360°线性移相器

本文对一种360°移相器线性条件进行了分析。从线性要求出发,求出了对变容管的引线电感及结电容的最大值和最小值的要求。并研制了一个工作于11GHz 的360°移相器,此移相器在11GHz±100MHz 内线性度优于±3.8%,损耗为6.2±0.7dB,移相误差≤±2°。与国外文献[1]、[3]比较,此移相器在性能指标上是优良的,在理论与实际上一致性良好。     

0°～360°双稳态扭曲盒的矩阵寻址

报道了关于双稳态扭曲液晶显示的动态性能和光学性能的研究结果。这种显示器由具有所需表面预倾角的向列液晶层加手性材料组成。其驱动波形的特征能在0°和360°两种光学差异明显的扭曲状态间选择。     

低损耗360°X波段模拟移相器

介绍了低损耗反射型模拟移相器电路并报道了实验结果。这个电路集几个设计特征为一体,在X波段产生线性360°相移并且实现在所有相位状态下插损仅4.8dB,变化±0.5dB。这些结果提高了以前报道的X波段移相器性能,相移范围大,衰减小以及随相位状态变化幅度变化低。     

彩色视频脉冲系统中的360°移相器

在彩色电视视频脉冲系统设备中360°移相器是一个基本电路,比如:编码器、同步机、黑场、彩场、色键等都要用到,本文就是从基本原理出发,对这种电路较系统地作出分析的一个尝试。     

模拟式360°线性移相器原理与应用

介绍了模拟式360°线性移相器的基本原理及优化设计方法,分析和讨论了主要技术指标的物理意义和技术规范.利用优化设计方法设计的360°线性移相器线性度优于±1.77%,工作带宽500 MHz,并在同步移相扫描应用中获得了满意的效果.     

X波段360°模拟移相器的设计

介绍了变容管反射式360°模拟移相器的设计,对相位与调制电压的线性关系作了分析。制成的模拟移相器采用计算机辅助设计,使用了超突变结变容管管芯和微波集成电路工艺。在9.3～9.7GHz范围内可获得360°连续可变相移,调相电压20V,线性偏离优于±5％,中心频率上的偏离优于±3％,插入损牦随相位的变化3dB。     

一种单平面结构的高精度V波段0/180°移相器

受魔-T特性的启发,不同于传统的平衡式微带-槽线0/180°移相器双平面结构,文中采用平衡式共面波导-槽线转换方案,应用肖特基势垒二极管研制了一种响应速度快、寄生调幅小的小型化单平面电路结构V波段0/180°移相器,实现了电路简化设计。该移相器结构紧凑,加工方便,在4 GHz的宽频带范围内,实现插入损耗<3 dB、相位平衡度≤5°、幅度平衡度≤0.5 dB的良好电性能。     

宽频带L波段360°模拟信号移相器的设计

该文介绍了宽频带360°模拟移相器的设计理论。针对移相器的线性调相、平衡插入损耗波动、宽频带等进行了详细的探讨,且推导出确定移相器频带宽度的目标函数。用CAD方法迅速而准确地优化各网络设计参量。采用微波集成电路工艺制作的L波段模拟移相器在1.3～2.1GHz范围内可获得360°连续可变相移,最大调相电压18V,中心频率线性度优于±2.5％,插入损耗波动小于3dB。综合性能均优于国内报道的移相器。     

基于MAD2020E加速度的0°～360°倾角传感器设计

介绍了基于MAD2020E型加速度计的O°～360°倾角传感器的基本原理,并结合实际加速度传感的特性,采用双轴无温度补偿方法进行了硬件和软件的设计.实验验证该倾角加速度传感器实现了外形小巧、精度高、智能化.     

360°模拟移相器平衡插入损耗和拓宽频带的研究

本文论证了用电阻补偿法平衡360°模拟移相器插入损耗波动的正确性,并推导出确定移相器频带宽度的目标函数,籍CAD给出移相器在最大带宽条件下的有关设计参量,通过直观曲线为选择变容二极管作理论依据。采用微波集成电路工艺制作的模拟移相器在1．3～2．1GHz范围内可获得360°连续可变相移,最大调相电压18V,中心频率线性度优于±2．5％,插入损耗波动小于3dB。     

带宽24—60MHz移相360°压控移相器

本文介绍了频带为24～60MHz移相范围为±180°的电调移相器的制作方法。简要分析了工作原理,给出了测试数据和试验结果。     

0.3～3.0GHz超宽带高精度数控移相器的设计

基于0.15μm GaAs赝高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺,研制了一款应用于相控阵系统的集成数字驱动器的0.3～3.0 GHz高精度6 bit数控移相器芯片,通过级联6个不同移相单元可实现最小步进为5.625°的0°～360°移相范围。5.625°、11.25°、22.5°移相单元采用开关切换单阶磁耦合全通网络结构,45°移相单元采用开关切换电容补偿单阶磁耦合全通网络结构,90°、180°采用开关切换高通补偿两阶磁耦合全通网络结构。在片测试结果表明：在0.3～3.0 GHz频段内,数控移相器芯片64态移相均方根误差小于3°,插入损耗小于18 dB,全态移相附加调幅小于±1 dB,输入输出驻波小于1.9,静态功耗为3 mA@-5 V。芯片版图面积为5.00 mm×3.45 mm。     

宽频带360度电控移相器

本文在分析和归纳各种现有移相器的优缺点的基础上,提出了一种新型的矢量合成移相器,它具有“全范围”移相、输出幅度恒定、与频率无关及移相速度快等主要优点.本文分析了其原理和性能,并用实验初步证明了该移相器的可行性.     

高精度数控微波移相器设计

使用DDS级联数字移相器和PLL技术相结合的方法,实现了一种新型的微波信号移相器,可针对单音微波信号进行精确数字控制移相,最高移相分辨率远超过常规DDS移相器,达到了2π×2-24rad.介绍了系统设计方案及电路工作原理,并给出了实验结果.此电路适用于需要精确控制两路或多路正弦信号相对相位移的应用场合,经过电路扩展,还可用于带限信号的精确移相.     

15～17GHz高精度单片数控移相器的研制

采用南京电子器件研究所4英吋0.25μmGa AsPHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段Ga AsMMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3mm×1.1mm×0.1mm。在15～17GHz设计频带内,该移相器具有优良的电性能,插入损耗小于9dB,移相精度(RMS)小于1°,输入输出电压驻波比小于1.4。     

17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器的设计

采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制了一款17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构;驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）结构。测试结果表明,在17～21 GHz工作频率内,该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 d B,均方根相位误差（RMS）值小于1.8°,移相寄生调幅在-0.8 d B和0.6 d B之间,电压驻波比（VSWR）小于1.5。     

正弦波0-360°连续相移及多种函数发生器

本文介绍一种多功能,高精度的超低频、宽带函数发生器.该电路可获得带宽从0.005～100kHz的五种波形(三角波、方波、正弦波、高方度窄脉冲、线性锯齿波)的电信号,其频带基本包括了常遇到的低频和超低频. 由于电路采用了运算折迭技术,从而在0.0053~工O七Hz范[bJ内得到U~360,连续可调相移的正弦波,并且.在整个工作频带内相移与频率毫无关系,这是别的方法很难做到的。因此,除了它具有的通用性之外,对于某些网络放大器