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近年来LED光源已经开始得到应用,但要实现白光LED的产业化推广应用还有相当长的距离。受到LED光输出、发光效率、寿命和成本等要素的限制,LED产品在大规模推广前还迫需进一步的改进和提高。
本文介绍了目前正在研究中的改进白光LED光输出、发光效率的新方法以及浅析影响LED寿命的一些关键要素、实验情况。 相似文献
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分析LED光源的原理、性能,介绍了隧道照明的特点,探讨了LED光源在隧道照明中的应用优势。通过对LED光源性能的探讨以及对隧道照明特点的分析可以看出,LED照明光源凭借其高光效、长寿命、低电耗、配光灵活等优异的照明特性,必将在隧道照明系统中发挥越来越重要的作用。 相似文献
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LED是以PN结中电子与空穴复合时辐射荧光为基础的开放性高效固体冷光源。LED灯珠具有极高的光电灵敏度,LED灯珠的光效随着灯珠负荷增加而下降,工作温度的高低直接映衬出LED灯具质量的优劣。本文测试分析了5730白光LED灯珠工作电流与流明数、色温、工作温度、寿命等参数的关系。对照LED灯具的升温因素,通过一系列针对性的降温设计,自制的高光效金属球形灯和金属板灯的工作温度只比环境温度高出5℃左右,灯具寿命超过20000 h。 相似文献
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LED光源的应用及前景 总被引:7,自引:0,他引:7
LED是21世纪令人瞩目的光源,具有广阔的照明前景.该文首先对LED光源的原理、发展概况、特点等做了介绍,然后重点阐述其具体的应用及发展趋势,最后说明了LED在道路照明中的应用并做了总结展望. 相似文献
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分析了LED光源的原理、性能,介绍了隧道照明的特点,探讨了LED光源在隧道照明中的应用优势。指出LED光源具有良好的照明效果和超长免维护期,能有效降低运营成本,在隧道照明中将发挥越来越重要的作用。 相似文献
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LED照明——半导体的又一次革命 总被引:5,自引:0,他引:5
三十年LED指示与显示技术逐渐成熟,在交通信号灯和汽车尾灯等单色光的应用领域迅速取代了白炽灯,而且近来又突破单一颜色的局限性向白色光照明迈进,该文对LED的工作原理,发展历史及现状进行了分析,并预言2005年,2010-2015年LED灯光效将分别达到50lm/w和150-200lm/w。 相似文献
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聚醚酰亚胺的特性、加工及应用 总被引:7,自引:0,他引:7
详细地介绍了聚醚酰亚胺的特性与品种。从成型设备、模具设计和成型工艺等方面,探讨了注射成型方法、加工要领及注意事项,并简述了在电子、机械和汽车等领域中的应用。 相似文献
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SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)以其优越的特性受到国内外学者的广泛关注,采用SiC器件的变换器能够采用高的开关频率、适应高温工作,实现高的功率密度,在一些应用场合能够代替Si基高频开关器件而显著提高电能变换装置的性能。然而,SiC器件与Si器件存在较大的差异,在实际应用中直接替换使用会存在诸多的问题,例如提高工作频率后产生的桥臂串扰、电磁干扰EMI(electromagnetic interference)等问题。目前已有大量关于SiC MOSFET应用研究的文献,但大部分都是针对SiC MOSFET应用中个别问题的研究,尚缺少对SiC MOSFET应用研究成果的系统性归纳与总结的文献。首先基于对SiC MOSFET与Si MOSFET/IGBT(insulated gate bipolar transistor)的静态、动态特性的对比,总结出SiC MOSFET在实际应用中需要关注的重点特性;然后从SiC MOSFET建模、驱动电路设计、EMI抑制以及拓扑与控制方式的选择等方面对已有的研究成果进行归纳与评述;最后指出了SiC MOSFET在应用中所需要研究解决的关键问题。 相似文献
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本文研究了3,5-二-溴水杨醛缩-8-氨基喹啉(简称 DBSAQ)的合成方法,测定了 DBSAQ 的酸度常数,荧光性质及其对离子的显色反应,并将其用作分析试剂,通过分光光度法测定铁基合金中的铝含量。 相似文献
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电纺丝技术及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
电纺丝技术是非牛顿流体的高聚物溶液在高压电场的作用下克服表面张力和粘弹性力,进行拉伸弯曲运动获得纳米到亚微米级纤维的一种技术。它作为高压与纳米技术的完美结合为传统高电压技术注入了新鲜血液。电纺丝纤维因其巨大比表面积和高孔隙率而得到组织工程、同轴电缆、药物缓释等多领域的关注。电纺丝参数影响方面的报道很多,而电纺丝领域当前最前沿研究及最新发现的报道还很少,故介绍了国内外电纺丝参数的研究成果及其最新动态,提出了电纺丝发展的几个瓶颈问题及解决方向。说明电纺丝技术的发展必然要先从理论模型和提高效率两方面入手并取得足够进展,该技术才能在生产实践中广泛应用。 相似文献
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The structures, features, electrical characteristics, and successful application results of two types of high-voltage high-power reverse-conducting thyristors are described. The first has blocking voltage ratings of 1300 V and current ratings of 400 A in the forward direction and 150 A in the reverse direction, with a turn-off time of 30 ?s. The second has ratings of blocking voltage of 2500 V, current ratings of 400 A in the forward direction and 150 A in the reverse direction, with a turn-off time of 40?s. 相似文献
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文章论述了内存计算技术原理及其主要特点,深入探讨了内存计算技术验证项目实施工程方法,分析了海量历史和实时信息处理存在的问题,介绍了采用SAPHANA内存计算技术实际应用案例,全面推动内存计算技术应用的几点体会和建议。 相似文献
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