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Nd:YAG三倍频,四倍频激光对兔角膜损伤阈值研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导了Nd:YAG三倍频(355nm)及四倍频(266nm)紫外激光的兔角膜损伤阈值,其ED_(50)分别为404.8mJ/cm~2和43.7mJ/cm~2。 相似文献
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《电子技术》1986,(2)
微波设备产生的微波泄漏对人体的危害,既取决于辐射强度,又与辐射剂量有关。因此,在制订微波泄漏卫生标准和进行卫生学评价时,有的国家除规定最大允许强度,还相应规定一日最大剂量,例如捷克规定连续波最大允许强度为25μW/cm~2,一日剂量不超过200μWh/cm~2,脉冲波最大允许强度为10μW/cm~2,一日剂量不超过30μWh/cm~2;美国规定在任何6分钟内,平均能量密度(即剂量)不超过0.1mWh/cm~2;我国微波卫生标准规定,连续波最大允许强度为50μW/cm~2,一日剂量不超过400μWh/cm~2,脉冲波最大允许强度为25μW/cm~2,一日剂量不超过200μWh/cm~2。等。为保护微波作业人员安全,除应测定环境中的微波辐射强度,还需测定微波辐射剂量。JW-1型微波剂量仪将为劳动保护和卫生学研究提供有效检测手 相似文献
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《红外与毫米波学报》2021,(3)
基于分子束外延(MBE)生长技术获得了高量子效率的InAs/GaSb T2SLs中波红外(MWIR)光电探测器结构材料,表现出了层状结构生长的光滑表面和出色的晶体结构均匀性。此超晶格中波红外探测器的50%截止波长约为5.5μm,峰值响应率为2.6 A/W,77 K下量子效率超过了80%,与碲镉汞的量子效率相当。在77K,-50 m V偏压下的暗电流密度为1.8×10~(-6)A/cm~2,最大电阻面积乘积(RA)(-50 m V偏压)为3.8×10~5Ω·cm~2,峰值探测率达到了6.1×10~(12)cm Hz~(1/2)/W。 相似文献
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分别用7.48J/cm~2和14.96J/cm~2能量密度的氦氖激光辐照23份液氮冷冻前人的精液,冻贮三个月后复温查精子活率和毛细管穿透高度。结果:经7.48J/cm~2剂量的激光辐照后的精子活率和穿透高度明显提高,分别平均提高10.18%和8.32mm,与未受辐照组比较差异显著(P<0.05)经14.96J/cm~2辐照组,活率较未照组降低。实验结果说明适当剂量的激光辐照能够增强精子对冷冻的耐受力,提高精子的复活率和活动力。 相似文献
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用22.6J/cm~2、45J/cm~2、90J/cm~2的He-Ne激光辐照甜橙种子,通过检查根尖、茎尖有丝分裂中染色体的行为,发现经辐照的材料有丝分裂异常率均高于对照组.在辐照剂量内,异常率随辐照剂量的增加而提高.实验还表明,经辐照的材料,有的细胞染色体数目成倍增加,细胞有丝分裂后期表现异常,同时,还出现多极分裂现象和间期细胞出现微核等细胞学效应. 相似文献
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《中国激光》2016,(10)
在氩气的保护下,用具有振镜扫描系统的500 W光纤激光器辐照预置在单晶硅基体上的纳米石墨颗粒。探究了不同激光能量密度下,受激光辐照后的转变产物显微形貌和晶体结构。用透射电镜(TEM)、拉曼光谱、X射线衍射(XRD)分析了所获产物的显微形貌和晶体度。当激光能量密度达到3.33kJ/cm~2时,转变产物的尺寸与原始颗粒尺寸相比有所增大;当激光能量密度达到4.17kJ/cm~2时,可以在样品颗粒表面观察到线状形貌;而当激光能量密度达到8.33kJ/cm~2时,产物由原始的多晶结构转变成了块状的晶体结构。实验结果表明:激光能量密度对单晶硅基体上纳米石墨颗粒显微形貌和晶体结构的转变有很大的影响。 相似文献
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利用溅射AES,Normaski显微术和IR吸收光谱研究了在空气中用调Q红宝石激光辐照的Si(100)面.脉冲能量密度为(0.8—2.5 J·cm~(-2)),脉冲宽度~30ns.实验结果表明,辐照后的硅表面没有形成>10A的SiO_2层,氧的沾污深度只有~50A. 相似文献
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Nd:YAG连续激光烧蚀碳纤维复合材料的过程观测 总被引:4,自引:1,他引:4
通过Nd:YAG激光辐照碳纤维/环氧树脂复合材料过程的高速摄像观测,得到了不同辐照功率密度下烧蚀过程中的主要现象.发现在低功率密度(50 W/cm2)下,主要是表面烧蚀机制,不会发生燃烧现象,在长时间辐照下,由于表层附近出现轻微的聚合物焦化分解,表面层出现粉末状和漂絮状的碳粉缓缓弥散空气中;在中等功率密度(300 W/cm2)下,体烧蚀机制占主要地位,内层分解气体喷出,在空气中点燃引起表面燃烧,主要燃烧表面聚合物;在高功率密度(4500 W/cm2)下是以表面烧蚀为主的质量迁移机制,在极短的时间(0.001 s)内表面层被破坏,瞬间燃烧,光斑中心出现喷射式的气化等离子体现象,并出现逐层烧蚀和各向异性热传导引起的烧蚀区形貌变形等现象. 相似文献
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本文提出了2000×2000线40×40cm~2AC TFEL 矩阵显示的理论可行性。令介质层电容为60nF/cm~2、发光层厚为1.3μm、发光效率为2.5lm/W,理论上可实现60cd/m~2、功耗50W 的大型 TFEL 显示板。 相似文献