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为了研究硅振荡器的特性,本文采用硅振荡器和传统石英晶振的对比实验来研究,通过对石英晶振的特性比较全面的把握,利用石英晶振的频率值精度高、温漂小、抖动不明显的特征,来研究硅振荡器的实际频率值、温漂和抖动特性,所采用的方法是使用鉴相器的频率合成方法来比对得出硅振荡器的特性参数,其中选用MAX7375硅振荡器和KSS石英晶振通过温度的变化以及抖动的测试完成硅振荡器的初步特性分析,方便为后期使用硅振荡器来校准晶振做基础性研究。 相似文献
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混合信号半导体解决方案供应商IDT公司(Integrated Device Technology,Inc.)宣布,推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的100 ppm总频率误差。IDT3C02振荡器采用IDT专利的CMOS振荡器技术,可以用一个100 ppm及以下频率精度的单片CMOS IC取代基于石英晶体的振荡器,并采用非常薄的外形,而无需使用任何机械频率源或锁相环(PLL)。该产品专门用于下一代存储、数据通信和连接接口,如千兆以太网、SAS、超高速USB(USB 3.0)和PCI 相似文献
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电阻可编程振荡器(RPO)LTC6900是一款优秀的宽频振荡器,功耗比与较早的LTC1799减小了一半,但是以牺牲频率范围为代价,输出频率为1kHz~20MHz。与传统的555型计时器或谐振元件振荡器(如晶体和陶瓷谐振器)相比,LTC6900具有频率较宽、抗振动、体积小、加电迅速、功耗低、频率性能好等优点。振荡器的输出频率由单个外部电阻(Rset)和一个引脚可设置的分压器(÷1、÷10和÷100)来设置,这两个器件合起来能提供一个较宽的输出范围,电路参见图1。LTC6900应用到需外部电压设置频率时,构成一个压控振荡器(VCO)。实现VCO的一种方法是将电流导… 相似文献
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基于3.3V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS体硅工艺,设计了一款1GHz多频带数模混合压控振荡器.采用环形振荡器加上数模转换器结构,控制流入压控振荡器的电流来调节压控振荡器的频率而实现频带切换.仿真结果表明,在1V~2V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为823.3MHz~1.061GHz,且压控振荡器的增益仅有36.6MHz/V,振荡频率为1.0612GHz时,频率偏差1MHz处的相位噪声为-96.35dBc/Hz,在获得较大频率调节范围的同时也能保持很低的增益,从而提高了压控振荡器的噪声性能. 相似文献
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