非对称型门极换流晶闸管模拟

建立了非对称型门极换流晶闸管器件模型，对其进行了工艺模拟和器件模拟。模拟结果表明，缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度，可以合理地控制该区域的杂质总量，降低GCT的通态压降。n基区的寿命变化对器件的通态压降影响十分明显，辐照剂量的选取要折衷关断时间和通态压降的要求。     

静电增强纤维动态过滤的理论研究

为了推导、预测滤料间有外加静电场时过滤器效率和压降的变化并且分析各参数如纤维厚度、颗粒直径、电场强度对效率和阻力的影响,提出了建立在D．Thorns建立的数学模型的基础上的静电增强纤维动态过滤效率和压降的计算方法,首先计算了单纤维的过滤效率和压降,然后计算纤维过滤器稳定状态的过滤效率和压降,从而计算了纤维过滤器动态过滤时的效率和压降,得出了重要结论：粒子直径越小,压力损失越大；电场强度越大,过滤效率越大,压力损失越小；增加纤维厚度能显著提高过滤器的过滤效率。     

微通道换热器用于重力热管系统的试验研究

针对重力热管内压降影响换热器换热性能的问题,设计2款微通道换热器,每个风冷式热管系统的蒸发器和冷凝器使用同种类型微通道换热器.在机房干球/湿球温度为35℃/24℃,室外环境温度5℃,10℃和15℃下进行换热性能测试.结果 表明:在相同试验工况下,微通道换热器的水力直径越大,其换热能力越大;蒸发器进口的制冷剂为过冷态,制...     

偏置应力对InAlN/GaN HEMT直流特性的影响

采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的InAlN/GaN HEMT器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特性明显退化,退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明,关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的;而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此,只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程,在无外界激励时,经过10d左右的静置,器件基本恢复初始性能。     

有机小分子电致磷光及发光机理研究进展

在过去10余年对小分子和聚合物电致发光器件的研究中,由于器件三线态激子能量没有得到充分的利用,使器件的内量子效率存在25%的理论极限,大大限制了其发光效率。为突破这一理论极限,在小分子主体材料中掺杂磷光染料制成电致磷光器件是近几年研究的热点,磷光染料的掺杂可以充分利用单线态和三线态激子,理论上器件的内量子效率可以达到100%。本文针对有机小分子电致磷光器件的发展、发光机理以及主客体分子间的能量传递等方面作了简明的讨论,指出了在器件设计时应该注意的一些问题。     

氮浆在水平圆管中流动压降的数值模拟

氮浆因其密度高、温度低、热容大等特性,可作为高温超导器件等的潜在冷却剂.氮浆的流动特性(尤其是压降)是其在应用中很重要的特征参数.建立了氮浆在水平圆管中流动时压降的二维计算模型,并应用双流体模型、Syamlal-O'Brien曳力模型的CFD模拟方法,对系统中跟流动压降相关的关键因素进行了分析,得出了固氮体积分数、氮浆流速、管道直径和固氮颗粒大小等参数对氮浆液固两相流在水平圆管内流动压降的影响情况.     

沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响

碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数.本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程以得到MOS-CNTFET电子输运特性.在此基础上系统地研究了沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET器件的漏极导通电流、关态泄漏电流、开关态电流比、阈值电压、亚阈值摆幅及双极性传导等输运性质的影响.结果表明:当沟道长度在15 nm以上时,上述各性质受沟道长度的影响均较小,而导通电流、开关态电流比及双极性传导特性与源/漏掺杂浓度的大小有关,开关态电流比与掺杂浓度正相关,导通电流及双极性导电特性与源/漏掺杂浓度负相关.当沟道长度小于15 nm时,随沟道长度减小,漏极导通电流呈增加趋势,但同时导致器件阈值电压及开关电流比减小,关态漏电流及亚阈值摆幅增大且双极性传导现象严重,短沟道效应增强,此时,通过适当降低源/漏掺杂区掺杂浓度,可一定程度地减弱MOS-CNTFET器件短沟道效应.     

一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器

本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法。     

IGBT的驱动和保护技术探析

IGBT不仅具有电压控制输入特性、低阻通态输出特性,还具有高输入阻抗、电压驱动、无二次击穿和安全工作区宽等优点,可以在众多领域替代GTR和功率MOSFET等器件。同时,由于它的结构特性,决定了它具有高速开关的能力,可以满足PWM技术的要求。     

具有非易失存储功能的可逆有机电双稳器件

报道一种能够在室温下具有可逆电双稳特性，并实现非易失信息存储功能的有机薄膜器件。器件为简单的三层结构，Al/HPYM/Ag，HPYM为一种有机分子材料，通过真空热蒸发法制成薄膜作为信息存储介质。该器件可通过正向及反向电压脉冲的激发而实现高阻态（“0”态）、低阻态（“1”态）的转变，相当于信号的写入和擦除。当外电场撤除时，其状态信息可以长时间保持，并且被小电压脉冲读取，两种导电态的阻值比约为10^5。     

逆向载荷下矩形通道内水流动沸腾临界热流密度

临界热流密度(CHF)是流动沸腾过程中一个重要的参数,在旋转平台上以蒸馏水为工质,采用单侧加热的矩形通道,对逆向载荷下两种不同加热方位下的流动沸腾CHF特性进行了实验研究,获得了逆载下发生临界换热时的质量流速、入口压力、实验段压降和壁温的变化特性。研究讨论了逆载、入口温度、质量流速和加热方位对CHF的影响。结果表明:临界换热现象发生时,壁温迅速上升,有效热流密度迅速减少,实验段压降增大,质量流速减小;逆载和质量流速越大,CHF越大;入口温度越高,CHF越小,同时加热方位对CHF也有明显影响。     

铋掺杂对SrTiO3薄膜微观结构及阻变行为的影响

采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的相结构,但随着掺杂比例的增大,晶粒尺寸也明显增大,当掺杂量x=0.16时,有Bi4SrTi4O15及TiO2相形成;不同Bi掺杂量的Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si器件均呈现出双极性阻变特性,且有明显的多级阻变行为。随Bi掺杂量的增加,器件的阻变性能逐步提高,当x=0.12时器件的高、低阻态电阻比值最大,达到105左右,并且在2 000次可逆循环测试下,高、低阻态电阻比未出现衰减,表现出良好的抗疲劳特性,但当掺杂量x达到或超过0.16后,器件的性能呈下降趋势。Bi掺杂量的增大会导致器件高阻态时的导电机制从空间电荷效应(SCLC)导电机制(x0.16)转变为肖特基势垒发射(x=0.16)。器件在低阻态下均遵循欧姆导电机制。     

微通道蒸发器在不同R404A充注量下的运行特性

以微通道换热器作为蒸发器,研究800、1 000、1 100、1 200、1 300和1 400 g R404A充注量下冷库内温度的变化及蒸发器的蒸发温度和压降变化。研究表明:在上述工况下,制冷剂的充注量越大,冷库的温度越低,降温速率越大,1 300 g和1 400 g库温降到最低,保持在-22℃;800、1 000和1 400 g充注量下,所对应的蒸发器内制冷剂分别以气态、气液两相及液态为主,相对应的压降为0.07、0.08和0.04 MPa,工质充注量超过1 300 g时,回气管端的温度明显低于进液管端的温度,出现蒸发温度漂移现象。     

增感染料在乳剂中聚集态的研究

本文通过七个硫碳菁染料在片状颗粒、卤素成份不同的乳剂中的试验,探讨了菁染料J—聚态形成的影响因素;染料超增感组合时,染料加入顺序对J—聚态形成及增感作用的影响;超增感剂对染料聚集态及增感作用的影响。     

H_2气氛保护热处理1J50组织结构与性能的研究

1J50软磁合金的性能主要是通过H2热处理获得的,在1130℃和H2气氛保护下对冷轧态1J50软磁合金进行了热处理。运用MATS-2010SA软磁测试仪对处理前后1J50软磁合金的磁性能进行了检测,运用金相显微镜、XRD等手段对处理前后1J50软磁合金的组织结构进行了分析。结果表明,通过H2热处理,1J50软磁合金的矫顽力显著降低,起始磁导率和最大磁导率提高;组织结构发生明显变化,冷轧态1J50软磁合金组织为孪晶奥氏体,平均晶粒尺寸为200μm,处理过后,晶粒显著长大,平均晶粒尺寸为100μm;由于在600℃时采取了快冷,处理后1J50软磁合金中未出现大量FeNi相和FeNi3相。     

一种可擦写可读出的有机电双稳器件

本文报道一种可连续可逆转换的有机电双稳薄膜器件,Al/TPR-1/Al/TPR-1/Al,其中TPR-1为有机分子材料,利用真空蒸发-紫外原位聚合的方法制作成膜.在器件中,两层交联的有机物中间夹一层很薄的铝膜.该器件在较低电压(＜3V)作用时呈现高阻状态,阻值大于108Ω;而在较高电压(约5V)作用时,则为低阻态,阻值约为105Ω.两种状态的电阻值比为103～105.高低阻态均可通过一个较小的电压(1V)读出,并且低阻态可以用反向电压"擦除",回到高阻.     

室温大气环境下过时效状态3J21合金拉伸性能

在万能拉伸试验机上对室温大气环境下过时效态3J21合金的拉伸性能进行研究,并采用金相显微镜对过时效态金相组织及物相进行分析,采用TEN对固溶态、过时效态试样及拉伸断口附近形变的显微组织进行分析,采用扫描电镜（SEN）对拉伸断口进行观察。结果表明室温大气环境下,过时效态3J21合金的抗拉强度和屈服强度较低,延伸率较大;过时效态合金的拉伸断口为韧窝断口,断口上滑移线之间的距离较大。文中对室温大气环境下过时效态对3J21合金拉伸性能的影响进行了讨论。     

小知识

什么是甲类、乙类、甲乙类功放甲类：甲类放大器是指放大器中的放大器件(晶体管、电子管)在被放大信号整个周期中都处于导通状态，并且被放大的信号始终处于放大器件的线性工作区。乙类：乙类放大器是指放大器中的放大器件只在信号的半周导通，信号只在半周内工作于线性区，即导通角为180°。因此在音频放大器中只能采用推挽电路，一只三极管放大正半周，另一只三极管放大负半周，这样才能完整地放大信号的整个周期。甲乙类：处于甲类和乙类之间，即放大器件的导通角在180°>360°时称为甲乙类放大。甲类放大器信号的连续性最好，但效率最低…     

"光子-买一赠三”--简评有机三线态电致发光材料与器件进展*

有机电致发光材料与器件的研究已取得了重要进展,但要实现高信息含量的应用,器件的稳定性和效率仍须进一步提高。基于量子统计理论的研究结果表明,只有25%的电子空穴复合能量生成单线态激子,对于一个纯荧光的发光材料,在理论上,其器件效率的上限是光致发光效率的25%。三线态发光材料的应用,理论上可有效利用所有的复合能量,从而大幅度提高器件效率,目前已成为有机电致发光领域的研究热点。综述了有机三线态电致发光材料与器件的进展。     

高能同步辐射光源(HEPS)氦低温传输系统模拟与计算

使用EcosimPro商业软件和关联式编程两种方法,对HEPS氦低温传输系统进行了模拟和计算,研究了管道内径和管道粗糙度对管道压降的影响。结果表明流动压降随着管道内径的增大而减小,但降低的幅度越来越小,当管道直径从30.8 mm提高至56.8 mm,压降仅降低了约510 Pa;流动压降随粗糙度的增加而增加,但管径越大压降增加越小,当管径为30.8 mm时,选用电抛光管压降下降了954 Pa;管道的漏热量和降温复温时间随管径的增大而提升。通过计算分析最终选择主干来流管道公称直径为DN25,内径为30.8 mm的普通金属管,分支来流管道公称直径为DN10,内径为14.6 mm的普通金属管,主干回流管道公称直径为DN50,内径为56.8 mm的普通金属管,分支回气管道公称直径为DN20,内径为23.8 mm的普通金属管,满足工程需求。