直流二极反应溅射沉积透明ZnO薄膜

以锌条为溅射靶、普通空气为溅射和反应气体，采用简单的离子溅射仪在玻璃衬底上用直流二极反应溅射法沉积了高度c轴取向的透明ZnO薄膜。通过扫描电镜、X射线能量色散谱、X射线能量色散谱、X射线衍射和椭圆偏振测厚仪等手段对沉积样品进行了分析和表征，研究了薄膜结构、折射率n和相对介电常数εr与沉积工艺间的关系，并对结果进行了简要讨论。     

氩离子束辅助反应溅射沉积氧化锆薄膜的微观分析

对离子束反应溅射沉积过程中,同时经氩离子束轰击形成的氧化锆薄膜进行了RBS,XPS,TEM及XRD的微观分析。结果表明,在本实验条件下的形成膜体部分为标准化学计量配比的ZrO_2;形成膜由非晶和微晶构成,晶化程度与薄膜沉积用的衬底材料有关;在Al衬底上沉积膜有介稳立方相和单斜相出现;所有沉积膜表面均沾污碳。     

多离子束反应溅射室温沉积PbTiO3薄膜的结晶性能

为了将铁电薄腊民半导体器件集成，发展了铁电薄膜制备技术。快速退火（ＲＴＰ）由于可以降低铁电薄膜的制备温度、改善铁电薄膜与半导体器件瘘容性质，因而倍受人们的关注。用多了子束反应共溅射装置在室温下制备了ＰｂＴｉＯ３薄膜，样品经ＲＴＰ装置作退火处理，发现ＰｂＴｉＯ３薄膜可以在多晶或非晶层上生长，经ＲＴＰ处理的ＰｂＴＩＯ３薄膜呈现「１１０」和「１００」择优取向。     

反应溅射TiO_2薄膜

报道了反应溅射沉积ＴｉＯ２薄膜，得到ＴｉＯ２薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气的流量，得到具有良好导电性能和一定吸收的特殊性能的ＴｉＯ２薄膜。     

真空电弧沉积Ti薄膜过程的静电探针诊断

本文描述了Langmiur静电探针测量系统的构成,该系统可用于等离子体特性的诊断。用该系统检测了等离子体沉积Ti薄膜过程中电子密度与电子温度的典型值。实验表明,该系统性能良好,具有强的抗干扰能力,测量精度高、可以应用于真空电弧沉积过程的监控。     

反应溅射CN薄膜的场发射特性

利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜.原子力显微镜(AFM)研究结果表明,CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物,所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性,最大发射电流密度达到～10mA/cm2,并且未出现电流饱和现象.薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射,重复测量结果表明,CN薄膜的发射特性得到改善和提高.     

反应溅射CN薄膜的场发射特性

利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜.原子力显微镜(AFM)研究结果表明,CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物,所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性,最大发射电流密度达到～10mA/cm2,并且未出现电流饱和现象.薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射,重复测量结果表明,CN薄膜的发射特性得到改善和提高.     

反应溅射CN薄膜的场发射特性

利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜. 原子力显微镜（AFM）研究结果表明，CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物，所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性，最大发射电流密度达到～10mA/cm2，并且未出现电流饱和现象. 薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射，重复测量结果表明，CN薄膜的发射特性得到改善和提高.     

反应溅射氮化钨薄膜特性研究

本文采用两种溅射系统:射频磁控溅射系统和S枪溅射系统淀积了氮化钨薄膜。X射线衍射方法(XRD)、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来分析了氮化钨薄膜的组分、晶体结构和薄膜的电阻率。并研究了氮在氮、氩混合气体中的不同流量比对氮化钨薄膜特性的影响。用卢瑟福背散射(RBS)方法对比研究了纯钨薄膜和氮化钨薄膜在Al/W/Si和Al/WN_x/Si两种金属化系统中的扩散势垒特性。分析结果表明,Al/W/Si金属化系统经500℃、30分钟热退火后,出现了明显的互扩散现象;而Al/WN_x/Si金属化系统在550℃、30分钟热退火后,没有发现互扩散的迹象,说明氮化钨在硅集成电路中是一种有效的扩散势垒材料。     

高频反应溅射氮化钽铝薄膜

<正> 用钽膜制作薄膜电阻元件,具有制作方便,性能优良等优点。但是用来制造精密电阻网络,则其温度系数和长期稳定性尚嫌不足,为此,发展了氮化钽薄膜电阻,改善了温度系数。R.G.Duckworth于1969年研制了钽铝合金电阻,提高了薄膜电阻长期稳定性。不过,这种薄膜在高方阻时稳定性     

基于OES的等离子体刻蚀过程

光学发射光谱(OES)诊断技术是高密度等离子体刻蚀工艺过程的关键技术,OES信号作为一种实时信号可以用来预测刻蚀过程的进展程度和判断刻蚀性能的好坏.在自行研发的等离子体刻蚀机平台上,采用美国海洋公司的OES传感器系统,采集多晶硅刻蚀工艺中所产生的OES信号,利用主元素分析法(PCA)对OES数据进行压缩处理,提高了实时信号的快速处理能力.对实验数据的分析表明:波长为405 mn的OES谱线可以明确显示出等离子体刻蚀进程,是一条表征等离子体刻蚀过程的状态检测及终点检测控制的特征谱线.在此基础之上,提出了基于PCA法的终点检测算法,用以判断刻蚀终点.     

飞秒激光溅射沉积法制备碳薄膜

在气压为1.33×10-4Pa和衬底温度为室温条件下,利用飞秒激光剥落石墨的方法在无催化层的硅(Si)衬底上加工碳纳米薄膜;探究了激光能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜情况的影响。通过拉曼光谱对碳纳米薄膜表面物质的组成进行了分析;利用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)来显示薄膜的表面结构;实验结果显示,辐照时间对ID/IG的比值以及碳晶粒的大小都有显著的影响,并且高能量的飞秒激光脉冲能够促进碳晶粒的结晶。同时,在高能量的激光脉冲下沉积碳纳米薄膜,在Si表面发现了特殊图案的碳纳米结构:雪花状,方块状及四角星状。     

射频反应溅射SiO2薄膜的研究

研究反应气体（Ｏ_２）含量及基片温度对射频反应溅射ＳｉＯ_２膜光学性能及沉积速率的影响，并给出了膜层俄歇能谱分析结果。     

反应溅射状态跃变过程

分析了金属溅射区与氧化物溅射区之间的跃变时的参数变化，说明膜中金属气体的捕获效应和真空发压对靶氧人物形成影响导致反应溅射状态跃变。     

反应溅射法沉积氧化铈过渡层研究

采用直流磁控反应溅射法在双轴织构的镍钨合金(Ni-5%W)基带上生长CeO2过渡层。研究了沉积温度、退火时间、水分压等工艺参数对CeO2薄膜取向的影响,并获得了生长高度双轴织构薄膜的优化工艺条件。X射线面内(Φ)扫描揭示了“[100]CeO2∥[110]Ni-W”的单一外延取向关系,原子力显微镜观察到薄膜在退火处理后表面更加平整、致密。     

反应溅射TiWyNx薄膜扩散势垒特性研究

本文利用ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＡＥＳ，ＳＥＭ和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的ＴｉＷｙＮｘ薄膜的组份，结构和扩散势垒特性，实验结构表明，膜的组份，结构和特性受溅射时Ｎ２流量影响和溅射功率的影响，这种ＴｉＷｙＮｘ膜经５５０℃３０分钟退火后，仍能有效防止Ａｌ－Ｓｉ扩散，从而改善了Ａ１－ＴｉＷｙＮｘ／ＣｏＳｉ２／Ｓｉ浅结接触的热稳定性。