AIN陶瓷基反在空气中的热氧化行为探讨

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）并结合Ｘ射线衍射分析ＡｌＮ陶瓷基板在８５０－１１００℃空气中退火时的初始氧化行为。结果表明，未退火ＡｌＮ陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在退火１０ｍｉｎ的条件下，随着退火温度的增加，富氧层迅速增厚。在１１００℃退火２０ｍｉｎ的条件下，ＡｌＮ陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后，结合化学热力学，探讨了ＡｌＮ陶瓷基板表面的初始氧化机理。     

AlN—BN复合陶瓷的介电性能

以ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷为研究对象，着重探讨了ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷的极化机理，应用基本的介电介质物理理论，结合ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷组成和结构特点，研究了ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷介电性能（介电常数，介电损耗角正切值）随测量温度，测量频率变化而发生变化的温度特性和频率特性。     

AlN陶瓷的介电性能

着重探讨了ＡｌＮ陶瓷的极化机理,应用基本的电介质物理理论,结合ＡｌＮ陶瓷的组成特点,研究了ＡｌＮ陶瓷介电性能随测量温度、测量频率变化而变化的温度特性和频率特性,结果表明：ＡｌＮ陶瓷的主要极化机理及空间电荷极化;经典的极化理论适用于ＡｌＮ陶瓷;ＡｌＮ陶瓷因介电性能较好,导热率较高崦有望成为比Ａｌ２Ｏ３陶瘊性能更加优良的基板材料。     

氮化铝陶瓷的研究与应用

氮化铝（ＡｌＮ）因具有高热导率,低介电常数、与硅相匹配的热膨胀率系数及其他优良的物理选场生在新领域越来越引起人们的关注,本文主要介绍分析了ＡｌＮ粉体合成、烧结技术、应用基础理论研究的最新动态和进展,以及ＡｌＮ陶瓷的应用领域与前景。     

Al_2O_3－AlN－TiC复合陶瓷的制备与微观结构

用反应烧结和气氛烧结技术制备Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＡｌＮ－ＴｉＣ复合陶瓷，用ＸＲＤ，ＳＥＭ等测试手段进行了微观结构的研究，结果表明，用该技术制备的复相陶瓷含有纳米级的ＡｌＮ晶粒，从而使得在较低的烧结温度下可以制得比较致密的Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＡｌＮ－ＴｉＣ复合陶瓷。     

反应烧结制备AlN－Al_2O_3复合陶瓷的机理研究

探索性地研究了用反应烧结技术在Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷中引入原位生成的纳米（或亚微米）级的ＡｌＮ，制备ＡｌＮ－Ａｌ_２Ｏ_３纳米复合陶瓷，结合衍射仪，微热分析仪及扫描电镜研究了其反应烧结机理。     

AlN—BN复合陶瓷的研究

本文用热压法烧结制备出ＡｌＮ—ＢＮ复合陶瓷，讨论了组成及烧结条件对ＡｌＮ—ＢＮ复合陶瓷性能及显微结构的影响。通过优化组成，使ＡｌＮ—ＢＮ复合陶瓷垂直于加压方向的导热率最大达１０３Ｗ／ｍ·Ｋ。ＡｌＮ—ＢＮ复合陶瓷的导热率和显微结构各向异性较显著。     

AlN／SiCw（Y2O3＋SiO2）复合材料热处理增强研究

研究了热处理对ＡｌＮ／ＳｉＣｗ（Ｙ２Ｏ３＋ＳｉＯ２）复合材料机械性能的影响。结果表明，该材料经热处理后的强度提高，当添加剂Ｙ２Ｏ３／ＳｉＯ２＝１／２．５摩尔比时，提高幅度最大。经ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＥＭ／ＥＤＡＸ和ＨＲＥＭ分析，热处理增强的机理主要是粒界玻璃相在高温氧化气氛中和ＡｌＮ颗粒表层作用，生成的纤维２Ｈ＾δＳｉａｌｏｎ相和ＳｉＣｗ形成空间交错结构。     

反应烧结制备AlN—Al2O3复合陶瓷的机理研究

探索性地研究了用反应烧结技术在Ａｌ２Ｏ３陶瓷中引入原位生成的纳米级的ＡｌＮ，制备ＡｌＮ－Ａｌ２Ｏ３纳米复合陶瓷，结合衍射仪，微热分析仪及扫描电镜研究了其反应烧结机理。     

氮化铝和莫来石陶瓷衬底的SIMS和XRD研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了用于电子封装的以Ｄｙ２Ｏ３,ＣａＯ为添加剂的ＡＬＮ和以堇青石,ＢａＣＯ３为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分,尤其是表面杂质,并利用ＳＩＭＳ尝试探讨了ＡｌＮ表面热氧化问题。结果表明,ＡｌＮ和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Ｌｉ,Ｃ,Ｆ,Ｎａ,Ｋ,Ｃｌ,Ｔｉ,Ｒｂ等杂质元素的污染;ＡｌＮ表面存在富Ｏ层,在空气中经过８５０℃１０分钟退火后,富