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1.
ＴｈｅＡｍｂｉｅｎｔＧａｓＥｆｆｅｃｔｓｏｎＰｕｌｓｅｄＬａｓｅｒＡｂｌａｔｉｏｎｏｆＴａｒｇｅｔ￥ＧｏｎｇｔａｎｇＷａｎｇ；ＸｉａｎｇｔａｉＷａｎｇ；ＢａｏｙｕａｎＭｉａｎ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＳｈａｎｄｏｎｇＮｏｒｍａｌＵｎｉ... 相似文献
2.
ＮｏｎｌｉｎｅａｒＡｍｐｌｉｆｙｉｎｇＬｏｏｐＭｉｒｒｏｒｆｏｒＲｅｄｕｃｉｎｇＡＳＥｉｎＮｏｎｓｏｌｉｔｏｎＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ￥ＨｅＨｕａｊｉｅ；ＧｕＷａｎｙｉ；ＬｉＧｕｏｒｕｉ；ａｎｄＸｕＤａｘｉｏｎｇ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＴｅｌｅｃｏ... 相似文献
3.
ＶＬＳＩＳｔｒｕｃｔｕｒｅｆｏｒａｎＡｌｌＤｉｇｉｔａｌＲｅｃｅｉｖｅｒｆｏｒＣＤＭＡＰＡＢＸＨａｎｄｓｅｔＺｈｏｕＳｈｉｄｏｎｇ；ＢｉＧｕａｎｇｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００１８）（Ｐｈ．Ｄｓｔｕｄｅｎｔａｔ... 相似文献
4.
《半导体光子学与技术》1997,(3)
ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌＳｔｕｄｙｏｆＺｉｎｃＳｕｌｆｉｄｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓ①②ＣＨＥＮＭｏｕｚｈｉ，ＬＩＵＺｈａｏｈｏｎｇ，ＷＡＮＧＹｕｊｉａｎｇＷＡＮＧＨｕｉ，ＤＥＮＧＣｈｏｎｇｈｕｉ（ＸｉａｍｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉａｍｅｎ３６１... 相似文献
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ＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔｏｆＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＱｕａｌｉｔｙｏｆＳｔｒａｉｎｅｄＩｎＡｓ／ＩｎＰＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌＳｔｒｕｃｔｕｒｅｓｂｙＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇＸＩＮＧＱＪ；ＺＨＡＮＧＢ；ＷＡＮＧＳＭ（ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖ... 相似文献
7.
Ｍａｇｎｅｔｏ－ｏｐｔｉｃＣｕｒｒｅｎｔＳｅｎｓｏｒＢａｓｅｄｏｎＴｏｔａｌＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎｓｉｎａＱｕａｄｒａｎｇｕｌａｒＢｕｌｋＧｌａｓｓ￥ＣＨＥＮＸｉｋｕｎ；ＱＩＵＪｉｎｇｈｅ；ＺＨＵＱｉｂｉａｏ；ＤＡＩＬａｉｆａ（ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖ... 相似文献
8.
ＮｅｗｄａｒｋｃｕｒｒｅｎｔｃｏｍｐｏｎｅｎｔｏｆＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰＨＰＤｓｃｏｎｆｉｒｍｅｄｂｙＤＬＴＳＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ，ＸＵＷｅｉｈｏｎｇ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，... 相似文献
9.
《中国邮电高校学报(英文版)》1996,(1)
ＰｒｏｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｎｇｅａｎｄＧｒｏｗｔｈｉｎＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓＳｅｃｔｏｒ￥ＬｏｎｇＸｉａｏｙｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｃｏｎｏｍｉｃＭａｎａｇｅｍｅｎｔ，Ｘｉ＇ａｎｉｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｏｓｔｓ... 相似文献
10.
徐至中 《固体电子学研究与进展》1995,15(3):222-227
采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分Ｘ的变化关系，计算结果表明，对所有Ｘ值，ｆｈｃ＝０，ｆＨＣ，ｆＬＣ及ｆＳＣ随Ｘ的变小而变小，ｆＬｃ及ｆＳｃ随Ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使Ｘｘｘｘｘ变小，对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）应 相似文献