国外可见光半导体激光器概况

一、可见光半导体激光器的提出 随着对半导体激光器应用研究的不断深入,要求其波长向长波和短波两方扩展,于是人们着手研究光通信光源用的InGaAsP系长波长半导体激光器和光信息处理光源用的可见光半导体激光器。在可见光半导体激光器问世以前,光信息处理,光印刷,视频唱片等的光源均采用波长为632.8nm的He—Ne气体激光器。随着红外光半导体激光器的发展,逐渐提出了用可见光半导体激光器取代可见光He-Ne气体激光器的要求,因为前者比后者具有无可比拟的优点,例如体积小,工作电压低,适于高速率调制工作,有利于集成     

单模可见光半导体激光器

日本夏普公司研制成能低噪声工作的单模可见光半导体激光器,它以氧化铝为非晶硅,在谐振器的两端面镀上夹层的高反射膜,在提高光能密度的同时防止了谐振器内的返回光入射,抑制了噪声的产生.由于噪声电平降低了一个多数量级,因此光计测的精度也提高了十多倍.     

干涉型可见光半导体激光器

日本夏普公司研制成一种在谐振腔内部设有光反射区的双重谐振结构干涉型可见光半导体激光器IRI-VSIS,在世界上首次在可见光区域实现纵模稳定，同时该所运用由各自的谐振腔所决定的两种激光相互干涉的新技术，实现了纵模随环境温度和反馈光量变化的高度稳定性。     

可见光半导体二极管激光器最新进展

<正>在可见光半导体二极管激光器领域内,高功率、低价格和短波长是人们最关注的问题。美国《Laser Focus World》1991年12月介绍了该领域的最新进展。 美国McDonnell Douglas电子系统公司推出了作为激励掺Cr~(3+)激光晶体用的1w脉冲可见光二极管激光器。     

633nm可见光半导体激光器

近年来,波长670nm可见光半导体激光器引起人们重视,作为通用的和特殊用的激     

日制成连续可见光半导体激光器

日本电气公司的研究人员最近研制成功AlGaInP系列横模限制型可见光半导体激光器。这种激光器波长为683nm,最大连续功率为27mW。这种激光器的特点是在激活层和p型覆盖层的夹层夹入不同混晶组成的薄膜层,使套环结构部份的电流和光处于良好的封闭状态,有效地提高输出功率和光束质量,实现最佳的横膜限制。该装置具有结构简单合理和良好的稳定性、重复性,适宜批量生产。激光器用的晶体是采用高气密MOVPE法技术生长的优质     

逢勃发展的可见光半导体激光器

目前,可见光半导体激光器的研究十分活跃。可见光半导体激光器可在激光印刷装置、光学唱片、条型码读出等方面得到应用。印刷装置的感光材料,条码的墨水等,对过去的0.85～0.9μm的半导体激光器波长不感光,波长在0.8μm以下,感光灵敏度上升,因此可用可见光半导体激光器代替气体激光器。无论何种应用,在调整、操作上,可见光激光器都要方便得多。在民用上,可见光激光器商品化的潜力很大。     

最短波长可见光半导体激光器

最近,日本电气公司宣告世界上最短波长的671nm可见光(红色)半导体激光器在室温条件下连续工作试验成功。目前实用化的可见光半导体激光器的波长为780nm,主要用作光盘存储器、音频/视频磁盘等激光源。如能实现更短波长的半导体激光器,则塑料光纤通信及卫星通信系统中就可以利用诸如激光印刷机等小型激光源,特别是可以与原有的氦离子气体激光器相互置换,这样其用途将十分广泛。     

可见光半导体激光器的发展现状

目前,电视唱片再生以及激光印刷等方面用的光源,几乎都是使用以He-Ne激光器为中心的气体激光器。但是近几年来,随着800毫微米波段近红外半导体激光器的迅速发展,自然提出了用可见光半导体激光器取代上述气体激光器光源的要求。与气体激光器相比,半导体激光器具有体积小、工作电压低、能直接高速调制、便于集成化等优点。虽然也可以使用红外半导体激光器作为上述光源,但若使用可见光半导体激光器,则直     

视频唱片用的可见光半导体激光器

荷兰菲利浦公司在日本的分公司正在出售型号为CQL-10,发射波长为780nm的可见光半导体激光器,样品价格为4—5万日元,预计明年年中降到1万日元以下。SOT-148型系密封封装,内含监控用的PIN光电二极管,主要用于光学式视频唱片、数字式声频唱片、激光印刷机以及防盗(报警)系统。此种双异质结半导体激光器的衬底为n型GaAs、有源层为Al_(0.18)Ga_(0.84)As(0.2μm厚)、限制层为Al_(0.46)Ga_(0.54)As(1—2μm厚,n型掺     

室温连续工作的可见光半导体激光器

本文报告我们研制成功的室温连续工作的可见光GaAlAs半导体激光器。发射的波长约7600且,所有电光参数跟红外光GaAs-GaAlAs双异质结激光器基本上一致。     

用电导数技术筛选可见光半导体激光器

对 6 0只 6 70nm可见光量子阱激光器进行电导数测试 ,讨论了电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的关系 ,指出用m、h、b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是可见光半导体激光器快速筛选的好方法。     

分别限制异质结可见光半导体激光器

研制成功高峰值功率分别限制异质结可见光半导体激光器,从理论及实验上研究了结构参数对器件性能的影响,得到了最佳的设计参数.     

可见光阶梯衬底内条形半导体激光器

将所设计的新结构半导体激光器──阶梯衬底内条形激光器推进到可见光波段(0.75—0.80μm)。器件直流阈值最低26mA,光功率线性15—20mW,2—4 I_(th)基模工作,4mW工作寿命已超过5000小时。本文还讨论分析了该结构器件可靠性改善的原因。     

国外半导体激光器发展概况

作为光通信和光信息处理的光源——半导体激光器实现室温连续工作已经整整十年了。十年来,国外半导体激光器的研制工作一直开展得很活跃。进展迅速,成果显著。随着科学技术的发展,半导体激光器开拓了新的应用领域。要求它的波长能沿着两个方向发展:即一个是短波方向,研制用于0.57—0.80μm波段的可见光激光器,另一个是     

可见光半导体激光器的特性及其应用设计

本文讨论了可见光半导体激光器的很多优点及其广泛应用，从半导体激光器的特点出发，分析了设计准直、整形、消象散的必要性，并具体讨论了包括准直、整形、消象散等光学系统的设计，具有实用性。     

国外大功率半导体激光器发展状况

本文介绍了近几年来国外大功率半导体激光器的发展状况。简要叙述了大功率半导体激光光源的用途、影响提高功率的主要原因以及克服的方法。着重介绍了国外为发展大功率半导体激光器设计的主要结构和工艺,取得的主要成果,达到的最新水平,并对今后一段时间的发展作了初步的预测。     

采用多重量子势垒的红色可见光半导体激光器

<正>据日本《电子材料》1992年第2期报道,日本三菱电机光、微波器件研究所采用电子波干涉效应的多重量子势垒研制成以前不可能达到的高温(90℃)、稳定输出10mW光的红色可见光半导体激光器(波长670nm)。以前,大功率工作的半导体激光器在芯片内产生耗散功率,这样就会引起作激光器振荡的有源层温度超过周围的环境温度。由于温度上升,就会引起半导体激光器的阈值电流上升,激光器产生振荡便困难。现已用多重量子势垒,根据电子波动性的电子     

世界上最短波长的可见光半导体激光器

<正> 日本电气公司最近试制出600nm 波长的可见光半导体激光器,在室温下连续振荡获得成功。该激光器为 InGaAsP/InGaP 双异质结结构,是用两生长室的氢化物汽相外延法生长的.采用了热散性能好的台式条型的器件结构。     

混合抛物面反射二维面发射可见光半导体激光器

研制成功一种新型混合式面发射半导体激光器。它由水平端发射列阵激光器和蒸金GaAs反射抛物面构成。已实现的二维六单元面列阵激光器室温脉冲峰值功率达230mw。