ZnO掺杂对CLST微波介质陶瓷烧结及介电性能的影响

研究了烧结助剂ZnO对CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(简写为CLST)系微波介质陶瓷的烧结特性及介电性能的影响.结果表明:ZnO的添加能有效地降低CLST陶瓷的烧结温度至1150℃.掺杂2wt%ZnO的CLST陶瓷取得了较好的介电性能:εr=84,tanδ=0.009,τf=-15ppm/℃.     

CuSO_4溶液包覆Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷介电性能的研究

以BaCO3和TiO2粉末进行固相反应来合成Ba2Ti9O20主晶相,以CuSO4溶液为先驱体引入CuO来降低瓷料的烧结温度,CuO薄层修饰陶瓷粉体表面。这种方法减少了烧结助剂的加入量从而降低了对陶瓷材料介电性能的恶化。介电常数(εr)随着CuSO4溶液浓度的增大先增大后略有减小。介电损耗(tanδ)随着CuSO4溶液浓度的增大先减小后增大。CuSO4溶液的浓度为0.32mol/l,1200℃烧结4h后得到良好的介电性能:εr=43,tanδ=0.005,τf=-7ppm/℃(1MHz)。     

温度稳定型Ph(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3基复相陶瓷的制备及介电性能

选取居里温度不同的两组元，对其中一组元包覆ＰＴ，再与另一组元混合烧结，制备出满足Ｘ７Ｒ 温度稳定特性的复相陶瓷．用ＴＥＭ观察了ＰＴ包覆前后粉末的颗粒形态，结果表明，ＰＴ较好地附着 在颗粒表面ＰＴ包覆层的存在抑制了两相的固溶反应，使材料保持复相结构，改善了材料的介电温度特 性分析了 ＰＴ包覆层的作用     

低温烧结Ph(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3基复相陶瓷中的两相共存与介电性能

分别采用氟化物和硼硅玻璃为助烧剂制备了低温烧结PZN基复相陶瓷，并借助介电温度特性研究了复相陶瓷中的两相共存与助烧剂的关系．结果表明，添加剂引入的晶格缺陷对复相陶瓷中的两相共存有显著影响,LiF助烧剂因引起晶格氧空位促进两相固溶化，而MgF2和硼硅玻璃助烧的PZN复相陶瓷可保持两相共存．以硼硅玻璃为助烧剂获得了低温烧结、具有X7R温度稳定特性的PZN基复相陶瓷．     

Mg4(Ta1-xVx)2O9陶瓷的烧结特性和微波介电性能

用固相法制备了一系列Mg4(Ta1-xVx)2O9(MTV)陶瓷,研究了V5 取代Ta5 、MTV陶瓷的烧结特性和微波介电性能.用XRD和SEM研究其晶体结构和微观形貌.结果表明:在组分x≤0.3范围内形成了Mg4(Ta1-xVx)2O9连续固溶体.少量V5 取代Ta5 能够使MTV陶瓷的烧结温度从1450℃降至1150℃,但同时品质因数降低.x=0.1,1150℃烧结的Mg4(Ta1-0.1V0.1)2O9陶瓷具有较好的微波介电性能:ε约为11,Q·f值达41000GHz(8GHz).     

(1-y)Ca1-xLa2x/3 TiO3-yCa(Mg1/3 Nb2/3)O3系陶瓷的缺位结构与微波介电性能研究

采用固相合成法制备了(1-y)Ca1-xLa2x/3 TiO3-yCa(Mg1/3Nb2/3)O3系列固溶体陶瓷材料,研究了该体系微波介电性能与微观结构的关系.研究结果表明:当体系组成为0.5Cao6Lao267 TiO3-0.5Ca(Mg1/3Nb2/3)O3时,在1400℃下烧结保温4小时所得到材料的微波介电性能最佳:εr=55,Q×f值=45000GHz(7.6GHz下),τf=0.04×10-6/℃.同时还探讨了三价阳离子La3 固溶时产生的A点缺陷Vca2 对固溶体结构及微波介电性能的影响.     

Nd3+取代对(PbCa)(FeNb)O3介质陶瓷微波特性及晶体结构的影响研究

研究了A位Nd^3 非电荷平衡取代量对[(Pb0．48Ca0.52)1-xNdx](Fe0．5Nb0．5)O3晶体结构及微波介电性能的影响．用XRD研究了Nd^3 的取代对体系晶胞参数及物相成分的影响．介电性能研究表明，体系介电常数随Nd^3 先增加后减小，并且当Nd^3 的含量超过一定值时，体系的品质因数得到改善．用键价理论分析了体系谐振频率温度系数随Nd^3 取代量的变化关系．当Nd^3 的含量为5mol％时体系微波介电性能达到最佳为；εr=87．9，Qf=5210GHz，Tf=7．8ppm／K．研究了[(Pb0．48Ca0．52)1-xNdx](Fe0．5Nb0.5)O3体系中晶体结构与介电性能之间的关系．     

La^3＋、Li^1＋对CaTiO3微波介电性能的影响

研究了La^3＋、Li^1＋取代对CaTiO3微波介电性能的影响。在1400℃以下烧结制备Ca1-xLa2x/3TiO3（简称CLT）微波陶瓷，分析了容差因子τ对谐振频率温度系数τf的影响。在1350℃烧结4h，可制备出εr=118，τf=＋2．95×10^-4/℃，Qf=10360GHz的CLT（x=0．4）微波陶瓷。以（1叫）Ca0.6La0.2667TiO3-yLi1/2Nd1/2TiO3为代表，对（1-y）Ca1-xLa2x/3TiO3叫-yLi1/2Nd1/2TiO3（简称CLLNT）系列材料的微波介电性能进行了探讨。随着烧结温度的提高，CLLNT（x=0．4）的εr略有下降，而Q·f值略有上升。随着y值的增加，CLLNT（x=0．4）的即Q·f、τf都下降。与CLT（X=0．4）相比，虽然CLLNT（x=0．4）的Q·f值下降了，但τf得到较大的改善，同时ε仍很高，保持在100以上。     

Ba置换改性(Ca1-xBax)[(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3陶瓷结构与微波介电性能的研究

研究了Ba置换改性对Ca [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3陶瓷微观结构与介电性能的影响.通过XRD与SEM分析发现,当x=0.15,(Ca1-xBax) [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3形成了正交晶系钙钛矿结构的单相固溶体;当x=0.20～0.80时,改性陶瓷为正交与六方钙钛矿结构的两相复合固溶体;当x=0.85 时,所形成(Ca0.15Ba0.85) [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3陶瓷为六方钙钛矿结构的单相固溶体.(Ca1-xBax) [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3系陶瓷微波介电性能的变化与Ba在材料内部的分布状态密切相关,与基材CMNT陶瓷相比:当x=0.15时,陶瓷的介电常数提高,介电损耗降低,谐振频率温度系数向负方向移动:εr=55,Qf值=32000GHz(6.5GHz下),τf=-36.82ppm/℃;当x=0.20～0.80间变化时,(Ca1-xBax)[(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3两相复合陶瓷的微波介电性能由于复合效应而表现出连续变化的规律:εr= 45～33 ,Qf值= 30500～40200GHz(6.3GHz～7.6GHz下),τf = -17.7～12.52ppm/℃;当x=0.85时,单相钙钛矿固溶体(Ca0.15Ba0.85) [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3获得良好的微波介电性能:εr=31,Qf值达到44000GHz(8.5GHz下),τf=10.81ppm/℃.     

添加剂MnCO_3和BazrO_3对Ba(Zn_(1/3) Nb_(2/3))O_3陶瓷烧结温度和介电性能的影响

采用传统的固相烧结法制备Ba(Zn_(1/3) Nb_(2/3))O_3(BZN)和(1-x)Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-xSr(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3(BSZN)陶瓷,研究MnCO_3和BaZrO_3添加剂对其烧结温度和介电性能的影响。研究表明二者均是很好的助熔剂,在烧结过程中形成液相促进原子扩散从而降低烧结温度,本研究中的最佳烧结温度为1260℃(5#样品)。MnCO_3和BaZrO_3对于改善系统的介电性能均有较好的效果,合理调整添加剂的用量可以有效的改善介电性能。0.35BZN-0.65SZN-1%MnCO_3样品的介电性能最佳且烧结温度低于1300℃。     

二元系Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—Pb（Fe2／3W1／3O）3电容器陶瓷的介电性质

目前,制备 Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3(PZN)基陶瓷电容器,最主要的问题是形成有害于介电性质的焦录石相。实验表明,固相反应法很难合成钙钛矿结构的 PZN 陶瓷,于1000℃经固相反应的产物是含立方焦录石的混合物。在 PZN 中添加0.53mol 的 Pb(Fe_(2/3)W_(1/3))O_3(PFW),试样中的钙钛矿相超过97%。通过对 PFW 结晶化学和烧结机理的分析,证明在 PZN 中添加 PFW 能减少或抑制焦录石的形成。本文报导了 PZN-PFW 二元系陶瓷的相关系和介电性质,探讨了钙钛矿相的形成机理。     

(Ba1-xCax)(Ti0.82Zr（0.18）)O3陶瓷结构与介电性能研究

采用固相反应法制备了(Ba1-xCax)(Ti0.82Zr0.18)O3(BCZT,0≤x≤0.26)陶瓷,研究了Ca2+掺杂对BCZT陶瓷微观结构和介电性能的影响.结果表明:当Ca2+掺杂量为0.16时,BCZT陶瓷出现第二相CaTiO3,其四方率c/a随Ca2+掺杂量的增加先减小再增大,当Ca2+掺杂量为0.06时达到最小值1.00276.通过容差因子和晶格参数的计算确认了Ca2+已进入到A位;随Ca2+掺杂量的增加,晶粒得到细化,居里温度向低温方向移动,介电峰被压低并展宽,且逐渐呈现铁电弥散性.     

(1-x)(Mg0.9Co0.1)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3陶瓷的微波介电性能（英文）

研究了(1-x)(Mg0.9Co0.1)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MCT-CLT)体系陶瓷的微波介电性能.目的是通过(Ca0.61La0.26)TiO3(CLT)协调(Mg0.9Co0.1)TiO3(MCT)陶瓷的谐振频率温度系数.实验发现,烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著,当烧结温度为1300℃时,可以获得良好的致密度,当烧结温度超过1300℃时,陶瓷致密度和介电性能下降.此外,随着CLT含量的增加,材料的介电常数增大,品质因数减小.当CLT含量为13%,烧结温度为1300℃,保温2h,(MCCLT)陶瓷具有优良微波介电性能,εr=22.4,Q×f=35000 GHz,τf=-8.7×10-6/℃,从而达到实用要求.     

烧成温度对Pb（Mg_（1／3）Nb_（2／3））O_3－pb（Zn_（1／3

研究了一种满足Ｙ５Ｕ指标要求的ＰＭ计ＰＺＮ－ＰＴ介电陶瓷的恒温老化行为与烧成温度的关系，发现在低温烧结要求的温度范围内（９００∽９５０℃），该材料的老化性能满足有关标准，而过高或过低的烧结温度均导致１０倍时间老化率的增大；利用显微结构结构观察分析了上述结果。     

Al_2O_3对镁镧钛陶瓷介电性能及显微结构的影响

制备了具有不同Ａｌ２Ｏ３含量的镁镧钛陶瓷,并通过ＸＲＤ和ＳＥＭ及材料介电性能测试结果的分析研究了Ａｌ２Ｏ３对镁镧钛陶瓷材料的介电性能、晶相组成和显微结构的影响．结果发现,材料的相对介电常数εr随Ａｌ２Ｏ３含量的增加而降低,其品质因数Ｑ（Ｑ＝１／tｇδ）则相对保持了较高数值,最高可达１４４３０（１０ＧＨｚ）;不含Ａｌ２Ｏ３的镁镧钛陶瓷的晶相为ＭｇＴｉＯ３和Ｌａ０．６６ＴｉＯ2．９９,加入Ａｌ２Ｏ３后,出现新晶相ＭｇＡｌ２Ｏ４和Ｍｇ４Ａ１２ＴｉｇＯ２５,同时晶粒的平均尺寸有了显著的减小．     

(1-x)(Mg_(0.7)Zn_(0.3))TiO_3-x(Ca_(0.61)Nd_(0.26))TiO_3系微波介质陶瓷介电性能研究(英文)

本实验研究了(1-x)(Mg_0.7Zn_0.3)TiO₃－x(Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃体系陶瓷(MZCNT)的微波介电性能,通过(Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃协调(Mg_0.7Zn_0.3)TiO₃陶瓷的谐振频率温度系数.实验发现,烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著, 当烧结温度为1250℃时,可以获得良好的致密度,当烧结温度超过1300℃时,(Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃ 的分解和Zn的蒸发导致陶瓷致密度和介电性能下降.此外,随着(Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃含量的增大,材料的介电常数增大,品质因数减小.当 (Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃含量为13%,烧结温度为1250℃,保温4h,（MZCNT）陶瓷具有优良微波介电性能,ε_r =24.3,Q·f=34000GHz,τ_f~-9×10^-6/℃,从而达到实用要求.     

掺钛铌镁酸铅铁电体的自发和场诱导相变

测试了掺钛铌镁酸铅系列铁电陶瓷介电和热释电温度梯,观察到自发和场诱导正常铁电体－驰豫型铁电体－顺电体相互转变的现象,在分析这一相变的特点和相应结构特征的基础上,提出了驰豫型铁电体钠米极性微区的动态结构模模型。     

Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x))O3陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能

本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究．发现：（1）位Ta过量可促进BMT的烧结，而Ta缺量则阻碍其烧结．（2）B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关，而且还同其缺陷类型有关．B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高．（3）BMT样品的Q．f值随Ta过量的增加而降低．相对介电常数则随之增加．