多碱光电阴极光电发射过程研究

论述了多碱阴极及光致荧光的特点,测量了多碱阴极在514.5 nm和785 nm波长激光激发条件下的荧光谱.结果表明,多碱阴极在514.5 nm波长激光激发条件下,荧光峰值强度比785 nm波长激光激发条件下荧光峰值强度强40倍,说明514.5 nm波长的电子跃迁几率低于785 nm波长的电子跃迁几率,同时514.5 nm波长激光激发的荧光峰值波长为860 nm,而785 nm波长激光激发的荧光峰值波长为870 nm,514.5 nm波长激光激发的荧光峰值波长与激发光波长的偏移为345 nm,而785 nm波长激光激发的荧光峰值波长与激发光波长的偏移仅为85 nm,说明514.5 nm波长激发的跃迁电子的能量损失远大于785 nm波长激发的跃迁电子的能量损失.原因是短波光子的能量较高,所激发的跃迁电子来源于较深能级,因此能量损失较大.多碱阴极的量子效率在2.11 eV 达到最大,当光子的能量大于2.11 eV以后,由于跃迁电子的能量损失随光子能量的增加而增加,因此多碱阴极的量子效率随光子能量的增加而减小.多碱阴极的量子效率与电子跃迁几率成正比,但实测的量子效率曲线与电子跃迁几率曲线的峰值波长不一致,原因是随着光子能量的增加,跃迁电子的能级也增加,当电子跃迁的几率达到最大并下降时,尽管跃迁电子的几率减小,但因电子跃迁的能级还在提高,因此量子效率仍在增加.只有当跃迁几率的因素超过能级的因素以后,量子效率才随光子能量的增加而减小,因此造成量子效率曲线的峰值波长与跃迁几率的峰值波长不一致.通过多碱阴极光致荧光谱的分析,揭示了多碱阴极电子跃迁过程中的客观规律,解释了多碱阴极量子效率在达到最大值之后,量子效率随光子能量增加而减小以及多碱阴极量子效率存在短波限的原因.     

可光生毫米波的单纵模双波长微片激光器研究

提出了一种用于光生mm波的单纵模双波长微片激光器。理论分析和实验研究了微片激光器单纵模双波长产生的机理。实验结果表明,当输入抽运电流为12A时,激光器输出的中心波长分别为1064．18nm和1064．50nm,波长间隔为0．32nm,对应的频差近似为85GHz;每个频率峰的-3dB谱宽为0．05nm,消光比大于22dB...     

低强度激光对软骨细胞增殖的生物刺激作用

八周龄健康SD大鼠的后肢胫骨平台分离培养 软骨细胞,用噻唑蓝(MTT)法检测细胞活性,研究了658、785nm 3种波长 低强度激光对大鼠关节软骨细胞增殖的影响。结果显示,在胎牛血清体积分数为2%和5%的培 养条件下,5J·cm－2的658nm激光 能明显 促进软骨细胞增殖;658、785nm 3种波 长低强度激光均能促进软骨细胞增殖 ,但是具有波长差异性和光剂量相关性。结果表明,低强度激光辐照具有在体治疗软骨损伤 的潜能。     

以P型GaAs为衬底的低阈值可见光半导体激光器

日本夏普中央研究所采用在P型GaAs衬底上生长n型GaAs层并设电流阻挡层的办法降低了可见光半导体激光器的阈值。所研制的可见光半导体激光器,其发射波长为781nm,阈值电流为20nA,同类器件波长为760nm时,阈值电流为25mA,波长为745nm时,阈值电流为35mA,全都实现了室温连续工作。纵、横模均为单模。λ=785nm的器件于70℃下加速试验的结果,1000小时阈     

掺Yb3+光纤环形激光器特性研究

本文利用国产半导体激光器泵浦掺Yb3+光纤环形激光器获得成功．掺Yb3+光纤长3 m,与1053 nm／980 nm波分复用器(WDM)构成交叉耦合型全光纤环形腔．总腔长为4 m,泵浦波长980 nm,激光波长为1042．3 nm,斜率效率9．6％,激光阈值低于0．5 mW,利用可调谐钛宝石激光器泵浦,得到该光纤激光器的最佳泵浦波长为978 nm．     

室温下稳定工作的多波长掺铒光纤激光器

对多波长掺铒光纤激光器进行了实验研究。通过在环形腔掺铒光纤激光器中引入一个全光纤相位调制器,在双折射光纤长度约为4．1m时,实现了室温下16个波长的稳定输出,波长间隔为0．8nm,满足ITU信道标准。而且通过改变双折射光纤的长度,可实现相邻时长间隔的精确调节。激射波长线宽小于0．1nm。功率谱比较平坦,在近12nm的谱宽内功率起伏小于dB。     

AlGaAs／AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征

设计并利用MOCVD在（311）GaAs衬底上生长了12．5个周期的Al0．6Ga0．4As／AlAs黄绿光分布式Bragg反射（DBR）体系，测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布，反射率90％以上，波长不均匀性在1．0％以下；利用了X射线双晶衍射对其进行结构表征，580nm波长DBR结构周期为84．5nm。     

深海微细光缆的研制

介绍了一种应用于深海微细光缆的设计和制作工艺,并测试了微细光缆的工作水深等性能。经测试,该光缆的外径为0．8mm,在波长为1310nm处衰减系数小于0．40dB／km,在波长为1550nm处衰减系数小于0．30dB／km,极限拉伸强度不小于500N。试验结果表明,该微细光缆可用于7km水深,并具有良好的综合性能。     

可编程波长选择与扫描全光纤行波环形腔激光器

利用可编程控制装置对光纤光栅的中心波长进行了线性调谐,在此基础上实现了可控波长行波环形腔激光器的运转,波长线性调谐范围可达5．9nm。通过精确控制,波长选择的复现性可达5．13×10-3nm,在检测仪器的精度范围内,波长调谐的线性度达R2=0.999,波长选择间限为0．156nm。     

高功率半导体激光器

德国LIMO公司发布了一种高功率半导体激光器-LIM050-L28x28-DL795-EX473。该激光器可以形成28mm×28mm×80mm的均匀光场．输出功率达到了50W．中心波长为794．8nm±0．2nm．波长稳定性极高,光谱宽度只有0．7nm。     

高功率半导体激光器

德国LIMO公司发布了一种高功率半导体激光器-LIM050-L28x28-DL795-EX473。该激光器可以形成28mm×28mm×80mm的均匀光场,输出功率达到了50W,中心波长为794．8nmi-0．2nm,波长稳定性极高,光谱宽度只有0．7nm。     

镶嵌晶体模型在计算KAP积分反射率中的应用

为了提高0．2～2nm软X-射线的空间分辨率,用晶格常数在纳米量级的LiF、PET、Mica和酞酸钾(KAP)四种晶体代替衍射光栅作色散元件。根据镶嵌晶体模型理论和量子散射理论,计算了KAP的积分反射率,计算结果表明KAP的积分反射率与波长有关,在0．61～2．23nm软X-射线范围内,KAP的积分反射率先随波长变长而降低,后随波长变长而升高,在1．83nm处的积分反射率最低,而能量分辨率在0．61～2．23nm软X-射线范围内一直随波长变长而降低。     

温控FBG式4通道波长可调准OADM研究

实现了一种带温度控制的基于FBG的4通道波长可调准光分插复用器(OADMs)。对用悬臂粱法调谐的FBG中心波长温度稳定性进行了研究,设计了一种灵巧的温度控制装置,解决了FBG中心波长可调谐和温度稳定性间的矛盾。测试结果表明,实现的OADMs在环境温度范围-20℃～ 60℃,中心波长变化小于0．004nm／℃,与未经温度补偿的悬臂梁调谐光栅相比温度稳定性提高了6．75倍。利用悬臂梁方法实现了FBC;中心波长的微调,调谐范围为1nm。4路OADMs的信道间隔为0．8m,上下路3dB通道带宽小于0．3nm,符合ITU-TG．692的要求。利用自制的FBG实现OADMs的邻道隔离度大于35dB。     

基于光纤Bragg光栅的光纤激光器实验研究

利用熔接在掺Yb^3＋双包层光纤两端的光纤Bragg光栅作为光纤激光器的谐振腔．用中心波长为976nm的半导体激光器（LD）为泵浦源,对D型内包层掺Yb^3＋双包层光纤进行泵浦,实现了25W的单模激光输出,输出波长为1085．6nm,峰值半宽（FWHM）为0．3nm,以及总体68％光-光转换效率。     

四倍频Nd∶YAG激光在高压氢气中的喇曼频移研究

利用Nd∶YAG固体激光器四倍频输出 (2 6 6nm)在高压H2 中的受激喇曼散射获得多波长的激光输出。当泵浦能量一定时 ,通过改变H2 压力得到了最佳的能量输出 ,2 99nm波长的激光能量为 3mJ,341nm波长的激光能量输出为 6 .1mJ ,398nm波长的激光能量输出为 2 .8mJ ,2 39nm波长的激光能量输出为 0 .8mJ,同时在 4 77nm ,5 95nm ,2 18nm ,2 0 0nm波段也有能量输出     

两种结构GaN基太阳盲紫外探测器

分别在金属有机化学汽相沉积（MOCVD）生长的i-Al0.33Ga0.67N／AlN／n-GaN和p-Al0.45Ga0．55N／i—Al0.45Ga0.55N／n＋-Al0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明,Au与i—Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结,响应波长从250—290nm,峰值（286nm）响应率约为0．08A／W;PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm,峰值（246nm）响应率约为0．02A／W。     

瑞祥电子的激光头数值孔径为0.45

瑞祥电子公司的KSS-240A激光头专为CD播放机而设计，具有较强的读取性能。其数值孔径为0．45，工作距离为2．1mm，焦距3．86mm，激光波长750nm至850nm。     

双端抽运的30 W光纤激光器实验研究

报道了双端抽运连续输出的掺Yb^3 双包层高功率光纤激光器。实验采用了中心波长在975nm附近的两种输出形式的半导体激光器(LD)作为抽运源，测量了不同抽运条件下的输出功率特性和光谱特性。在仅尾纤输出的半导体激光器抽运下获得了斜率效率为42％，峰值波长为1103．8nm的9．2W激光输出；在仅准直输出的半导体激光器抽运下获得了斜率效率为57％，峰值波长为1104．4nm的20．0W激光输出；当两个半导体激光器在双端同时抽运时，获得光纤激光最大输出功率为30．6W，输出峰值波长为1108．4nm，以及49％的总体光一光转换效率。     

4Gbit DRAM用的ArF准分子激光曝光技术

据日本《电子技术》1996年第8期报道，日本富士通公司为了1GbitDRAM的规模生产需要，开发了ArF准分子激光曝光技术，成功地形成了用于4GbitDRAM的0．13μm尺寸的图形。ArF准分子激光（波长193nm）因比原i线光学光刻（波长365nm）的波长短，所以必须同时开发新的光刻材料。该公司开发了环氧树脂类的单层胶（2MAdMA—MLMA）和超高分辨率技术。并结合移相掩模技术实现了最小线宽为0．12μm的图形。采用该技术适用于4GbitDRAM0．13μm尺寸的存储单元，单元尺寸为0．59μ×0．34μm，单元面积为0．20μm2。4Gbit DRAM用的ArF准分子…     

光纤光栅调谐特性的实验研究和分析

对光纤光栅的调谐特性进行了简单的理论分析和具体的实验研究，利用徽位移器(精度0．1μm)对光纤光栅进行纵向拉伸实验，实验中采用了先进的高分辨率光谱仪(分辨率为0．004nm)进行测试，实现了高精度的机械调谐和测试。实验结果比较理想，验证了理论分析的结果，两根光纤光栅分别实现调谐范围6．320nm和5．762nm，光纤光栅每拉伸约0．117％，Bragg波长位移1nm。同时发现，调谐前后的中心Bragg波长、反射率、透射谱几乎不变。