矩形金属机壳孔缝电磁耦合特性研究

针对矩形金属机壳上孔缝在高功率电磁环境下的电磁耦合问题,提出了一种使用模式匹配法和基于矩量法求解的混合位积分方程来分析孔缝电磁耦合特性的全波混合算法.该算法考虑了高次模、孔缝形状、孔缝厚度以及入射波极化方向等因素对电磁耦合特性的影响.通过将数值仿真结果与经典孔缝电磁耦合模型的测试结果进行对比,验证了该算法具有较高的准确性,与经典的时域有限差分法相比,该算法具有很高的计算效率.研究结果表明:有孔金属机壳在外界强电磁辐射条件下具有明显的谐振效应,在谐振频率点,耦合进入机壳的电场将大大增强,且孔缝附近以及机壳中心的耦合电场峰值要高于其他位置的耦合电场峰值;随着机壳表面上孔缝厚度的增加,耦合进入其内部的电场也在减弱;当机壳上的孔缝为矩形且入射波的电场极化方向平行于矩形缝隙的短边时,对应于该极化方向的孔缝电场耦合强度是所有极化方向中最强的.     

电磁干扰屏蔽技术(一)

本文较详细地、系统地论述了国外最近在解决电子设备电磁干扰方面的一些新技术。全文共分五部份,刊登于美国微波杂志82年6、7、8、9、10期上。为了便于读者了解全文的概况,译者先简略地介绍于后: 第一部份:从理论上论述发射体和感受器之间存在的各种干扰以及屏蔽效率(SE)计算的公式及图表。第二部份:论述在机柜、机箱面板上打孔与电磁干扰的关系。由于通风散热和监示设备工作状态的需要,免不了要在机柜面板上开较大面积的孔洞。为了防止电磁场的泄漏,而采用各种形式的金属屏蔽网,利用波导效应制成蜂窝状的屏蔽窗。用最新工艺将导电材料喷涂在塑料机壳和透明的塑料和玻璃上,既能达到良好的屏蔽,同时又满足监示设备工作状态之需要。为了解决缝隙部位所产生的干扰,在缝隙处使用导电屏蔽衬垫。第三部分:为解决缝隙干扰,常将屏蔽体加以密封,通常采用特制的橡胶。对于各种橡胶使用的环境条件以及它们与金属的共容性,这部份作了较详细的叙述。第四部份:提出三种方法来测量屏蔽衬垫。并引用了美国军用标准MIL—STD—285中所规定的测试方法,并提出一种测试屏蔽衬垫的传输阻抗装置的新方法。第五部份:详细地论述了屏蔽衬垫,并进入实质性设计。从衬垫形状到能承受多大压力;衬垫变形量,制造公差;以及与衬垫配合的法兰盘开口槽大小公差;将衬垫放入槽中盖板上用螺钉紧固时所需间距的计算公式。在本文中,讨论各种屏蔽、使用各种材料、计算各种屏蔽效率时,都涉及到工作频率、系统噪声的大小等电性能指标。文中具有较多的测试曲线和数据。工作频率从几千赫到一万兆赫,发射机输出功率从1W到50KW。这样带宽的频率范围和输出电平,可以说包括了大部份通信和雷达系统的工作频段。文中提到的新屏蔽材料,新工艺、测试新技术、屏蔽新结构;目前在国内少有甚至还未开展。这对于从事电子工艺线路、结构、工艺设计的同志来说有较大的启示和值得借鉴的地方。因为本文涉及知识面较广,特别是电路方面,加之本人外文水平较低,工作能力有限,难免有译错之处, 或不能充分表述原作者的意图,敬请读者批评指正,本人表示感谢!     

基于转移阻抗的方舱屏效计算方法

在方舱结构中,由于各种接缝及必要开口的存在,降低了方舱的屏蔽效能.为此需在缝隙或开口接触面处加装导电衬垫,以保持接触面间的电连续性,从而大大提高方舱的屏蔽效能.本文针对带有导电衬蛰的方舱,提出了一种基于转移阻抗的方舱屏效计算方法.并通过算例验证这一方法是可行的.     

越来越小的射频导电衬垫

随着使用射频导电衬垫屏蔽体的体积越来越小,这些导电衬垫相应地也小了许多.在漫长的电子史上,曾经用在电弧激发的电磁波室内壁装贴防电磁泄漏金属板的方法来构建屏蔽室.     

导电衬垫在电磁屏蔽中的应用

分析屏蔽体抑制电磁干扰失败的原因，指出导电衬垫在抑制电磁干扰中的使用与作用。介绍金属螺旋管、导电橡胶、金属丝网、指形簧片和导电布等五种常用导电衬垫的材料组成、性能和适用范围，探讨其选择和安装问题。     

导电衬垫材料的研究与发展

导电衬垫材料是电子设备中应用最为广泛的一类屏蔽材料，在抑制电子设备缝隙电磁泄漏方面发挥了重要作用。文章结合作者的科研工作，对于衬垫材料的抑制机理、材料类型、屏蔽特性、屏效计算、应用技术、测试方法等关键技术进行了综述，并提出了将来研究发展的方向。     

导电衬垫在电磁屏蔽中的应用

文章分析了屏蔽体抑制电磁干扰失败的原因，指出了导电衬垫在抑制电磁干扰中的使用场合与作用。介绍了金属螺旋管、导电橡胶、金属丝网、指形簧片和导电布等五种常用导电衬垫的材料组成、性能和适用范围，并就其选择和安装问题作了探讨。     

导电衬垫材料的研究与发展

导电衬垫材料是电子设备中应用最为广泛的一类屏蔽材料，在抑制电子设备缝隙电磁漏方面发挥了重要作用。文章结合作者的科研工作，对于衬垫材料的抑制机理，材料类型屏蔽特性，屏效计算，应用技术，测试方法等关键技术进行了综述，并提出了将来研究发展的方向。于     

电磁干扰屏蔽技术(五)

解决电磁干扰过量的屏蔽方法在有效屏蔽封闭体设计中,通常用电磁干扰屏蔽衬垫提供最后的衰减量。在最后这部份将继续探讨利用屏蔽衬垫的各种不同方法。一旦屏蔽材料已经确定,解决电磁干扰或射频干扰的大部问题就能实现。还有一些余留的问题包括屏蔽衬垫材料,就要列入设计中。要进行缝隙设计、屏蔽衬垫设计、沟槽设计,以及紧固件间距的设计。缝隙设计     

屏蔽技术(六)

（上接2010年第3期76页）4.6EMC衬垫EMC衬垫具有导电性和可压缩性,可减少部件结合部位、孔缝、门和活动面板对屏蔽效能的影响,还可改善连接器和滤波器射频搭接的效果。为了保证EMC衬垫的应用效果,EMC衬垫需与孔缝、门、部件结合部位的两侧均接触良好,金属结合面通常需要具有导电镀层。     

半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜

利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构。在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进行活化。实验表明,预处理及其后的清洗工艺对选择性镀膜质量影响很大;采用丙酮或硝酸水清洗,有助于获得清晰的微型图元结构。     

Evolution of metal plating for silicon solar cell metallisation

Increasing silver prices and reducing silicon wafer thicknesses provide incentives for silicon solar cell manufacturing to develop new metallisation strategies that do not rely on screen printing and preferably reduce silver usage. Recently, metal plating has re‐emerged as a metallisation process that may address these future requirements. This paper reports on the evolution of metal plating techniques, from their use in early silicon solar cells, to current light‐induced plating processes. Unlike screen‐printed metallisation, metal plating typically requires an initial patterning step to create openings in a masking layer for the subsequent self‐aligned metallisation. Consequently, relevant recently‐developed dielectric patterning methods are also reviewed because, in many cases, the plating process must be adapted to the properties of the patterning method used. The potential of new light‐induced plating processes to form cost‐effective copper metallisation is supported by the recent activity in the development of metal plating tools for commercial silicon solar cell manufacture. Copyright © 2012 John Wiley & Sons, Ltd.     

硅通孔中含有加速剂的电镀铜仿真

Filling high aspect ratio through silicon vias(TSVs) without voids and seams by copper plating is one of the technical challenges for 3D integration. Bottom-up copper plating is an effective solution for TSV filling. In this paper, a new numerical model was developed to simulate the electrochemical deposition(ECD) process, and the influence of an accelerator in the electrolyte was investigated. The arbitrary Lagrange-Eulerian(ALE) method for solving moving boundaries in the finite element method(FEM) was used to simulate the electrochemical process. In the model, diffusion coefficient and adsorption coefficient were considered, and then the time-resolved evolution of electroplating profiles was simulated with ion concentration distribution and the electric current density.     

铜掺杂多孔硅的光致发光及其载流子的复合过程

采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一镀铜层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明,掺铜多孔硅的光致发光谱出现两个发光带,其中能量较低的发光带随主发光带变化,并使多孔硅的发光峰位蓝移。多孔硅发光峰位的蓝移,是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。     

Utilization of electroplating to lock fibers for use in opticaldevice packaging

An electroplating technique for permanently fixing single-mode fibers into position in optical device packages is described. In this technique, the fiber is mounted in a metal tube and aligned to an optical device mounted on a metal substrate. The fiber is in close proximity to the substrate and a flexible conductive gel is used to connect the two electrically. The fiber, gel, and substrate thus form the plating cathode. When immersed in a plating bath with an anode inserted, metal can be deposited across the gel, forming a strong metal bridge between the fiber and substrate, locking the fiber into position. Under appropriate conditions, misalignments within ±1 μm during the plating process have been observed. This technique was used to package a laser diode transmitter, which locked the laser-to-fiber alignment to within 0.7 μm, or 0.1 dB of the optimum coupled power     

RTV,LTV硅橡胶对金属长期腐蚀性实验

本文对常用的几种硅橡胶、硅凝胶及其熟化剂、表面处理剂在不同环境,对一些金属及镀层进行了15年长期暴露(存放)试验,以确定对金属的腐蚀程度。其中,单组分硅橡胶的腐蚀性不大;双组分缩合型硅橡胶的催化剂(如二丁基二月桂酸锡等)对铜等金属、镀层有较严重的腐蚀性,熟化剂体系经回流反应处理后,腐蚀性大大降低,不会产生铜绿。加成型的硅凝胶对各种金属及镀层没有腐蚀性。     

电子电镀技术的回顾与展望

评述了国内外电子工业中贵金属及其合金镀层、可焊性镀层、化学镀及功能镀等有关方面近期发展及应用情况，并展望了９０年代电子电镀技术的发展动向。     

高厚径比微小孔镀层均匀性改善研究

文章针对我公司垂直电镀线电镀高厚径比微小孔产品镀层均匀性不佳的状况,通过一系列实验分析,增加电镀前的处理方式提高了高厚径比微小孔产品的贯孔率,在阳极增加挡板,以及在浮架侧面进行开孔等改造措施,改善了电镀均匀性,使其均匀程度得到了提高。这有着较大的现实意义。     

Sn Alloying to Inhibit Hydrogen Evolution of Zn Metal Anode in Rechargeable Aqueous Batteries

The detrimental hydrogen evolution side reaction is one of the major issues hindering the commercialization of Zn metal anode in high-safety and low-cost rechargeable aqueous batteries. Herein, the authors present a Sn alloying approach to effectively inhibit the hydrogen evolution and dendrite growth of the Zn metal anode. Through in situ monitoring of the hydrogen production during repeated plating/stripping tests, it is quantitatively demonstrated that the hydrogen evolution of alloy electrode with appropriate Sn amount is only half of that of pure Zn electrode. Furthermore, the Sn alloying allows for favorable Zn nucleation sites, lowering the Zn nucleation energy barrier and promoting more uniform Zn deposition. The Zn-Sn alloy electrode offers much-improved plating/stripping cycling, that is, over 240 h at 5 mA cm^?2 and 35.2% depth of discharge. This work provides a practically viable strategy to stabilize Zn metal electrode in rechargeable aqueous batteries.     

激光焊接工艺对K418与0Cr18Ni9焊接接头性能的影响

为了研究激光焊接工艺对K418与0Cr18Ni9异种金属焊接接头性能的影响,采用金相显微镜对焊缝的金相组织和形貌进行了分析,评价了焊缝及周边的硬度和强度。结果表明,在激光焊接K418高温合金与0Cr18Ni9时由于母材热物性参量存在较大的差异,为保证焊缝质量,激光光斑应偏向0Cr18Ni9合金一侧;为了防止热裂纹和液化裂纹的产生,应该尽量延长熔池凝固时间同时减少热影响的热输入;当保护气体流量为12L/min时,对焊缝的保护效果最好,与Ar₂相比N₂能有效减少焊缝中气孔的含量,但也会降低焊缝性能;焊缝的硬度值位于两母材硬度之间,焊接接头的强度约为母材的89%。采用合适的激光焊接工艺可以实现K418合金与0Cr18Ni9较好的焊接效果。