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本文提出了以各子电池的载波子输运方程为基础、用串联等效的方法模拟多结电池的J-V特性,并用该方法模拟分析了P/I界面态。P/I缓冲层带隙梯度对Glass/TCO/a-Si/a-Si/Al双结电池光电特性的影响,各子电池本征层为常数带隙的Glass/TCO/a-Si/a-SiGe/Al三结电池的光电特性及其所存在的优势。 相似文献
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采用横断面的透射电子显微术,扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法,研究了GeSi沟道p-MOSFET的微结构。观察表明,器件是由Si基片/SiO2非晶层/SOISi层/GeSi沟道层/超薄SiO2非晶层/Si细晶层/SiO2非晶层/Al电极层等组成的;SOISi层工作区单晶性良好,很难找到缺陷,缺陷能效地被限制在工作两侧的缺陷聚集区;在SOSSi层和GeSi沟道层之间存在着一些瓣状衬底,它可能是在 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
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掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性,阈电压和界面态。结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降,采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性、阈电压和界面态.结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降。采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。 相似文献
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Al栅a—Si TFT栅绝缘膜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
Al栅可明显降低AM-LCD中a-Si TFT矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟,有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细分析了Al栅的阳极氧化技术,获得了适于a-Si TFT复合栅的Al2O3栅绝缘材料。 相似文献
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利用卢瑟福背散射(RBS)、X光电子谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分析,研究了Si0.5Ge0.5合金在1000℃下湿氧化所生成的氧化物的特征.结果表明:这种氧化物为双层结构.靠近表面的一层为(Si,Fe)Ox混合层,在其下面是纯的SiOx层,Ge被排斥并堆积在SiOx/Si0.5Ge0.5界面附近.在本实验条件下,(Si,Ge)Ox层的厚度约为2500A,它的形成时间不足5分种.当氧化的时间延长时,SiOx的厚度随之增加,但(Si,Ge)Ox的厚度几乎不变.还发现:在这些氧化物中,Si2p和Ge3 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-I(Al2O3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al2O3),AP(Al2O3/SiCp),AW(Al2O3/SiCw)和JX-1(Al2O3/SiCw)材料相比,JX-2-I具有较高的抗弯强度(σbb)和断裂韧性KIC,研究结果表明,在JX-2-I陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-I的主要增韧机理是界面解离,裂纹偏转和晶须拔 相似文献
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低缺陷TFT—LCD研究 总被引:1,自引:0,他引:1
综合报道南开大学光电子所为提高TFT矩阵性能与图形完整性方面所做的第列研究工作。它包括材料及器件优化研究,冗余技术的研究以及器件检测系统研究与实际应用等。通过采用SiNx/a-Si界面的氢经处理,Al:Ti栅金属及其Al/Ta,Al2o3/SiNx双绝缘层,低温致密ITO及Al腐蚀相容性工艺以及TFT动态特性研究等手段,所研制的200×151象素的TFT国可基本消除线缺陷仅存少量点缺陷。 相似文献
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采用低温生长缓冲层,高温生长GeSi外延层的方法在n型Si衬底上外延生长(i)Ge0.85Si0.15-(p)Si层,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结pin台面光电二极管。其波长范围为0.7-1.55μm,峰值波长位于1.06μm,暗电流密度低达0.033μA/mm^2(-2V),在1.06μm和1.3μm处的响应度分别为1.8A/W(-2V)和0.066A/W(-V)。 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ(Al_2O_3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al_2O_3)、AP(Al_2O_3/SiCp)、AW(Al_2O_3/SiCw)和Jx-1(Al_2O_3/SiCw)材料相比,JX-2-Ⅰ具有较高的抗弯强度(σ_(bb))和断裂韧性K_(Ic);研究结果表明,在JX-2-Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。 相似文献
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本文分析了测试爆炸喷涂获得Al2O3/Cr12MoV界面层的微 性能。试验结果表明Al2O3/Cr12MoV界面层中Fe,Cr,Al等元素呈梯度分布,界面层内存在着海绵状结构。同时,Al2O3/Cr12MoV存在界面反应。 相似文献
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用分子束外延法(MBE)分别在经(NH4)2Sx溶液和S2Cl2溶液钝化的GaAs(100)衬底上生长了ZnSe薄膜.用室温喇曼光谱对不同处理方法的GaAs上所长ZnSe薄膜的晶体质量和ZnSe/GaAs界面进行对比研究.用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系.根据GaAs的LO-等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化,分析了不同S钝化方法对ZnSe/GaAs界面以及ZnSe薄膜质量的影响.结果表明,S2Cl2溶液钝化的ZnSe/GaAs样品具有较低的界面态密度和较好的 相似文献