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报道了一种具有宽带宽和高阻带抑制比的中国移动多媒体广播(CMMB)用滤波器.采用了梯形声表面波(SAW)陷波网络和LC高通滤波网络的综合设计结构,运用SAW谐振器的XTAL2等效模型和Murata电感元件构建原理电路,在ADS 2009中进行综合优化仿真得出滤波器的频响曲线,使滤波器的通带插损小于2.0 dB,阻带抑制大于43 dB,能很好地进行选频. 相似文献
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超级高性能(I.H.P.)SAW器件因具有优异的品质因数(Q)值及温度稳定性而备受关注。为用于宽带滤波器的研发,对双层结构(Cu电极/Y旋转5°切LiNbO3压电层/SiO2功能层/Si衬底)的I.H.P. SAW基底结构设计进行了研究。考虑质量加载效应,结合电极与压电层界面上的应力与自由电荷分布特点,采用精确的有限元/边界元法(FEM/BEM)理论进行研究。利用多层结构的连续性边界条件,计算多层复合格林函数以及谐振器导纳值,寻求谐振点与反谐振点之间最大频率差以优化基底结构尺寸。计算结果表明,对金属化比为0.5,结构周期(λ/2)为2μm的器件,当功能层、压电层、电极层厚分别为0.15λ、0.2λ、0.037 5λ时,谐振频率点为880 MHz,反谐振点为1 018 MHz,由此可获得138 MHz的最大频率差。此结论为应用于宽带滤波器的I.H.P. SAW器件的设计提供了指导。 相似文献
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该文应用耦合模理论,重点研究了几个关键因素对横向耦合谐振滤波器高次模式对应旁瓣相对于主通带相对衰减量的影响.这几个关键因素包括相对膜厚、反射栅与换能器周期比、换能器间汇流条宽度等.研究表明,该文在设计频率为159.2 MHz的横向耦合谐振滤波器时,对高次模式引起的旁瓣作了抑制处理,该文给出了此滤波器的计算模拟结果和实验测试数据.实验器件匹配后具有高阻带抑制(通带外抑制达50 dB)、低插损(2.9 dB)和平坦的通带(通带波纹小于0.3 dB),1 dB带宽为130 kHz. 相似文献
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该文设计了一款温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器,建立了弹性材料及压电材料温度方程,对滤波器的温度场进行仿真分析。通过在压电材料(128°YX-LiNbO3)上沉积SiO2作为温度补偿层,降低了滤波器的频率温度系数。为了解决在沉积SiO2温度补偿层后,谐振器的反谐振频率处出现杂散响应,通过增加电极厚度,降低了谐振器杂散响应对滤波器性能的影响。采用四阶级联提高滤波器的带外抑制。仿真结果表明,设计的TC-SAW滤波器中心频率为2 497 MHz,频率温度系数为-9.89×10-6/℃,-30~85 ℃工作温度范围内的带内最大插损为1.95 dB,带外抑制大于30 dB,-3 dB损耗带宽大于97 MHz。 相似文献
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主要介绍了一种窄带带阻滤波器的设计方法及过程,用此方法设计了一个7GHz的带阻滤波器,并使用ADS软件对此滤波器进行仿真优化。 相似文献
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对滤波器交叉耦合技术进行了研究,分析了交叉耦合的矩阵理论,并大致分析了其拓扑结构.从理论上提出了交叉耦合三维拓扑模型,相对于实际应用中的二维拓扑模型,这种结构更为简单,更能充分利用各个耦合腔之间的耦合结构.把交叉耦合结构应用于LC滤波器设计中,计算与仿真结果表明,这种结构可以减少滤波器元器件数目,降低成本,提高性能. 相似文献
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微波带通滤波器的准确设计及计算 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍了一种利用先进的EDA仿真工具进行微波带通滤波器准确设计的方法。根据给定的滤波器技术指标,确定滤波器类型、结构和最佳级数,并对带外抑制和插损进行估计。最后对滤波器的物理尺寸进行结构仿真和结构优化,达到最小的插损、带内波纹和理想的带外抑制特性,并用实际设计结果进行了验证。 相似文献
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有源低通滤波器仿真设计教学研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了如何应用PSpice仿真软件辅助设计"模拟电子技术"课程中有源低通滤波器这一难点内容。给出一阶和二阶有源低通滤波器的传递函数及电路参数的计算方法。本文通过一个项目实例进行电路结构选择、阶数计算和PSpice电路仿真,设计出五阶巴特沃斯低通滤波器。电路的测试结果与仿真结果基本一致,最后还对电路的噪声进行分析。 相似文献
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