(Ni_(1-y)~(2+)Co_y~(2+))(Co_(2-x)~(3+)Fe_x~(3+))O_4系NTC热敏半导瓷新材料的研究

本文报导一种低温NTC热敏电阻的新材料——(Ni_(1-y)~(2+)Co_y~(2+))(Co_(2-x)~(3+)Fe_x~(3+))O_4系半导体陶瓷,该材料系尖晶石结构。当Ni~(2+)和Co~(2+)、Co~(3+)和Fe~(3+)按适当摩尔比共存于尖晶石相时,NTC热敏电阻器阻温特性的线性度得到改善,而且线性测温区域可向低温方向扩展。实验发现,当x=1.25,y=0.5时,线性测温区域为-70～200℃,若再加入适量的RuO_2,则线性测温区域可扩展为-90～200℃之间。 本文对热敏半导瓷的微观结构和导电机理也进行了研究。     

镍酸铜系列氧化物对乙醇敏感性的研究

本文研究了以不同方法制备所得的! ? # ?% ?? 钙铁矿乳化物和用& ? ( ) 调变! ? ’ ) , ? + ’ 十与, ? . 」部分取代# /’ ) 的复合乳化物, 以及由&? ’ 十 取代! ? ’ 斗的尖晶石结构乳化物的酒 敏特性0 讨论了结构、杜度与材料气敏性的关系1 发现用峭酸盐分解法制备的! ? # ?% ?? 具 有最佳的响应特性, 用& ? ’ 十调变! ? ??弓十, ? 2 ?? 十和, ? ’ 同时也发现! ? . # ?% 礴 , 十取代# /’ ) 则可改变响应特性和材料具 有最高灵敏度时的工作温度1 具有很高的乙醉灵教度1     

新型NTC热敏电阻材料—含铜Mn系铁氧体的研究

研究了含铜Mn系铁氧体的阻温特性,目的是用廉价的铁氧体取代价格昂贵的、传统的Mn Ni Co氧化物、负温度系数热敏电阻。通过Cu~(2+)离子取代Fe~(2+)离子或Mn~(2+)离子,及改变淬火工艺,可以改变Mn系铁氧体整体电阻率ρ和材料参数B,得到可与传统氧化物器件相比拟的性能。     

陶瓷传感器的现状与发展趋势(Ⅲ)

7.光电传感器光电传感器历来是半导体器件的独特领域,随着透明陶瓷的出现,对陶瓷材料的光电特性研究也日趋活跃,本文仅讨论典型的三类陶瓷材料.7.1 Cd(SSe)光敏电阻CdS是目前灵敏度最高的光电导材料之一,它的制造与一般陶瓷膜的生产相似.纯CdS光敏电阻结对可见光的灵敏度还不够理想,为提高光敏电阻的灵敏度,需要掺入Cu~+,Ag~+,La~(3+),Al~(3+)和Cl~-,这些离子起到了敏化作用和杂质补偿作用,因而使暗电阻和亮     

Fe2O3的CO气敏特性的研究

本文研究了γ-Fe_2O_3材料的制备和掺杂对CO气敏特性的影响。实验表明用硫酸盐制备的γ-Fe_2O_3材料具有相对高的灵敏度,进行适当的Ti-Rh复合氧化物掺杂又明显提高了γ-Fe_2O_3材料对CO的灵敏度。讨论了该掺杂的量对CO灵敏度的影响,及相应元件的基本性质。     

ABO3材料对乙醇敏感特性的研究

本文从LaFeO_3、LaSrFeO_3等多种复合氧化物材料的制备出发,分析了制得材料的一般结构和性质。用这些材料制得的元件对乙醇和其他气体的气敏特性进行了测量和比较,表明用(NH_4)_2CO_3沉淀混合硝酸盐溶液制得的材料灵敏度较高,其中尤以LaSrFeO_3材料制得的元件有更高的灵敏度和选择性,很少受汽油、CO、H_2、C_4H_(10)等的干扰。     

微机模拟处理pH络合滴定法研究——Ⅱ.终点确定方法和最佳实验条件模拟估计程序

本文利用简便的滴定过程模型,确立了微机模拟处理实验数据,方便、准确地求解络合滴定等当点的方法。设计了最佳实验条件模拟估计程序。该法测定Zn~(2+),Pb~(2+),Cu~(2+),Fe~(3+)结果的相对误差Δ<1％。pH=6-7时,测定Ca~(2+)的相对误差为-1.61％;σ<0.001mmol,(N=5)。     

高灵敏线性热敏电阻新材料的研究

<正> 本文叙述的钴铁氧(CFO)系半导体陶瓷材料,在-100～+200℃内,具有线性的电阻 温度特性,而且机械性能、物化性能和电气性能非常稳定,是一种低价格的、高灵敏的线性热敏电阻的新材料。 制备时,按不同的摩尔数x(0≤x≤2),构造钴铁尖石结构Co~(2+)(Co_(2-x)~(3+)Fe_x~(3+)O_4,将相应     

纳米SmFeO3的合成及其H2S敏感特性研究

以无机物K3[Fe(CN)6]和Sm2O3为原料,用热分解配合物前驱体法制备了复合氧化物SmFeO3纳米粉体.用X-射线粉末衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM)对产物的物相、形貌进行了表征.结果显示:热分解法在煅烧温度为600℃即可生成纳米晶SmFeO3,TEM显示产物为均匀的椭球形颗粒,充分表明该方法制备的材料具有良好分散性,且纯度较高.将合成材料制备成旁热式气敏元件,气敏性能测试结果表明:合成材料对H2S具有高的灵敏度和选择性,在最佳工作电压4 V时对50μL/L H2S气体的灵敏度可达21.3倍,相对干扰气体C2H5OH来讲其选择性系数为4.44倍.而且响应很快,约2 s,但恢复稍慢,40 s左右.     

氧化物半导体甲烷敏感元件研究进展

介绍了氧化物半导体甲烷气体敏感元件的工作机理,论述了改善氧化物半导体甲烷气敏传感器性能的几种途径.采用加入催化剂、控制材料的微细结构、利用新制备工艺和表面修饰等新方法、新技术可提高氧化物半导体甲烷气敏元件的灵敏度、选择性、响应和恢复特性、稳定性.     

氧化物电极在氧化锆氧传感器上的应用

用三电极法测量了La1-xSrxMO3 (M :Co ,Mn ,Fe) /ZrO2 电极系统在 40 0～ 80 0℃温度范围内的极化曲线 ,用数学模拟方法从中分离出电化学过电位 ,发现La0 .5Sr0 .5CoO3 的电极阴、阳极特性相近 ,而La0 .5Sr0 .5MnO3 作阴极时的活性高于阳极 ,并且La0 .5Sr0 .5MnO3 阴极已成功应用于工作温度低于 80 0℃下的ZrO2 电压型氧传感器中。     

Screen printed thick films of NiO and LaFeO3 as gamma radiation sensors

Thick films of nickel oxide (NiO) and perovskite type LaFeO₃ were investigated for γ-radiation dosimetry purposes. Samples were fabricated using the thick film screen printing technique. These films were exposed to a ⁶⁰Co γ-radiation source with a dose rate of 6 Gy/min. The effects of γ-radiation on both the optical and the electrical properties of NiO and LaFeO₃ films were studied. Absorption spectra for the specimens were recorded and the values of the optical band gap for as-printed and γ-irradiated films were calculated. It was found that the optical band gap values decreased with the increase in radiation dose. To study changes in the electrical properties of the materials, two types of specimens having sandwich metal–semiconductor–metal structure were made with layers of NiO and LaFeO₃, respectively. Commercial DuPont 4929 silver paste was used to manufacture electrical contacts. It was observed that radiation induced changes in the electrical properties for both types of thick films, e.g. values of current decreased with an increase in radiation dose. It was found that annealing restored both the electrical and the optical properties of the samples.     

半导体乙醇传感器的湿度影响与氧化铌的应用

详细考察了湿度对SnO2系半导体乙醇传感器的影响,实验表明:环境湿度会使三价金属氧化物掺杂的SnO2半导体材料灵敏度下降,其中以氧化镧掺杂的SnO2系乙醇传感器衰减严重,在相对湿度90%RH(25℃)的环境中3×10-4体积分数的乙醇信号衰减率达到30%~40%,这种现象同样存在与In2O3和A l2O3掺杂体系的传感器上。以Nb2O5为掺杂剂的传感器体系湿度引起的灵敏度衰减轻微,用1.5%Nb2O5和0.5%La2O3配合使用的掺杂剂湿度影响较小,同时,传感器对乙醇灵敏度和选择性较好。     

Gas-sensing property and mechanism of CaxLa1−xFeO3 ceramics

LaFEO₃ and Ca_xLa_1−xFeO₃ ceramic powders have been prepared by the coprecipitation method from La(NO₃)₃, Fe(NO₃)₃ and Ca(NO₃)₂ aqueous solutions. The orthorhombic perovskite phases of LaFeO₃ and Ca_xLa_1−xFeO₃ are characterized by X-ray diffraction patterns. The sensors fabricated with those powders have high sensitivity to alcohol. Partial substitution of La³⁺ in LaFeO₃ with Ca²⁺ can enhance the sensitivity of the materials to reducing gases. The resistance of an LaFeO₃ sensor in air, vacuum and alcohol-containing air has been measured. Complex impedance spectroscopy has been used to try and analyse the gas-sensing mechanism. According to the experimental results, it can be deduced that the surface adsorptive and lattice oxygen govern the sensing properties of LaFeO₃ and Ca_xLa_1−xFeO₃ ceramics.     

Nd_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3热敏和气敏性质的研究

本文研究了稀土复合氧化物Ln_(0.5)Sr_(0.5)CoO_8(Ln=La,Nd)敏感材料的制备.用X-射线测定了它们的晶体结构,用电子扫描显微镜测定了它们的结晶粒度、孔隙度,并制成了敏感元件.测量了它们的热敏、气敏性质,计算了活化能,还讨论了烧结时间对结晶粒度和气敏性的相互影响.     

WO_3掺杂NiO的气敏性能研究

用水热法制备出NiO纳米粉体,对其进行了WO3系列掺杂。利用XRD对产物晶相结构进行表征,测试了掺杂材料的气敏性能。结果表明:适量WO3的掺杂明显改善了NiO材料的气敏性能,其中,掺杂质量分数为6%的气敏元件性能最好,350℃时对Cl2的灵敏度可达到37.5,200℃时对H2S的灵敏度可达30.4。说明该元件在不同温度下对不同气体具有选择性,且该元件对H2S响应恢复快。     

SnO_2-ZnO复合膜特性研究

用真空蒸发的方法,在1.33×10-3Pa的真空中,蒸发SnO2,ZnO获得超微粒结构的SnO2-ZnO复合膜。当复合膜中ZnO质量分数为20%时,SnO2-ZnO复合膜对乙醇气体的灵敏度为40,膜的方电阻值也较低,为0.01×103Ω/□。复合膜经热处理后,其电学性能也得到改善,当温度t=600℃时,ZnO质量分数为20%的SnO2-ZnO复合膜热处理后,其膜对乙醇气体有较高的选择性,灵敏度为60。当t=400℃时,对掺有Sb2O5质量分数为450×10-6,ZnO质量分数为20%的SnO2-ZnO复合膜进行热处理,其方电阻仅为0.003×103Ω/□,具有优良的导电性能。     

掺杂Au改善SnO2甲苯气敏元件性能的研究

SnO2掺杂Au,WO3,La制备了纳米材料,采用丝网印刷方法获得平面厚膜型甲苯气敏元件,通过测量材料的气敏特性和复阻抗谱,探讨了掺杂对元件的灵敏度、选择性和响应速度的影响。结果表明：Au掺杂能极大地提高元件对甲苯的灵敏度,在体积分数为100×10^-6甲苯气氛中灵敏度达35,元件的响应时间约为20s,恢复时间约为10s,对乙醇、甲醛、丙酮和苯气氛有良好的选择性。复阻抗分析说明对甲苯气氛的灵敏度来源于晶界电阻和晶界电容的变化。灵敏度提高与掺Au有效地改善了界面的氧吸附效应有关。     

背景光辐照下SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)的力致发光性能实验研究

SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)作为一种力致发光材料,因其力致发光强度高而受到广泛的关注.但SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)力致发光强度随余辉衰减时间延长而减弱,这一特性阻碍了它在应力传感器中的实际应用.针对这一问题,本文采用小球下落冲击法,研究了背景光照射下SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光材料的力致发光特性.相比无背景光条件下的力致发光,采用的365 nm背景光持续辐照SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+),可以使其力致发光强度不受余辉衰减时间影响,并能够提高力致发光强度及灵敏度.这一结果有助于推动SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)在冲击力传感领域的应用.     

钙钛矿型氧化物半导体Ln_(1-x)Sr_xCoO_3气敏机理的探讨

本文对稀土钙钛矿型氧化物半导体Ln_(1-x)Sr_xCoO_3本身的导电机制进行了叙述,并对其气敏机理进行了探讨。指出其导电机理可用“通过体原子价控制的空穴跳跃的极化子模型”来解释。