钨、钼与超大规模集成电路

<正> 钨、钼虽然在计算机外围设备中已有某些应用,例如碳化钨丝用于打印针等,但在超大规模集成电路(VLSI)中直接应用钨、钼或其硅化物,则还是近几年才开始研究。作为计算机核心的VLSI技术发展迅速,现时由64千位DRAM(动态随机存取存贮器)进入256千位和1兆位,并已开始向4兆位DRAM以上的兆位时代发展,而随着VLSI集成度的日益提高,器件日益微型化、线宽日益减小,因而对材料提出了更高的要求。在64千位DRAM超大规模集成电路中,以前均使用多晶硅作为栅极材料,铝作为接线材     

绝缘衬底上异质外延生长硅

兰宝石绝缘衬底上外延沉积单晶硅层,制作互补金属—氧化物—半导体(CMOS)集成电路,抗核辐照器件等,是研制大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路的理想材料。它的研制成功,解决了一般硅集成     

国外简讯

日立有限公司新近决定在美国兴建一座综合性的超大规模集成电路生产工厂,以生产256K 动态存储器。这家新建工厂的地点和规模还不清楚,但它的大概厂址靠近得克萨斯州,工厂占地2000000米~2,将大量生产超大规模集成电路存储器,如64K、256K 动态存储器等,一个月生产几千块晶片,一旦设备就绪,日立公司打算增大晶片处理量,并装备     

期待钨、钼作超大规模集成电路配线

集成度为1～4M(兆位)的超大规模集成电路的配线宽度应小于1微米,由于电流密度增加,电子迁移引起断线。铝材极限电流密度为10~6安/厘米~2,因此期待用钨、钼、钽、钛、锆等难熔金属     

电子束熔炼制取高纯钛及其应用

近年来,高纯钛开始用于超大规模集成电路等各种电子材料领域。为了适应这一 需求,进行了高纯钛制取的开发研究。以往的小规模制取高纯钛的有效方法,如熔盐电解法、碘化法等,可进行工业规模的生产,然后再将这种高纯钛为原料,经高真空下的电子束(EB)熔炼,可制得超大规模集成电路用的超高纯度钛。     

非易失性阻变存储器研究进展

随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器具有高速读写、存储密度高、能耗低等优点引起了微电子产业界广泛关注。介绍了阻变存储器的阻变行为,综述了目前研究的存储机制、性能及其改善方法、材料体系、器件结构,并展望了阻变存储器的应用前景。     

基于TEC-2主存储器扩展板的改进设计

对清华大学计算机工厂生产的TEC-2计算机系统装置的主存储器扩展板进行了改进设计,通过存储器IC(集成电路)双层并联,在不增加电路板面积的基础上使存储器容量倍增,降低了硬件电路成本。     

半导体

现在日本倾向于生产尺寸较大的硅片,所以使用5英寸的硅片更加普遍,特别是用于超大规模集成电路方面更为显著。5英寸的硅片也用于日本电气公司相模原工厂的超大规模集成电路生产线。日立公司甲府工厂所用的硅片其中70％都是5英寸。     

美国RCA公司与日本夏普公司共建超大规模集成电路工厂

RCA与夏普已签订一项协议,两公司联合投资在美国设计、开发、制造CMOS超大规模集成电路。今后五年投资预计超过2亿美元。这项协议获得美国和日本政府的批准。产权分配RCA占51％,夏普占49％。联合董事会成员RCA五人,夏普四人。公司名称为RCA/Sharp微电子公司,内设CMOS集成电路设计中心,研制先进的存储器、微处理机的外围装置、门阵列、标准元件和特殊的长途通讯电路,为美国、欧洲、远东市场服务。该中     

半导体

据报道,1982年日本硅生产厂家生产高纯硅共1127吨,比1981年增长10.5%,其中多晶硅590吨(仅比1981年增长2%)和单晶硅530吨(比1981年增长21%)。增长的主要原因是日本的大规模集成电路生产厂家的数字集成电路,如存储器和微信息处理机的发展。1982年日本单晶硅的出口量为77吨     

信息动态

上海晶华电子科技有限公司开发低铁硅片产品填补了国内空白　　上海晶华电子科技有限公司采用了新的硅片处理工艺和先进的硅片清洗方法 ,消除了外来铁原子对硅片的玷污 ,成功地把铁金属杂质含量降到国际著名公司MEMC( 95 ) 0 .35 μm线宽大规模集成电路用的硅片质量水平 ,该公司开发的低铁硅片产品也填补了国内空白。硅片是微电子工业的基础材料 ,随着集成电路向VLSI和 U SLI发展 ,线宽由微米级缩小到亚微米、深亚微米 ,因此对硅片提出了更高的要求。硅片中铁金属杂质是引起集成电路漏电流增加和成品率下降的主要原因 ,国际上集成电路…     

晶体管用溅射靶材料的研究

介绍了S—1240数字程控交换机中晶体管集成电路用金属化磁控溅射膜材料。分析了成膜材料的组成及杂质元素等对集成电路性能的影响。简述了VLSI及ULSI用金属化膜材的发展趋势。     

国外简讯

日本电报电话公用公司的原义(Atsugi)电子通讯实验室已成功地生产用于超大规模集成电路MOS 器件中的高纯钼,纯度达99.999%。比以前的材料(纯度为99.9%)纯度提高了二位数,钠含量低于0.03ppm,铀含量低达0.002ppm,重金属含量低于10ppb。     

NTD CZ-Si辐照缺陷与O、C杂质相互作用对电学性能的影响

本文研究了中子嬗变掺杂直拉硅(NTD CZ-Si)经800℃退火后辐照缺陷与O、C杂质相互作用对单晶电学性能的影响,发现了750℃退火“平台”现象,并对辐照施主(ID)的产生机理和电学性能等给予了理论解释,对NTD CZ-Si应用于大规模、超大规模集成电路和半导体器件制作具有重要意义。     

SOI材料的制备技术

SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果。降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI材料制备技术改进的目标     

关于冶金系统微型计算机优选系列

一、迅速确定冶金系统微型 计算机优选系列 由于大规模及超大规模集成电路的飞速发展,微型计算机不断地更新换代,进入七十年代以来,大约每二至三年就更新一次,而每一次都带来了性能的提高、功能扩大、价格降低、以及可靠性增强。目前微型计算机的性能已复盖了小型和中型计算机,并已     

簧片结构用铜合金—NB105

NB105合金系由日本电信铃配件公司、日本电信电话公司和日本通信技术公司三家共同研制的Cu—Ni—Sn系合金並取得了美国专利,NB系日本铃配件公司的字头(NipponBell Parts Co.,Ltd),105系Cu—Ni—Sn成分中Ni1%和Sn 0.5%而得名。随着集成电路和超大规模集成电路的日益急速发展,对这方面的簧片结构材料要求具有     

高纯钛的制取

高纯钛作为溅射靶以TiSi_x、TiN膜的形式用作超大规模集成电路的控制电极、扩散阻挡层及配线材料等。材料中所含重金属     

科技简讯

一种强度为纯铜6倍的新型导电材料,已为日本所开发。这是一种“氧化铝弥散强化的铜合金”,其中铜:氧化铝为97:3,导电率为纯铜的90％,加工性能好,可制成各种复杂形状的产品。已被广泛采用于制作超大规模集成电路的引线框架,超导的稳定材料,电极及接线端子等。 (方立)     

硅片背面处理对弯曲度影响的试验分析

随着大规模集成电路集成度的不断提高,加工线条越来越细,对硅抛光片的弯曲度要求也越来越高。1985年联邦德国瓦克公司的产品标准中,3英寸硅抛光片弯曲度的典型值为15μm;4英寸硅抛光片弯曲度的典型值为20μm。而1986年瓦克公司的产品标准,3英寸硅抛光片弯曲度的典型值小于