上海新进1.5μm／15V双级集成电路生产工艺技术开发

1介绍 上海新进半导体制造有限公司为双极集成电路代工公司(foundry),成立两年多来,已成功的生产出由20多个美、日、台湾及中国内地客户的60多产品,用它们制成的集成电路适合与需要耐高压,大电路驱动应用.     

2004年中国集成电路应用市场剖析

前言目前我国已成为全球电子产品的主要制造和出口加工基地。我们把国内集成电路市场定义为在大陆直接消耗的集成电路及其使用领域。国内集成电路来源由在国内生产和由外部进口两部分组成。国内主要由外商独资、合资、国有等企业来生产提供集成电路。国内集成电路芯片制造商主要有:上海华虹-NEC、天津摩托罗拉、北京首钢NEC、无锡上华、华润华晶、上海贝岭、上海先进、绍兴华越、中芯国际、宏力半导体、上海新进半导体等。双极电路制造线以新进的6英寸、1微米代工线为最先进。CMOS电路制造线以中芯、宏力的8英寸为最先进。国内已形成的…     

上海市集成电路行业协会第四届二次会员大会

正获奖企业:2013年度上海市集成电路制造业销售前五名:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、台积电(中国)有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、上海新进半导体制造有限公司、上海先进半导体制造股份有限公司。2013年度上海市集成电路设计业销售前十名:展讯通信(上海)有限公司、格科微电子(上海)有限公司、联芯科技有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、上     

外延生长层厚度测量

最近对集成电路高集成化,低工耗及高速化等的要求不断提高,MOS集成电路制造技术的发展是惊人的,但双极型集成电路依然很主要。在双极型集成电路制造工艺中最主要的问题是外延技术。外延生长层的结构会极大的影     

2003年国内集成电路市场演绎

前言我国加入了WTO后，电子产品的出口和吸引外商投资均迅速上升。我们把国内集成电路市场定义为在大陆直接消耗的集成电路，来源则由在国内生产和外部进口两部分组成。国内主要由外商独资、合资和国有企业等生产提供集成电路。当前国内集成电路芯片制造商主要有：上海华虹-NEC、天津摩托罗拉、北京首钢NEC、无锡上华、华润华晶、上海贝岭、上海先进、绍兴华越、中芯国际、宏力半导体、上海新进半导体等。双极电路制造线以新进的6英寸、1微米代工线为最先进；CMOS电路制造线以中芯、宏力的8英寸、0.18微米代工线为最先进。国内已形成…     

集电极扩散隔离,基极扩散隔离,三次掩蔽隔离及纵向各向异性腐蚀隔离

在大规模集成电路(LSI)领域,特别是在存储器领域中双极集成电路的发展与MOS集成电路相比是相当慢的。就速度方面来说,双极集成电路较优越,但有其弱点:(1)难于提高集成度,(2)工艺数多,易降低成品率。可以说这两点妨碍了它的发展。双极集成电路,甚至在LSI的场合都是使用图1所示的结构。它是原封不动的在集成电路中采用了过去外延平面晶体管结构。但集成电路有两点限制,即:     

中芯国际2006年技术研讨会在上海召开

<正>中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)于9月8日在上海举行了中芯国际2006年技术研讨会。本次研讨会吸引了三百多位来自全球各地的客户、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商等的参与。     

彩色电视机色通道单片集成电路

本文介绍了一种彩色电视机色通道单片集成电路的简单原理,制造工艺要点,测试结果以及本工艺技术的可行性和可靠性。 该电路是采用标准双极线性集成电路工艺和双层布线技术制成的大规模线性集成电路。     

一种适合模拟与视频信号处理的高速IC工艺

Zetex 公司(位于纽约州的Hauppauge)推出了一种新的制造高速双极型模拟集成电路的新工艺技术,并且正用它来生产音响与视频信号处理集成电路产品。这种命名为ZA工艺的生产工艺,是0.6微米、两层金属层的工艺技术。它采用氧化物隔离技术,可以降低线     

项目时间管理在集成电路技术服务平台中的应用

0 引言 随着集成电路工艺加工技术不断成熟和发展,以及集成电路应用领域的不断扩大,促使集成电路行业实现快速发展,市场需求更是呈井喷式增长.集成电路技术服务平台作为连接设计和制造的桥梁,在服务中需要经常性地与IC设计、芯片制造及其客户间的互通和交织,因此做好项目的时间管理在平台技术支持过程中起到至关重要的作用.本文主要结...     

双极型集成电路可靠性技术

为了更为准确的探究双极型集成电路的相关技术,本文的立足于影响双极型集成电路的主要因素基础上,对的当前国内外广泛应用的双极型集成电路运用的相关可靠性技术进行展开讨论。从而在设计方法、具体工艺以及元器件的诸多视角下来提出双极型集成电路的技术应对措施,从而来达到有效提高双极型集成电路在实践应用中的可靠性与实用性。     

与MOS存储器相竞争的动态I~2L随机存取存储器

双极存储器件首次打入了现在为动态 MOS 存储器所占领的主存系统领域。这个双极存储器(型号为93481)是一个4096位随机存取存储器,它是用先进的集成电路制造工艺与完美的集成注入逻辑(或称为并合晶体管单元逻辑)设计相结合而制造成     

硅的局部氧化器件

说明硅的局部氧化技术可用于制造许多新的或改进了的器件结构。在双极集成电路中可以用氧化壁隔离来代替通常的隔离扩散,这有可能导致高的包装密度。另外,在双极晶体管的制备中这个方法能自对准,这使工艺过程简单了。在MOS集成电路中可以制作自对准的栅氧化区以及自对准的扩散沟道截断环。这样用比较简单的工艺可以实现P型沟道以及N型沟道MOS电路。通过氧化物-氮化物夹层结构的控制钻蚀(LOCOS-Ⅱ工艺)可更好的制作沟道截断环。     

高性能模拟集成电路工艺技术

介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状，讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研完与开发，指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。     

LDO中过温保护电路的设计

LDO是一个微型的片上系统,他包括调整管、采样网络、精密基准源、差分放大器、过流保护、过温保护等电路。分析了LDO中过温保护电路的设计,主要介绍了LDO中双极型过温保护电路和CMOS过温保护电路。由于双极器件开发早、工艺相对成熟、稳定,而且用双极工艺可以制造出速度高、驱动能力强、模拟精度高的器件,适用于高精度的模拟集成电路。因此,双极型集成稳压器应用广泛,其设计技术和制造工艺比较成熟和完善。但双极型过温保护电路本身存在热振荡的问题。给出一种新型的CMOS过温保护电路,他具有温度迟滞功能,有效地避免了芯片出现热振荡。     

砷化镓中的离子注入

在半导体器件制造工艺中,离子注入技术日益广泛地得到应用。特别是在硅器件中,利用离子注入制作MOS器件和双极晶体管以及MOS集成电路等都已投入大量生产。预计在1975～1980年将实现全注入MOS及双极大规模集成电路。在化合物半导体中的离子注入技术也在进行广泛研究,特别是在砷化镓方面的研究已取得较大成果,正逐步应用于器件制造中。     

V槽结型场效应晶体管在模拟集成电路中的应用

结型场效应晶体管(简称J-FET)具有低噪声、高输入阻抗以及高截止频率、高输出阻抗的特点。把它做进模拟集成电路里,用于输入级、动态负载和恒流源,可以提高电路的性能。但是,在模拟集成电路里,外延层厚度、扩散深度被双极型晶体管要求所固定。因此,采用一般平面J-FET存在以下二方面的限制: 第一,对J-FET参数的控制,在工艺上比较困难。第二,通常只能把P沟J-FET做进双极型集成电路里,要制造内含N沟低阈值电压的J-FET则是十分困难的。为此,采用了这种新的J-FET结构。它与一般平面的J-FET结构主要不同处是具有V形槽沟道区。顶控制栅沿着V形槽边壁。由于沟道区非     

中芯国际2008年技术研讨会在上海召开

中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）今年9月在上海举行中芯国际2008年技术研讨会,也是中芯国际举办的第八届技术研讨会。本次研讨会吸引了三百多位来自全球各地的客户、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商等的参与。     

中芯国际向ASML订购4.5亿欧元光刻设备

中芯国际集成电路制造有限公司SMIC在2014年底前实现28nm批量投产。SMIC在上海与ASML签订了价值4.5亿欧元的光刻设备批量购买协议,以适时提升自己先进工艺代工能力。根据协议,ASML将向SMIC提供为32nm以及更为先进工艺节点而设计的300mm规格Twin Scan NXT系统,晶圆高生产效率、高对准精度、高成像分辨率     

盛美半导体设备(上海)有限公司

正盛美半导体设备(上海)有限公司是一家专注于集成电路制造产业中先进的湿法清洗及铜互连制程技术装备及工艺研发与生产的半导体装备公司,是中国少数几家具有世界领先技术及工艺的半导体装备制造商之一。公司立足于自主研发、精密制造和全球销售及服务,为芯片制造厂商提供最先进的装备及工艺。盛美半导体设备(上海)有限公司自主研发的空间交变相位移兆声波清洗技术解决了单片兆声波清洗能量分布均一性的技术难点,获得了优异的晶圆清洗效果,产品已销往韩国、中国台湾以及国内的主流集成电路制造公司。