基于软件总线与Web/Java技术的EPON网络管理系统

在提出EPON网管系统的体系结构和功能需求的基础上，使用软件总线和Web／Java技术，设计了基于消息总线的EPON网管系统软件结构，EPON网管系统包括图形用户界面、后台管理程序、消息总线(消息请求代理)、网管接口程序和数据库五部分，本讨论了EPON网管系统的配置管理模块、故障管理模块、拓扑管理模块、性能管理模块、用户管理模块和业务管理模块的设计，并给出了此EPON网管系统的实现情况。     

复活电子管的几点体会

我们对EG 1-0.3/8.5(866)汞气管进行了复活实验,180只旧管复活了130只(复活率达70%)。并对FU-5(805)、FU-7(807)等电子管进行了激活处理,恢复了11只FU-5管(复活率达60%)、15只FU-7管(复活率达62.5%)。现将我站复活电子管的体会介绍如下。     

读出电路的输出摆幅和线性范围研究

焦平面读出电路的一种常用结构是以电容跨阻抗放大器(CTIA)作为输入级，相关双采样(CDS)方式提取信号并抑制噪声，源跟随器方式输出信号。本文比较了在不同的采样开关管和源随器组合方式下，电路的输出摆幅和线性范围的变化。并通过分析不同类型的开关管和源随器的输入输出特性，指出了这种变化的原因。最后得出结论，应当根据积分电容的积分端电压的变化方式，来选择适当的开关管和源随器组合，以获得最大的输出摆幅和线性范围。     

朗讯cdma 1x基站分组管宽度的配置

简单介绍朗讯系统cdma 1x基站分组管(PP)宽度的配置，并对朗讯cdma 1x基站分组管宽度不合理的配置及信道板扩容后的PP宽度配置进行了案例分析。     

硅纳米管结构和电子性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,研究了(5,0)和(5,5)硅纳米管结构和电子性质。计算结果表明:(5,0)管硅原子相邻键长波动范围为0.068 nm,大于(5,5)管的0.006 nm;通过对(5,0)管的分波态密度进行分析发现,其3s电子和2p电子能量分布在-13～3 eV,但2p电子集中分布在能量较高的-6～3 eV,出现了明显的sp3轨道杂化。同时对(5,0)和(5,5)硅纳米管最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙进行了分析,发现两种管导电性能与结构的手性相关,锯齿型(5,0)管能带交叠具有明显的金属性,而扶手型(5,5)管能隙为0.151 eV是半导体纳米管。     

显像管寻闯新路

短管显像管(CRT)与普通管相比。有同样的视角范围．却能省下30％以上的空间深度，以市场上各家厂商推出的19英寸短管CRT为例，其深度约相当于一般17英寸管，至于17英寸短管所占空间则与14英寸CRT相同。     

潘尼管和回旋管的比较

简要叙述了回旋管和潘尼管在高频结构中使用磁控管型波导和回旋谐波工作的进展，对两种管于(用圆波导磁控管型波导为高频电路)在工作原理上以及谐波工作性能上的主要异同点进行了比较。提出潘尼管将是满足毫米波通讯毫米波雷达发展所需要的先进的快波器件。     

大功率管的再生

许多大功率管由于H_(FH)太低(≤10)而无法使用。还有些饱和压降太大,实际上也是H_(FH)太低所致。此时只要在测V_(ces)(饱和压降)时加大基极注入电流I_b,V_(ces)就迅速减小了。对于这类管子,可加接一只小功率管组成复合管,就可当作一只理想的大功率管使用,如图。加接管的BV_(ceo)应大于原大功率管,为了安全起见,最好等于取1.2～1.5倍。因小功率管BV_(ceo)高一些价格增加不多,而大功率管BV_(ceo)稍大一点则贵不少。此外,后加管的f_r、T_(off)、I_(ceo)、H_(FE)均应优于原大功率管,这在选用正品小功率管时很容易到达。当电路要求很高,即高H_(FE)、趴高反压BV_(ceo)即使用正品大功率管也难满足要求时,也可用这种方法来到达。国外某些产品如2SD961、2SD962在管壳内就做成复合     

天津NEC公司开发了NEAX61∑与NOMA的网管接口软件

近年来，由于用户对网络管理需求的日益加深，迫切需要一种桥梁将NEAX61∑交换机与NOMA网管联系起来。为了满足用户的要求，天津日电电子通信工业有限公司(天津NEC)开发中心网络智能化室开发了“NEAX61∑-NOMA网管接口软件系统”，其软件系统模块图如图1所示。     

IR推出联合封装二极管的增强型高频IGBT

功率半导体领导厂商国际整流器公司(IR)宣布推出IRGP50860PD，这是一款600VNPT型IDBT，其中联合封装有一个工作频率高达150kHz、电流25A的HEXFRED二级管。这一新品的推出，成功扩展了高频IGBT／HEXFRED二极管联合封装器件群的WARP2产品系列。     

内含HEXFRED二极管的增强型高频IGBT

国际整流器公司(IR)宣布推出IRGP50860PD，这是一款600V NPT型IGBT，其中联合封装有一个工作频率高达150kHz、电流达25A的HEXFRED二级管。这一新产品的推出成功扩展了高频IGBT／HEXFRED二极管联合封装器件群的WARP2产品系列。     

硅基OLED数字型像素驱动电路MOS管尺寸对数据写入的影响

以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例,分析了开关管尺寸对数据写入的影响.提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路,用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能.另外新型的像素电路与传统的SRAM结构相比,其数据写入不受开关管尺寸的影响,可...     

FS彩色显象管

自从东芝在1982年首次推出电视用的、平面荧光屏全方形(FS)彩色显象管以来,生产了110°偏转、29.1mm管颈的28英寸FS管,以及90°偏转、22.5mm管颈(细管颈)的15、17、19和21英寸管(图 1)。因为FS管的荧光屏曲率半径是普通管的两倍左右,所以大大降低了环境光的镜面反射眩光。FS管还有一个特点:四个尖锐的管角,使边缘的图象     

SiC肖特基功率二极管在Boost功率因数校正器应用中的性能评估

实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。     

披着"龙袍"原来不是太子珑管系里谁是真"珑"天子

完全认识珑管显示器的奥秘老说珑管珑管，到底什么是珑管？所谓珑管，其实就是特丽珑和钻石珑显像管的简称，由于这两种显像管是将光栅纵向固定在框里代替以往的荫罩网，所以也叫作荫栅式显像管。SONYFDTrinitron(特丽珑)FD特丽珑是特丽珑的改进型，通过拉伸水平方向的屏幕获得纯平效果，而显示效果仍旧保持了特丽珑一贯的特色。FD特丽珑采用了SONY独有的单枪三束技术(将红绿蓝三个原本独立的电子枪有机地融为一体，使聚焦更准确，亮度更高，色彩更艳丽)，栅距为0.24毫米，要比其他荫罩式显像管精细一些。荫栅式显像管由于是通过将光…     

基于CORBA技术SDH网管EML-NML接口设计实现

文章主要分析了使用CORBA技术在SDH网管的网元管理层(EML)网络管理层(NML)中应用的利弊，并提出了EML和NML的接口的设计模型和具体实现方案。     

单电子数据转换电路

提出了两种新型的由单电子晶体管、MOS管和电容组成的数模转换(ADC)和模数转换(DAC)电路. 这种混合ADC和DAC电路可在室温条件下工作且负载能力大，功耗低. 对这种混合单电子晶体管和MOS管的ADC和DAC电路进行了仿真，仿真结果表明两种电路能够在室温条件下正常工作. 采样频率达到100MHz以上，功耗约为0.1μW.     

关于真空开关管ODS清洗剂替代技术试验总结报告

按照ODS特别工作组拟定的工作目标，采用HEP-2和HT-1与原使用的CFC-113对真空开关管常用的7种零件和部件进行清洗对比试验。检测分析结果表明，HEP-2清洗效果优于CFC-113和HT-1。采用HEP-2清洗的波纹管(真空开关管的结构件)进行了耐腐蚀性和机械寿命试验，其结果与CFC-113无明显差异。采用HEP-2清洗的真空开关管零、部件进行了整管试验，其参数合格并按规定通过了型式试验。各项试验表明，HEP-2基本上可以作为目前CFC-113的主要替代品。     

影响夜视仪器观察因素的分析

系统分析了影响夜视仪观察的基本因素。从外部因素(人眼及视觉、辐射源、大气效应)与内部因素(像管、夜视仪的光学系统、高压供电系统)分析了各影响因素的本质和产生影响的特点，以此来论述夜视仪的发展依据及正确使用所应注意的问题。     

NEC在中国建立生产基地

为了扩大液晶面板在中国国内的销售，提高液晶面板用光源冷阴极荧光管(CCFL)的竞争力，NEC光电总公司决定在上海建立液晶面板用光源冷阴极荧光管生产基地，公司名称为“NEC光电(上海)有限公司”，注册资本1亿人民币，是由NEC光电全额出资的独资公司，新工厂设在上海市青浦工业园区。公司于2004年10月成立，工厂将于明年4月份