高分辨率SiNx纳米压印模板的快速制备工艺

纳米压印技术是近年来国际新兴的纳米光刻技术,具有高分辨率、高效率和低成本等优点。本文结合电子束光刻技术和干法刻蚀技术开发了简洁的纳米压印SiNx光栅模板制造工艺。为提高工艺效率,引进高灵敏度的化学放大胶NEB-22胶（负性胶）作为电子光刻胶,用电子束光刻技术在NEB-22上刻出光栅图形,再利用其作为掩膜,经反应离子刻蚀后,将光栅图形转移到氮化硅上,得到所需模板。文中详细研究了NEB-22胶的电子束光刻特性及其干法刻蚀特性,指出了它作为电子束光刻胶的优点及它相对于铬掩膜而言作为干法刻蚀掩膜的不足。     

纳米级精细线条图形的微细加工

对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的ICP刻蚀技术进行了研究,形成一套以负性化学放大胶SAL-601为电子抗蚀剂的电子束光刻及ICP刻蚀的优化工艺参数,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的30nm精细线条图形.     

纳米级精细线条图形的微细加工

对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的ICP刻蚀技术进行了研究,形成一套以负性化学放大胶SAL-601为电子抗蚀剂的电子束光刻及ICP刻蚀的优化工艺参数,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的30nm精细线条图形.     

高精度电子束光刻技术在微纳加工中的应用

对电子束光刻系统的原理以及在微纳加工领域的应用进行了讨论。首先对光刻系统的工作原理进行了阐述。然后讨论了电子束光刻的关键工艺,如光胶的选择、剥离工艺的优化以及邻近效应对图形的影响及修正方法。由于电子束光刻在科研领域展现了巨大的潜力,因此吸引了许多学者的注意。最后,举例介绍了电子束光刻在生物医学和硅光电子上的应用。     

大规模集成电路制作中的光刻技术——紫外线曝光和电子束曝光

本文从实用于大规模集成电路制备的观点出发,对紫外线光刻和电子束光刻图形制作工艺中的问题进行了综述。在紫外线光刻方面,对接触曝光和投影曝光的对比、图形对准精度和正性胶图形的缺陷进行了讨论;对电子束曝光亦进行了讨论,这里包括扫描电子束曝光系统的稳定性、绘图精度、电子束光刻胶特性及其在有掩模制备和芯片直接曝光方面的应用等问题。     

电子束光刻技术与图形数据处理技术

介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。     

光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作

随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究，并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作，在普通光学光刻机上制作出宽度小于０．２５μｍ细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的制作中。     

用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。     

纳米结构制备技术

随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础.本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺方法在P型SIMOX硅片上成功制造的一种单电子晶体管,在其电流电压-特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.     

适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术

介绍了一种适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术,采用图形反转胶和正型光刻胶,选择合适的光刻工艺形成了光刻胶倒梯形的剖面结构,可以成功剥离与胶层厚度相同的膜层,厚度可达13μm。同时对一些技术机理和关键工艺条件进行了讨论。     

X-ray lithography-an overview

The fundamentals of X-ray lithography are reviewed. Issues associated with resolution, wafer throughput, and process latitude are discussed. X-ray lithography is compared with other lithographic technologies; future advancements, such as X-ray projection lithography, are described. It is shown that the major barrier to the near-term success for X-ray lithography is the requirement for a defect-free one-to-one mask which satisfies the stringent image-placement needs of submicrometer patterning     

深紫外深度光刻蚀在LIGA工艺中的应用

随着MEMS在各个领域的运用,人们也开始探讨低成本、操作方便的LIGA工艺。本文重点介绍了一种用于深紫外光深度光刻实验装置的设计,并将该实验装置成功地应用于LIGA工艺的深度光刻中,光刻实验结果表明深紫外光深度光刻具有很大的实用意义。     

缩小步进投影光刻机在碲镉汞红外探测器芯片工艺中的应用

光刻是制备碲镉汞红外探测器芯片过程中非常关键的工艺。目前绝大部分碲镉汞芯片制备都是使用接触式光刻技术,但是在曝光面型起伏较大的芯片时工艺均匀性较差,并且掩膜在与芯片接触时容易损伤芯片。针对接触式光刻的这些缺点,利用尼康公司生产的缩小步进投影光刻机开发了用于碲镉汞芯片的步进式投影曝光工艺。对设备的硬件和软件均进行了小幅修改和设置,使其适用于碲镉汞芯片。经过调试后,缩小步进投影光刻机在某些面型起伏较大的芯片上取得了更好的曝光效果,光刻图形的一致性得到了提升。实验结果表明,缩小步进投影光刻技术能够提高碲镉汞芯片的光刻质量,并在一定程度上改善了芯片制备工艺。     

应用三维线算法的SU-8胶光刻过程模拟

采用二维法向量作为分量,加权求和近似得到三维网格点上的单位法向量,将经典的二维线算法改进为三维形式。综合SU-8胶光刻过程中衍射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,应用该三维线算法对SU-8化学放大胶进行光刻过程三维建模。该模型对被加工表面演化过程的模拟较为精确,可在实际应用中对SU-8胶的光刻模拟结果进行有效预测。     

从极紫外光刻发展看全球范围内的技术合作

在针对芯片的"卡脖子"技术中, 极紫外(EUV)光刻是最重要的一环。EUV光刻技术已经被广泛应用于最先进工艺节点的集成电路芯片制造之中。它的研发交叉融合了光学、机械、电子、控制、软件、材料、数学、物理等多个学科的知识。EUV光刻的发展反映了世界范围内联合研发的演变过程, 开放和合作是发展过程中的主旋律。回顾了EUV光刻的发展历史及所涉及的重大项目和机构, 讨论了全球唯一的EUV光刻机制造商——ASML公司的灵活多变的国际化合作路线, 分析了自1997年以来世界各代表性研发机构的研发趋势以及与EUV光刻发展的关系, 详叙了各参与机构在世界范围内的合作对EUV光刻发展的影响。该研究为研发先进光刻机等类似高端装备提供了一些启示和参考。     

制备纳米级ULSI的极紫外光刻技术

在下一代光刻技术中,由于极紫外光刻(EUVL)分辨率高、且具有一定的产量优势及传统光学光刻技术的延伸性,因而是IC业界制备纳米级ULSI器件的首选光刻方案之一.本文论述了EUVL技术的原理、加工工艺和设备,并对比分析了EUVL的生产成本、应用前景及其优缺点.     

Metallic and dielectric photonic crystals with chiral elements by combined nanoimprint and reversal lithography in SU-8

We report a novel nanoprocess combining nanoimprint lithography and conventional lithography to fabricate metallic and dielectric nanophotonic crystals with chiral elements in SU-8. The previously developed nanoimprint process was modified for much smaller feature size. Four different types of nanophotonic crystals with different materials in both large and small dimensions are fabricated. The new proposed reversal lithography is used to fabricate one type among the above mentioned four. The success of reversal lithography provides a solution for near-field lithography to achieve nanosize structures with simple conventional lithography. Optical measurements of the laser polarization state from the fabricated photonic crystals indicate an optical chirality which distinguishes the chiral elements from other normal symmetric structures.     

衍射干涉光刻研究

光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析;并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅;最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅。     

Printing of Highly Integrated Crossbar Junctions

A new process is presented that combines nanoimprint lithography and soft lithography to assemble metal–bridge–metal crossbar junctions at ambient conditions. High density top and bottom metal electrodes with half‐pitches down to 50 nm are fabricated in a parallel process by means of ultraviolet nanoimprint lithography. The top electrodes are realized on top of a sacrificial layer and are embedded in a polymer matrix. The lifting of the top electrodes by dissolving the sacrificial layer in an aqueous solution results in printable electrode stamps. Crossbar arrays are noninvasively assembled with high yield by printing the top electrode stamps onto bare or modified bottom electrodes. A semiconducting and a quasi metal like conducting type of polymer are incorporated in the cross points to form metal‐polymer‐metal junctions. The electrical characterization of the printed junctions revealed that the functional integrity of the electrically addressed conductive polymers is conserved during the assembling process. These findings suggest that printing of electrodes represents an easy and cost effective route to highly integrated nanoscale metal‐bridge‐metal junctions if imprint lithography is used for electrode fabrication.