调工具,从而传感器生产者可以更好地达到以上两个目的。     

光纤激光器及其泵浦源设计

光纤激光器在光通信、传感技术、医疗、工业加工等领域有着广泛的应用,是未来非常重要的激光光源。本文简要介绍了光纤激光器的原理及特点,并给出了一种环形腔光纤激光器的结构。随后介绍了光纤激光器泵浦源驱动电路的设计方案。     

大功率半导体激光光纤耦合技术进展

由于大功率半导体抽运固体激光器在民用和军事等方面显示了越来越重要的地位,大功率半导体激光光纤耦合技术作为其关键技术,日益受到人们广泛关注。对各种大功率半导体激光器光纤耦合技术进行了简介和比较,并对国内外同类产品进行了概述与展望。     

光纤放大器用LD泵浦的微型激光器

报道用半导体激光（LD）泵浦的微型1．06μmNd：YAG全固化激光器。用1W的LD作为泵浦光源，得到420mWTEM_(00)模的1．06μm连续激光输出，输出功率稳定性优于±3％，光束发散角小于4mrad，体积小，适于用作光纤放大器的泵浦光源，在光纤通信系统和光纤传感系统中有光明的应用前景。     

一种用于光纤激光器泵浦的半导体激光器驱动电源

报道一种为光纤激光器泵浦的半导体激光器驱动电源.采用大功率MOS管IRL7833为调整管,利用集成运放的深度负反馈工作状态实现恒流输出.采用单片机AT89C51实现PID算法进行软件闭环控制,以缩短系统的动态平衡时间,进一步提高系统的稳定性.给出了限流、延时软启动保护电路.经实验验证,系统稳定度高、实时性好,可以用于光纤激光器泵浦.     

用光纤激光器进行微热加工

近年来，在近红外范围内加工用的固体激光器的泵浦方式已从灯泵浦发展到半导体激光(以下称LD)泵浦，进而朝全固体激光泵浦的方向发展。特别是随着泵浦用LD的价格下降，大功率和长寿命的全固体激光器作为工业用的高可靠性光源而倍受青睐。这种全固体激光器种类繁多，     

用作EDFA光泵浦的激光二极管

近几年来,用作掺铒光纤放大器(EDFA)泵浦光源的半导体激光器,获得了积极的开发和使用。1.48μm 波长大功率激光二极管已商品化,并向更高水平发展。0.98μm 的应变量子阱结构器件也处在开发中,已有部分试用样品。文中介绍1.48μm 和0.98μm 波长大功率半导体激光器的主要结构和开发现状。