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掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道用电子束蒸发法将过渡金属Co掺入a-Si薄膜,用电导率与温度的依赖关系,ESR紫外透射谱测量手段对a-Si:Co薄膜的电学、光学特性,杂质对缺陷态的补偿和掺杂机理进行了研究。测量结果表明,Co杂质能级的中心位置在价带E_v以上0.13eV.在480K相似文献
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本文研究了退火对C60膜电导率的影响.结果表明,从室温到200℃的温度范围内,C60膜具有明显的半导体性质,室温电导率在10-5~10-7(Ω·cm)-1的范围内.薄膜在200℃温度下恒温保持过程中,当时间小于2.5小时时电导率的增大是由于薄膜中不稳定的hcp相的减少引起的;而相互通连的晶粒数目的减少导致退火时间大于2.5小时的薄膜电导率的减小.相互通连的晶粒数目的减少使得晶间势垒变高,从而使电导率变小.通连晶粒间缺陷的减少导致激活能变大,这些缺陷在C60膜的能带中引入缺陷态.σ-1/T图中高温区域电导偏 相似文献
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现在普遍采用ITO薄膜 (In2 O3 ∶Sn)作为太阳电池的窗口材料 ,但由于In资源的稀缺 ,使太阳能电池的成本增加。Zn O是一种低成本材料 ,具有良好的电学、光学特性 ,因此可代替ITO薄膜作为窗口材料。由于ZnO n Si异质结太阳电池的转化效率为6 9%~ 8 5 % ,而ITO光电转换效率为 12 %~ 15 % ,采用液态源掺杂方法 ,取得较好效果 ,证实了掺P、B对纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B随热处理温度的变化对纳米Zn O薄膜电学特性的影响。在研制过程中 ,对掺入P、B的纳… 相似文献
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采用直流反应磁控溅射法在玻璃基底上用Zn(99.99%)掺杂Al(1.5%)靶制备出高质量的Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜。用X射线光电子能谱仪对退火处理后的薄膜进行了成分和元素的价态分析,并用Van der Pauw方法对样品的电学特性进行了测量。实验结果表明,Zn和Al元素都以氧化态的形式存在,O元素主要是以晶格氧和吸附氧的形式存在。AZO薄膜的电学性质受退火温度和氧氩比的影响较大。随着退火温度的升高,电阻率减小,载流子浓度和迁移率增大。随着氧氩比的增大,电阻率增大,迁移率减小。因此可得到用直流反应磁控溅射法制备AZO薄膜的最佳氧氩比和退火温度分别为0.3/27和400℃,在此条件下制备出的薄膜电阻率可低至10-4Ω.cm,载流子浓度可达1020cm-3。 相似文献
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非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池是取之不尽的洁净能源-太阳能的光电元(组)件。文章详述了a-Si薄膜太阳能电池的工艺优势,市场开发状况,可能应用领域,存在问题和展望。 相似文献
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报道了铁酸铋薄膜样品在80K~300K温度范围直流电学输运性质的研究结果.利用同一前驱体不同老化时间,用化学溶液沉积法在钛酸锶衬底上制备出两种样品.在低阻样品中,低场下电流随电压变化遵从欧姆定律,电阻不随温度变化;而在中等强度外场下显示出肖特基二极管性质.在高阻样品中,低场下电流密度沿晶界分布,输运中的势垒能级为0.57eV;高场下电流的传输则遵从Frenkel-Poole模型,相关势垒能级0.12eV.低阻和高阻两种样品在85K温度下可测最大剩余极化分别为2.6μC/cm2和28.8μC/cm2. 相似文献
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应用PECVD工艺,研究了四层结构(电荷阻挡层、电荷输运层、光敏层、保护层)的非晶硅感光鼓。在充电电压为5000V,照度10lx下,带电电位可达650V。 相似文献
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CeO2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度,淀积速率,氧化压等工艺条件和利用N离子轰击氧化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,利用脉冲激光淀积方法在Si(100)衬底生成了具有(100)和(111)取向的CeO2外延薄膜,研究了N离子轰击氮化Si衬底表面处理工艺对Pt/CeO2/Si结构电学性质的影响,研究结果显示,利用N离子轰击氮化Si表面/界面工艺不仅影响CeO2薄膜的生长结构,还可以改善CeO2与Si界面的电学性质。 相似文献
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采用真空热蒸镀技术制备了NPB有机半导体薄膜和单层夹心结构器件,通过透射谱测量研究了薄膜的光学能隙、折射率和消光系数等光学性质,结果表明有机半导体薄膜具有直接带隙半导体的光学性质,并且其折射率色散性质遵循单振子模型.另外,通过分析器件的电流-电压特性研究了薄膜的电导率、载流子迁移率和载流子浓度等电学性质.这些实验结果对于有机光电子器件的结构设计具有一定的参考价值. 相似文献
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用热蒸发的方法,分别在孔径约为200nm的多孔阳极氧化铝(AAO)模板和空白石英基片上室温沉积厚为25~200nm的Ag薄膜样品,研究膜厚对两种样品的微观结构和光电学性质的影响。微观结构利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观测,光电学性质应用分光光度计及Van derPauw方法检测。结果表明,石英基片上Ag(QuartzAg)薄膜的结晶性能比AAO模板上Ag(AAO-Ag)薄膜的结晶性能好,当厚为200nm时,AAOAg薄膜形成纳米颗粒的叠层结构;AAOAg薄膜的全反射率和QuartzAg薄膜的反射率均遵循随膜厚增加而增加的规律。在同一厚度和同一波长条件下,AAOAg薄膜的光学反射率比QuartzAg薄膜小很多,当厚为109nm时,在可见光和红外光区域,QuartzAg薄膜的反射率超过95%,而AAOAg薄膜的全反射率为40%;QuartzAg薄膜在厚度为25nm时已导电,而AAOAg薄膜的厚度为37nm时才开始导电。对于同一厚度,AAOAg薄膜的方块电阻比QuartzAg薄膜的大,随着膜厚的增加,它们的差值从厚为37nm时的4.90Ω/口逐渐减小到厚为200nm时的0.37Ω/口。 相似文献
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