共查询到17条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
本文系统测量并总结了不同类型双滑移取向铜单体循环变形中滞后回线性形状参数VH随循环周次N的变化关系,结果表明,与单滑移晶体不同晶体取向双滑移晶体的滞后回线形状变化趋势有显著的影响,VH与驻留滑移带(PSB)的形成有无明业对应关系与该取向单晶体的循环应力-应变(CSS)曲线有无平台区或准平台区出现密切相关,VH随N的变化关系反映了晶体在循环变形中的微观组织结构的不同变化,通过VH确定了不同类型双滑移 相似文献
3.
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察.且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布.结果表明:在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相对集中,PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱,PSBs与基体边界处存在很大的应力差由观察和计算结果对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制. 相似文献
4.
本文研究了在纯Al单晶样品的两个特殊面(包含动作Burgers矢量的S面和与Burgers矢量成最小夹角的T面)上由循环形变引起的裂纹启裂过程,疲劳试验结果表明,在循环形变过程中,S面上没有形成表面持续滑移带,但有很多微裂纹产生,裂纹较短,平均长度约为10μm,近似沿一个方向分布,与动作Burgers矢量垂直,而T面上裂纹的形貌大致与以前的工作相同。通过扫描超声显微镜观察,发现在S面上的疲劳损伤要比T面上的深得多,为此,作者提出了裂纹启裂的孔洞模型及持续滑移带形成模型。 相似文献
5.
本文研究了在纯Al单晶样品的两个特殊面(包含动作Burgers矢量的S面和与Burgers矢量成最小夹角的T面)上由循环形变引起的裂纹启裂过程,疲劳试验结果表明,在循环形变过程中,S面上没有形成表面持续滑移带,但有很多微裂纹产生,裂纹较短,平均长度约为10μm,近似沿一个方向分布,与动作Burgers矢量垂直,而T面上裂纹的形貌大致与以前的工作相同。通过扫描超声显微镜观察,发现在S面上的疲劳损伤要比T面上的深得多,为此,作者提出了裂纹启裂的孔洞模型及持续滑移带形成模型。 相似文献
6.
双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅱ.滑移带和形变带SCIEI 总被引:2,自引:0,他引:2
用光学显微镜和扫描电镜研究了双滑移取向([034],[117])Cu单晶循环饱和后的表面形貌,塑性分切应变幅(γpl)低于10^(-3)时,[034]晶体表面上要为主滑移系的驻留滑移带(PSBs)占据,次滑移只在边缘区域启动,其PSBs细窄(<1μm),体积百分数在1%以下.γpl>10^(-3)时,次滑移开始在试样的中部启动,同时,表面出现二种贯穿晶体的宏观形变带(DBI,DBII),滑移带在形变带内集中.[117]晶体在γpl=4.4×10^(-4)时,双滑移现象已十分明显.γpl>10^(-3)时,表面也形成与前者相似的形变带.DBI的惯习面与主滑移面平行([034]晶体)或接近([117]晶体),DBII的惯习面则与前者垂直,文章讨论了形变带形成的可能原因. 相似文献
7.
本文在塑性分切应变幅(γpl)为1.3×10-4-7.2×10-3范围内研究了双滑移取向铜单晶体的循环形变行为当γpl<2×10-3,晶体的初始硬化速率θ0.2较低,几乎与应变幅大小无关。当γpl>2×10-3,θ0.2随γpl的增加而显著增大. 晶体的循环应力-应变(CSS)曲线在5×10-4<γpl<4×10-3范围内呈现一个明显的平台,平台区的范围与单滑移晶体相比明显缩短,但平台区对应的饱和应力相近.和晶体虽然同处于标准取向三角形的001/边上.但其循环形变行为存在明显的差异,可归结为各个滑移系相对于晶体轴的几何位置不同,从而造成不同的滑移形变特征 相似文献
8.
9.
从细观的晶体塑性力学出发,研究了在单向拉伸下的单晶体单滑移的变形和稳定性问题,定量给出了滑移面的方位和滑移方向随应变ε的变化规律.定义了失稳参数S,把用正应力和正应变表示的塑性变形稳定性条件,变换成适合于细观塑性力学应用的用切应力和切应变表示的稳定性条件.结果表明:材料滑移面向拉伸方向偏转并趋于一致,即应变ε增加时,滑... 相似文献
10.
11.
12.
不同取向疲劳态铜单晶高速冲击下的绝热剪切带 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分离式Hopkinson压杆装置(SHPB)和扫描电镜电子通道衬度(SEM—ECC)技术研究了不同取向疲劳态铜单晶高应变率压缩下形成的绝热剪切带(ASB).实验表明,ASB形成的临界应变与晶体取向有关,接近压缩临界双滑移取向晶体需要的临界应变最小,单滑移和压缩共轭双滑移取向的次之,共面双滑移取向的最大.本实验条件下形成的ASB内部典型的位错组态为位错胞结构,未观察到再结晶现象.根据空间位向,ASB可以分为3类:第1类非常接近铜晶体疲劳时形成的第2类形变带(DBII)平面,其临界应变最小;第2类ASB位向或者比较接近DBII平面或者比较接近第1类形变带(DBI)平面,其临界应变居中;第3类ASB位向与DBI和DBII平面均不接近,其临界应变最大. 相似文献
13.
14.
15.
对晶粒组元因晶体生长时沿晶界发生旋转的铜双晶体进行了恒定塑性应变幅下的循环形变研究,塑性应变幅为1.5X10-3通过扫描电子显微镜-电子通道衬度技术(SEM-ECC)对滑移形貌和位错组态的演化进行了观察,发现由于晶粒内部的几何效应使沿晶界的位错组态随着晶粒的旋转方向的变化也相应发生变化,逐渐表现为由滑移带与晶界的相互作用过渡到形变带与晶界的相互作用.形变带Ⅱ(DB Ⅱ)对于主滑移有着明显的阻碍作用.晶界无位错区(DFZ)伴随着形变带Ⅱ在晶界的出现而产生.胞状结构的形成是由于次滑移系的开动使形变带Ⅱ中的位错墙结构先破坏而后形成. 相似文献
16.