（Ga,In）As栏导体MOVPE生长过程中源物质的热分解及半导体碳污染的分析

运用相平衡分析的方法，对（Ｇａ，Ｉｎ）Ａｓ半导体ＭＯＶＰＥ生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析，得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律，同时对气相物种分压与半导体碳污染的关系也进行了分析。     

MOCVD法生长（Al,Ga）As碳掺杂机理研究

分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3~-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。     

In-As-Sb-C-H五元系热力学分析与In(As,Sb) MOVPE工艺设计

本文模拟ＭＯＶＰＥ工艺设定热力学条件，建立了涉及５个相和５４个气相物种的ＩｎＡｓＳｂＣＨ五元系热力学系统。采用先进的热力学计算方法，对该系统进行了热力学分析。计算结果与实验结果比较发现，热力学计算能较好地预测系统相关系及半导体相成分。     

NH3,PH3热分解对Ⅲ-Ⅴ族半导体MOVPE外延生长的影响

以GaN和(Ga_1-xIn_x)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH₃和PH₃热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH₃和PH₃实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(Ga_1-xIn_x)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH₃和PH₃的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程.     

离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物

利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了（Ga,Mn,As）化合物。补底温度523K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为30nm的外延层,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里,注入深度约为160nm。补底温度为523K时获得了Ga5.2Mn相,补底温度为673K时获得了Ga5.2Mn、Ga5Mn8和Mn3Ga相。在1113K条件下对673K生长的样品进行退火,退火后样品中原有的Mn3Ga消失,Ga5Mn8峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn仍然存在而且结晶更好,并出现Mn2As新相。     

Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池窗口层ZnO∶Al薄膜的研究

用射频磁控溅射氧化锌掺铝陶瓷靶的方法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al薄膜。研究了衬底温度(Ts)、靶基距(Dt-s)对薄膜结构及光电性能的影响。实验结果显示:Ts在室温至300℃、Dt-s在35~60 mm范围内时,薄膜为六方相结构,并具有C轴取向,可见光范围平均透光率大于88%。Ts及Dt-s对薄膜电学性能的影响相似,随Ts升高或Dt-s增大,ZnO∶Al薄膜的电阻率先减小后增大,霍尔迁移率先增大后减小,载流子浓度逐渐减小。在Ts为150℃,Dt-s为40 mm时,可获得最低电阻率4.18×10-4Ω.cm的ZnO∶Al薄膜,其载流子浓度为8.13×1020cm-3、霍尔迁移率为18 cm2.V-.1s-1,可见光范围平均透过率为89%。     

热处理对LaFe_(11.2)Co_(0.7)Si_(1.1)B_(0.2)合金磁热效应的影响

在高温(1170℃)下对LaFe11.2Co0.7Si1.1B0.2合金进行0h,1h,3h,6h,24h和72h热处理,测量了其磁热效应,并利用XRD和SEM进行结构和相组织分析。结果表明合金铸态以α-Fe相为主,随着热处理时间增加,α-Fe相逐渐减少,而NaZn13相(1∶13相)增加,时间太长(72h)α-Fe相组织变大;磁热效应T-ΔTad曲线峰值也随着时间增加,在6h时达到最大值,之后下降,而居里点有所升高。     

LaNi4Al0.75M0.25(M=Mn,Sn,In,Ti,Zr)合金吸放氢性能研究

采用XRD及等容法研究了元素替代对LaNi4Al0.75M0.25（M=Mn,Sn,In,Ti,Zr）合金相结构、吸放氢动力学和热力学性能的影响。结果表明：Sn,In替代对合金的吸放氢平台压力影响不大,而Mn,Ti,Zr替代明显降低了合金的平台压力;5种合金的吸氢量按替代元素Mn〉In〉Sn〉Ti〉Zr顺序降低,XRD分析结果表明降低原因是元素替代后合金中形成了杂质相;合金主相的晶胞体积与热力学焓变ΔH的绝对值大小顺序按替代元素表示均为Mn〉Zr〉Ti〉Sn〉In,而熵变ΔS差异不大。     

电感耦合等离子体质谱仪ICP-MS测定低合金钢中Pb、Sn、As、Sb、Bi

利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)进行测定低合金钢中Pb、Sn、As、Sb、Bi。用盐酸硝酸溶解样品,并且加入铑内标和铁基来校正基体效应对结果的影响,选择75As、118Sn、121Sb、208Pb、209Bi为待测元素同位素,建立了一种简单快捷的分析低合金钢中五害元素的方法。测定方法简单实用,测定结果准确,分析周期短,灵敏度、精密度及抗干扰能力均良好,可应用于科研及生产中低合金钢样品的分析。     

Effect of Carbon Source on Biological Nitrogen and Phosphorus Removal in an Anaerobic-Anoxic-Oxic (A2O) Process

The effects of acetate and propionate on biological nitrogen and phosphorus removal in a plug-flow A2O process were evaluated in this study. The wastewater quality indexes and operation parameters were the same when different carbon sources were used. However, we observed no obvious effect of carbon source on nitrogen removal. Denitrifying phosphorus removal was found to play an important role in simultaneous nitrogen and phosphorus removal in anoxic reactors because almost the entire carbon source was used for polyhydroxyalkanoate (PHA) synthesis in anaerobic reactors, and there was no external carbon source left for heterotrophic denitrification. Propionate was found to be a more effective and energy-saving carbon source for biological nitrogen and phosphorus removal. In addition, the variations in the metabolic chemicals, such as phosphorus, PHA, glycogen, and oxygen, were lower when propionate was used than when acetate was used.     

镧镨铈(LPC)稀土在6063铝合金中的作用

论述了镧镨铈(LPC)新型混合稀土铝中间合金作添加剂，其在6063铝舍金中起净化，使铝合金晶粒细化，同时又能改善铝合金的耐腐蚀性能的作用和效果。     

Al-Fe-Si合金基体及强化相Al12(Fe,X)3Si价电子结构分析

基于EET理论,计算了Al-Fe-Si合金基体与强化相Al12Fe3Si,Al12(Fe,X)3Si的价电子结构,探讨了价电子结构与合金强化、合金相稳定性的关系及合金元素X对强化相稳定性的影响.结果表明:与基体α-Al相比,强化相Al12Fe3Si,Al12(Fe,X)3Si的n(A)值分别增强了248%,208%～231%,位错运动阻力分别增大2.48倍和2.08～2.31倍,从合金相价电子结构参数n(A)看,溶质原子固溶强化作用弱于析出相的强化作用;合金元素V,Cr,W,Mo,Mn的加入改变了Al12FeSi的价电子结构,使其原子状态组数σ(N)增加了2个数量级,使合金相的稳定性增强,进而延缓了粗化速度;V,Cr,W,Mo,Mn对Al12Fe3Si相稳定性影响的强弱顺序为Cr(Mn)→W(Mo)→V.