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亚毫安室温连续工作InGaAs垂直腔面发射激光器 总被引:4,自引:0,他引:4
报道了InGaAs应变量子讲垂直腔面发射激光器(VCSEL)的室温连续工作。在MBE生长过程中利用红外高温仪测量了表观衬底热辐射振荡,实现了原位厚度监测;采用阶梯型分布布拉格反射器(DBR)及腐蚀倒台面结构,降低了器件串联电阻。对于2×3μm2的台面结构VCSEL,室温连续工作阈值电流一般为1.5mA,最低达到0.7mA,阈值电压为2.5伏,输出功率达到0.5mW,激射波长为0.94um,量子效率为12%。 相似文献
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GaAs/GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对增益波导型GaAs/GaAlAs垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究,实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达10mA,输出光功率不低于0.3mw,有的可达0.7mw以上,器件单横模、单纵模工作,线宽小于4人。 相似文献
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介绍了光泵浦垂直外腔面发射激光器的结构、增益芯片工作原理及性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,包括高功率、腔内倍频、可调谐运转、被动锁模等技术的最新进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。 相似文献
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介绍了国内首次研制的光缆CATV用1.3μmDFB激光器组件。组件工作频带达到1GHz,带内起伏〈1dB,组件的RIN〈-153dB/Hz;出纤光功率〉2mW,载噪比CNR〉50dB。首次实现用低反射尖锥端光纤的DFB激光器耦合。 相似文献
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垂直腔面发射激光器研制获重大进展由中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室承担的863计划项目——垂直腔面发射激光器的研制,自去年11月份以来取得了重大进展:研究人员采用分子束外延生长和质子轰击方法制作的量子阱结构增益波导型CaAs/AIGaA... 相似文献
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据报道,美国宾夕法尼亚州州立大学的材料科学家日前研发了一种以铁电聚合物为基的电容器,同传统电池相比,其结构轻巧,且容量巨大。传统的储电材料一般是陶瓷,笨重且易碎。而新开发的掺杂了三氟氯乙烯的聚偏 相似文献