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报道了关于双稳态扭曲液晶显示的动态性能和光学性能的研究结果。这种显示器由具有所需表面预倾角的向列液晶层加手性材料组成。其驱动波形的特征能在0°和360°两种光学差异明显的扭曲状态间选择。 相似文献
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在彩色电视视频脉冲系统设备中360°移相器是一个基本电路,比如:编码器、同步机、黑场、彩场、色键等都要用到,本文就是从基本原理出发,对这种电路较系统地作出分析的一个尝试。 相似文献
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介绍了模拟式360°线性移相器的基本原理及优化设计方法,分析和讨论了主要技术指标的物理意义和技术规范.利用优化设计方法设计的360°线性移相器线性度优于±1.77%,工作带宽500 MHz,并在同步移相扫描应用中获得了满意的效果. 相似文献
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冷家波 《固体电子学研究与进展》1993,13(2):141-148
介绍了变容管反射式360°模拟移相器的设计,对相位与调制电压的线性关系作了分析。制成的模拟移相器采用计算机辅助设计,使用了超突变结变容管管芯和微波集成电路工艺。在9.3~9.7GHz范围内可获得360°连续可变相移,调相电压20V,线性偏离优于±5%,中心频率上的偏离优于±3%,插入损牦随相位的变化3dB。 相似文献
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受魔-T特性的启发,不同于传统的平衡式微带-槽线0/180°移相器双平面结构,文中采用平衡式共面波导-槽线转换方案,应用肖特基势垒二极管研制了一种响应速度快、寄生调幅小的小型化单平面电路结构V波段0/180°移相器,实现了电路简化设计。该移相器结构紧凑,加工方便,在4 GHz的宽频带范围内,实现插入损耗<3 dB、相位平衡度≤5°、幅度平衡度≤0.5 dB的良好电性能。 相似文献
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本文介绍了频带为24~60MHz移相范围为±180°的电调移相器的制作方法。简要分析了工作原理,给出了测试数据和试验结果。 相似文献
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基于0.15μm GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款应用于相控阵系统的集成数字驱动器的0.3~3.0 GHz高精度6 bit数控移相器芯片,通过级联6个不同移相单元可实现最小步进为5.625°的0°~360°移相范围。5.625°、11.25°、22.5°移相单元采用开关切换单阶磁耦合全通网络结构,45°移相单元采用开关切换电容补偿单阶磁耦合全通网络结构,90°、180°采用开关切换高通补偿两阶磁耦合全通网络结构。在片测试结果表明:在0.3~3.0 GHz频段内,数控移相器芯片64态移相均方根误差小于3°,插入损耗小于18 dB,全态移相附加调幅小于±1 dB,输入输出驻波小于1.9,静态功耗为3 mA@-5 V。芯片版图面积为5.00 mm×3.45 mm。 相似文献
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宽频带360度电控移相器 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在分析和归纳各种现有移相器的优缺点的基础上,提出了一种新型的矢量合成移相器,它具有“全范围”移相、输出幅度恒定、与频率无关及移相速度快等主要优点.本文分析了其原理和性能,并用实验初步证明了该移相器的可行性. 相似文献
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采用南京电子器件研究所4英吋0.25μmGa AsPHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段Ga AsMMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3mm×1.1mm×0.1mm。在15~17GHz设计频带内,该移相器具有优良的电性能,插入损耗小于9dB,移相精度(RMS)小于1°,输入输出电压驻波比小于1.4。 相似文献
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采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款17~21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构;驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)结构。测试结果表明,在17~21 GHz工作频率内,该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 d B,均方根相位误差(RMS)值小于1.8°,移相寄生调幅在-0.8 d B和0.6 d B之间,电压驻波比(VSWR)小于1.5。 相似文献
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本文介绍一种多功能,高精度的超低频、宽带函数发生器.该电路可获得带宽从0.005~100kHz的五种波形(三角波、方波、正弦波、高方度窄脉冲、线性锯齿波)的电信号,其频带基本包括了常遇到的低频和超低频. 由于电路采用了运算折迭技术,从而在0.0053~工O七Hz范[bJ内得到U~360,连续可调相移的正弦波,并且.在整个工作频带内相移与频率毫无关系,这是别的方法很难做到的。因此,除了它具有的通用性之外,对于某些网络放大器 相似文献