按小扇区擦除和编程的ATMEL Flash Memory及应用

文章以美国ＡＴＭＥＬ公司１９９５年新推出大容量按小扇区操作ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ２９Ｃ０４０Ａ（５１２Ｋ×８）为例，说明了ＡＴＭＥＬＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ与Ｉｎｔｅｌ２８Ｆ＊系列不同的设计特点，并结合在单片机系统的应用，介绍了其应用技巧和经验．     

长外腔半导体激光器的调谐连续性

可调谐外腔半导体激光器（ＥＣＬＤ）中的波长选择元件（如光栅，Ｆ－Ｐ标准具等）所选择的波长函数具有一定的频谱宽度，为实现连续调谐该宽度就应足够小，作为首次尝试，在研究了确保ＥＣＬＤ能在激光二极管的以共振长振荡所需的条件后，我们导出该谱宽不能超过的上限值。     

电视机常用名词中英文对照

ＡＮＴＳＯＣＫＥＴ(ａｎｔｅｎｎａｓｏｃｋｅｔ)天线插座 　ＡＦＡＭＰ(ａｕｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙａｍｐｌｉｆｉｅｒ)音频放大器 　ＡＣＫ(ａｕｔｏｍａｔｉｃｃｏｌｏｒｋｉｌｌｅｒ)自动消色器 　ａｕｔｏｍａｔｉｃｆｌｅｓｈｃｏｎｔｒｏｌ自动肤色控制 　ＡＦＣＢＡＬＡＮＣＥ(ａｕｔｏｍａｔｉｃｆｒｅｑｕｅｎｃｙｃｏｎｔｒｏｌｂａｌａｎｃｅ)自动频率控制平衡调节 　ＡＧＣＤＥＬＡＹ(ａｕｔｏｍａｔｉｃｇａｉｎｃｏｎｔｒｏｌｄｅｌａｙ)自动增益控制延迟调节 　ＡＧＣＤＥＴ(ａｕｔｏｍａｔｉｃｇａｉｎｃｏｎｔｒｏ…     

场致发射显示器发展近况

介绍了一种新型平板显示器－场致发射显示器（ＦＥＤ），它与液晶显示器（ＬＣＤ）相比具有更薄、视角宽、响应速度快和功耗低等优点。ＦＥＤ已在美国的ＰｉｘＴｅｃｈ公司开始生产。     

低温硅双极晶体管的研制与特性分析

采用多晶硅电极接触三区（发射区、基区、集电区）低掺杂同质结结构，已研制出电流增益在７７ＫｈＦＥ＝２２０—２９７；在６．２ＫｈＦＥ＝１２．３；在１０ＫｈＦＥ＝２１．７，β＝４２的低温双极晶体管．本文还用隧穿机理推导出ｈＦＥ（Ｔ）的新的表示式，很好地解释了这种器件的ｈＦＥ温度特性、Ｇｕｍｍｅｌ特性和ｈＦＥ－Ｉｃ特性．     

射线法研究外腔半导体激光器的调谐范围

利用由射线法导出的广义两段式半导体激光器的输出光谱的表达式，讨论了外腔式半导体激光器（ＥＣＬＤ）的调谐范围，当ＥＣＬＤ调谐到半导体激光二极管的共振波长附近振荡时，可以重到ＥＣＬＤ的最大调谐范围；当激光器调谐到半导体激光二极管的反共振波长附近振荡时，可以获得ＥＣＬＤ的准连续调谐范围；同时，还求得了实现准连续调谐所需的面向外腔的半导体二极管端面的反射率。     

FLEX编码体制详释

文章对ＦＬＥＸ编码体制作了比较详细的注释，同时讨论了ＦＬＥＸ编码系统的一些要素。主要内容包括ＦＬＥＸ编码系统在整个寻呼系统的地位和ＦＬＥＸ帧结构；ＦＬＥＸ的几个一般参数及ＦＬＥＸ的实现，其中包括与漫游相关的几个参数的讨论，如同播系统标识（ＳＳＩＤ）、网络标识（ＮＩＤ）、帧偏置、最大跨帧数（Ｍａｘｉｍｕｍ Ｃａｒｒｙ Ｏｎ）和系统信息发送等。     

新品快递

安捷伦推出新款光纤收发器安捷伦科技公司为千兆以太网、ｉＳＣＳＩ（网际协议小型计算机系统接口）和光纤通道开发出了３款小封装可插拔（ＳＦＰ）光纤收发器。这些新款收发器的电磁干扰（ＥＭＩ）辐射达到了业内最低水平 ,使网络设备制造商可以在系统中同时采用２００多支安捷伦ＳＦＰ收发器 ,端口密度比其它ＳＦＰ解决方案提高了８倍。安捷伦推出的这３款收发器分别是ＨＦＢＲ -５７１０Ｌ、ＨＦＢＲ -５７０１Ｌ和ＨＦＢＲ -５７３０Ｌ ,它们的工作电压为３．３Ｖ ,采用波长为８５０ｎｍ的氧化物ＶＣＳＥＬ（垂直腔表面发射激光器）光源…     

实用型掺铒光纤放大器模块

实用型掺铒光纤放大器模块清华大学电子工程系新近在国内首次研制出９８０ｎｍ和１４８０ｎｍ两种ＬＤ泵浦的ＥＤＦＡ实用型模块，并于１９９３年１２月通过了国家教委主持的鉴定。两种模块现已稳定、可靠地试用于光纤通信系统实验，首次在国内实现了四路ＷＤＭ（波长间隔...     

FLEX协议在联网寻呼中存在的问题及解决方法

一、概述 随着寻呼业务的飞速发展,频率资源越来越紧张,传统的低速ＰＯＣＳＡＧ１２００ｂｉｔ／Ｓ的传输速率已很难满足要求,随之高速寻呼应运而生。高速寻呼由于频率利用率高。误码率低、省电和适宜传送长信息（提供增值服务）等特点,日益受到运营者和用户的欢迎。目前高速寻呼协议主要有ＥＭＭＳ、ＦＬＥＸ、和 ＡＰＯＣ三种,国内主要采用ＦＬＥＸ和 ＡＰＯＣ二种协议。 高速寻呼协议与传统ＰＯＣＳＡＧ协议的主要差别为高速寻呼协议采用全同步方式,这一点在单个寻呼台时不太明显,但在联网寻呼时确能造成用户丢呼,甚至长时间收不到信息的情况。本文以ＦＬＥＸ 协议为例,分析产生这一现象的原因,探讨解决这一问题的途径。 二、 ＦＬＥＸ协议 ＦＬＥＸ帧结构如图１所示。它一次传输为４分钟,称为１个周期,每小时传输１５个周期,编号从０到１４,１个周期包含１２８帧,编号从０到１２７。第０周期的第０帧必须在每个小时的整点发出。每帧时长为１．８７５秒,包含１个同步块（时长１１５ｍｓ）和１１个数据块（每个数据块时长均为１６０ｍｓ）。同步块中包含了同步码、周期号、帧号等。ＦＬＥＸ系统同步要求为： １．必须连续保持ＦＬＥＸ帧同步; ２．每分钟至少发送一个ＦＬＥ...     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。     

双极晶体管hFE低温失效分析及使用可靠性

论述了影响双极晶体管电流增益ｈＦＥ低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试计算出了ｈＦＥ的低温下降值，并对实测值与计算值的差异进行了分析，最后指出了改进ｈＦＥ温度特性的具体途径。     

FLEX码

ＦＬＥＸ码左丹（重庆通信学院重庆６３００３５）ＦＬＥＸ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＨｉｇｈＳｐｅｅｄＰａｇｉｎｇ）码是Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司于１９９３年提出的一种高速寻呼编码．ＦＬＥＸ寻呼系统有着显著的特点：（１）灵活性好．ＦＬＥＸ编码速率可达１６００、３２００...     

EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响

在建立的理论模型基础之上,定量地分析了ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响,指出位于本征费米能级以下的ＥＬ２能级是影响ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压大小的主要因素,ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响程度与ＥＬ２能给的缺陷密度呈线性关系。     

一种高性能的低温硅双极晶体管

本文设计并研制出在液氮温度下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．６的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平，测量了该器件在７７Ｋ的Ｉｃ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。     

RTP改善超薄SiO2膜特性的研究

超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。     

1994年度的自由电子激光器概况

自从短波长自由电子激光器（ＦＥＬ）在斯坦佛大学首次运转以来过去了十八年，至今已取得许多巨大成就，本文讨论红外、呆见、紫外和Ｘ射线波长区的自由电子激光器的概况。     

有机薄膜电致发光的回顾和展望

综述了有机薄膜电致发光（ＯＴＦＥＬ）的发展过程，总结了ＯＴＦＥＬ的四种器件结构和工作原理，介绍了器件的制备并了选择有机发光材料的基本原则，文末展望了ＯＴＦＥＬ的应用前景。     

非零色散位移大有效面积光纤百DWDM系统中的应用

首先简单介绍对ＤＷＤＭ系统的考虑,重点强调光纤的非线性效应,然后介绍了康宁公司开发的大有效面积光纤ＬＥＡＦ。主要内容包括ＬＥＡＦ光折的折射率分布设计、典型光学特性、有效面积及其测量方法和ＬＥＡＦ光纤在通信系统中的应用。     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓ ＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟的１００ｐｓ、单门功耗的１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型Ｄ