β—BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ３３测量仪相结合测量了β－ＢａＢ２Ｏ４（β－ＢＢＯ）晶体的全部电压变变系数，结果为：ｄ３３＝１．０×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ３１＝－０．８３×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ２２＝２．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ１５＝２１．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ。     

β－BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ_（３３）测量仪相结合测量了β－ＢａＢ_２Ｏ_４（β－ＢＢＯ）晶体的全部压电应变系数，结果为：ｄ_（３３）＝１．０×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（３１）＝－０．８３×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（２２）＝２．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（１５）＝２１．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ。     

染料激光泵浦Nd:GdCOB实现基频光和自倍频光运转

ＮｄＣａ４ＧｄＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄＧｄＣＯＢ）是一种新型自倍频晶体。ＢｄＣＯＢ属单斜双轴晶,空间群为Ｃｍ,晶胞参数为ａ＝０．８０９５ｎｍ,ｂ＝１．６０１８ｎｍ,ｃ＝０．３５５８ｎｍ,β＝１０１．２６°。吸收光谱呈强烈偏振特性,Ｅ∥ｘ具有最强的吸收...     

掺杂对光折变晶体性能的影响

以钛酸钡，铌酸锶钡和铌酸钾钡锶钡「（Ｋ１－６Ｎａｙ）０．４（ＳｒｘＢａ１－ｘ）０．８Ｎｂ２Ｏ６，ＫＮＳＢＮ」为例，评述掺杂对提高光折变晶体性能的重要作用。     

掺氧经铋六角钡铁氧体的磁性

已制得组成ＢａＯ（６－ｘ）Ｆｅ２Ｏ３ＸＢｉ２Ｏ３的Ｂａ－Ｍ角铁氧体。式中Ｏ≤Ｘ≤０．４。与Ｂｉ２Ｏ３含量有关的晶格参数没有明显变化。当Ｘ＝０．１５饱和磁化强度有最大值，而矫顽力值在Ｘ＝０．１５左右为最小。这一结果可由Ｂｉ＾５＋的存在使晶格中Ｆｅ＾２＋增多加以说明。     

高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

Bi_(1.7)Pb_(0.4)Sr_(2－x)La_xCuO_(6－δ)体系的调制结构

Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ体系的调制结构陆斌＊毛志强＊张裕恒＊李方华＊＃（＊中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６＃中国科学院物理研究所）本文报道了名义组份为Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ（ｘ＝０...     

毫米波射电望远镜准光学馈源系统及低噪声接收技术的研究

本文叙述了我国１３．７米毫米波射电望远镜准光学馈源系统及低噪声致冷接收技术。在２．６ｍｍ波段研制了具有多种功能的准光学馈源系统，插入损耗小于０．５ｄＢ；研制了宽带低噪声致冷接收机前端，在８０￣１１５ＧＨｚ的频率范围内，带内最小噪声温度达到ＴＲ（ＤＳＢ）ｍｉｎ＝１３０Ｋ。该毫米波望远镜已观测到了Ｏ３，Ｃ＾１２Ｏ（Ｊ＝１－Ｏ），Ｃ＾１３Ｏ（Ｊ＝１－０）多条分子谱线。     

高效铜激光倍频及在光刻中的应用

通过线聚焦将自滤波振荡行波放大后的铜激光在ＢＢＯ晶体中信频，当基频光功率为５．４Ｗ时，倍频效率达１４．４％。用钢激光倍频光进行接触式光刻，刻线分辨率优于１．０μｍ。     

铁电钛酸铋超微粉及陶瓷的研究

采用类溶胶－凝胶方法制备了铁电Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２超微粉，分别用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、激光散射粒度仪和差热分析仪对其结构、形貌、粒度和相变特性进行了测试分析。结果表明，超微粉形成了正交晶系Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构，晶粒尺寸为１０～５０ｎｍ。由微粉制备了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２陶瓷，其介电常数和损耗角正切分别为ε＝１０５．６和ｔｇδ＝０．０５２（１００Ｈｚ）及ε＝９７．２和ｔｇδ＝０．０００３６（４ＭＨｚ），铁电参数矫顽电场Ｅｃ为２．９１×１０６Ｖ／ｍ，剩余极化强度Ｐｒ为７×１０－３Ｃ／ｍ２。     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用乍对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０－２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化隔离，双极器件采用多晶硅发射极晶体管。利用此工艺试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｑｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力 ０．６２ｎｓ／ｐＦ，明显ＣＭＯＳ门。     

Ti：Al_2O_3晶体荧光浓度猝灭及其能量转移机理

根据Ｄｅｘｔｅｒ敏化发光理论建立Ｔｉ３＋－Ｔｉ３＋离子间能量共振转移模型，计算出Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３晶体发生浓度猝灭的Ｔｉ３＋离子临界距离Ｒｃ及晶体掺杂的临界浓度Ｎｃ与实测光谱数据进行比较，认为浓度达到Ｎ＝１．２８×１０２０ｃｍ－３（或０．３８ｗｔ％），相应峰值吸收系数为α４９０＝６．０ｃｍ－１时，仍未发生明显的浓度猝灭现象。     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

RBa_2Cu_3O_（7－δ）（R＝Y，Pr）薄膜中非平衡载流子的超快弛豫动力学

通过拟合ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－δ）（δ＝０．１，０．４，０．８）和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７外延膜的室温飞秒瞬态反射谱，研究了其非平衡载流子的超快弛豫动力学，计算了电声耦合常数λ．发现随着氧含量的降低及用Ｐｒ替代Ｙ，Ｃｕ－Ｏ面上载流子浓度降低，非平衡载流子的弛豫时间增加而电声耦合常数明显减小．这表明电声耦合与载流子浓度的依赖关系，电声相互作用可能是一种实空间局域相互作用．     

K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．     

高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。     

β—B_aB_2O_4晶体环形腔内倍频调谐性质测量与分析

报导连续波环形染料激光器内腔ＢＢＯ（β—ＢａＢ２Ｏ４）晶体倍频外调谐角改变量与匹配波长改变量关系的实验结果。测得面Δθｍ／Δλｍ～０．１２°／ｎｍ与理论基本一致。     

KNbO_3：Rb光折变晶体中的电子－空穴竞争

ＫＮｂＯ＿３：Ｒｂ光折变晶体中的电子－空穴竞争张治国ＤｉｎｇＹＥｉｃｈｌｅｒＨＪ（ＯｐｔｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＢｅｒｌｉｎ，Ｓｉｒ．ｄｅｓ１７．Ｊｕｎｉ１３５，１０６２３Ｂｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）傅...     

RbTiOAsO4(RTA)晶体的电光性能

测量了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４（ＲＴＡ）晶体的电光系数、介电常数和交流电导率,结果为：电光系数γ１３＝１０．８,γ２３＝１７．３,γ３３＝４０．０,γ５１＝１２．３,γ４２＝１４．６ｐｍ／Ｖ;介电常数ε１１＝ε２２＝１２,ε３３＝２１;交流电导率σｃ＝３．６×１０－８ｓ／ｃｍ。结果表明ＲＴＡ晶体波导调制器的品质因子ｎ７γ２／ε比ＫＴＰ晶体高１５％,但是其交流电导率比ＫＴＰ晶体小了两个数量级。这些性能使ＲＴＡ晶体有希望应用于波导调制器和其它电光器件。     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．