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为帮助消费者购买使用安全质量达标的防漏电保护装置(又称剩余电流动作保护器),不久前湖北省消费者委员会选择14个品牌的防漏电保护装置进行了比较试验,试验主要对商品的质量和商品的价格进行比较。现将试验结果汇集成表,提供如下。 相似文献
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最近,媒体上出现不少有关"全能漏电保护器"的报道,称这种漏电保护器,增加了一个对接地线的漏电流检测,一旦接地线上出现漏电流时,不仅切断电源,同时还切断PE(保护接地)线,避免漏电伤人事故的发生. 相似文献
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郭强 《中国新技术新产品》2012,(8):146
低压配电系统中装设漏电保护器(剩余电流动作护保器)是防止电击事故的有效措施之一,也是防止漏电引起电气火灾和电气设备损坏事故的技术措施。但安装漏电保护器后,仍应以预防为主,并应同时采取其它各项防止电击和电气设备损坏事故的技术措施 相似文献
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随着工业经济的快速发展,电器设备已广泛应用于工业生产及人们生活的各个领域,一旦出现漏电,人体触电或引起火灾的后果不堪设想,为安全用电防止触电事故发生,漏电保护器一旦超过规定电流将自动切断电源,从而避免漏电造成的人身安全和火灾现象,因此,对于研究漏电保护器的合理选型和正确使用具有重要的现实意义。 相似文献
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井队现场用电环境比较复杂,各种电气设备和线路经常重复使用,存在用电安全隐患,所以正确的选择漏电保护器十分重要。本文针对井队现场TN—S系统中漏电保护器的使用进行系统的讨论,并依据《剩余电流动作保护装置安装和运行》(GB13955-2005)等国家相关标准对漏电保护器的各种电气参数进行选择。 相似文献
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漏电保护器主要是用来在设备发生漏电故障时以及对有致命危险的人身触电进行保护。文章通过对漏电保护器在选择、安装、使用中存在的一些问题的探讨,分析了漏电保护器的型号的选择、灵敏度的选用原则、安装使用要点,并提出了如何选择、安装、使用和维护漏电保护器。 相似文献
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一、引言目前,我国音视频产品CCC认证依据的现行国家标准为GB8898-2001,该标准等效于IEC60065:1998(第6版),替代了GB 8898-1997,且GB 8898-1997标准中原来提及的漏电流测量更改为接触电流测量。目前最新的IEC标准为IEC 60065:2005(ed7.1),由于GB 8898-2001对应的IEC版本落后,规定的漏电流限定值只包含接触电流,未对保护导体电流进行规定,从漏电流的基础标准可知不够全面和科学。到原GB 8898-1997漏电流测 相似文献
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本文根据JJG843-2007泄漏电流测量仪(表)检定规程对泄漏电流测量仪直流漏电流示值进行测量,并对测量过程中不确定度的来源进行分析,对各分量进行了详细量化,计算出该分析方法的合成标准不确定度,并给出结果的扩展不确定度。 相似文献
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一种开关保护器的测试装置以及开关保护器,其中测试装置包括用于模拟短路、断相故障的短路、断相模拟模块、用于模拟漏电故障的漏电模拟模块以及用于模拟失压故障的失压模拟模块。所述短路、断相模拟模块、漏电模拟模块和失压模拟模块均通过接线端子与开关保护器连接。本实用新型还提供了一种包括开关保护器本体和上述测试装置的开关保护器。本实用新型提供的开关保护器的测试装置以及开关保护器,通过设置模拟各种故障的测试模块,能够迅速实现对开关保护器的故障测量,降低其故障检测复杂度。 相似文献
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电磁力驱动的微夹持技术 总被引:1,自引:1,他引:0
在生物操作和微装配中,需要微力传感器控制操作过程,以保证操作的有效性.为此,设计了集电磁力驱动和压电传感于一体的夹钳,利用螺线管与小永磁体产生的排斥力驱动夹钳闭合,通过改变螺线管电流的大小来控制夹钳夹持力.夹钳夹持物体时,聚偏二氟乙烯(PVDF)产生压电效应输出电压,电压的数值确定了夹持力.利用共振频率方法测量PVDF膜片刚度,结合显微视觉系统测量膜片变形,可以确定夹钳受到的力,从而获得夹钳受力与输出电压的关系.实验结果表明,采用共振频率方法精确测量出的膜片刚度为110.7μN/μm,夹钳力传感分辨率为1.1mN. 相似文献
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采用射频磁控溅射法,首先以聚四氟乙烯(PTFE)为靶,氩气为载气,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底上沉积氟碳(FC)膜,然后以金属锌为靶,氩气为载气,氧气为反应气体,在FC膜上再沉积一层ZnO膜而形成FC/ZnO有机-无机纳米杂化材料。用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱仪(XPS)以及静态接触角测定仪对FC膜以及FC/ZnO杂化膜的耐水洗牢度性质进行了研究。结果表明,该法制得的沉积膜接触角都大于90°,呈现出良好的疏水性。FC/ZnO杂化膜由于沉积了无机ZnO膜,其耐水洗牢度较氟碳膜好。 相似文献
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利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性.反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制.正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应.利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受εr(T)和V(Tc/T) 1的共同作用,其中εr(T)的作用占优. 相似文献