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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 328 毫秒
1.
通过对无压烧结、热压烧结和热等静压烧结SIC陶瓷以及热压烧结的SiC粒子补强Al2O3基复相陶瓷(SiCp-Al2O3)和SiC粒子与SiC晶须共同增强的Al2O3基复合材料(SiCp-SiCw-Al2O3)在氮气氛中进行高温氮化处理,成功地实现了这些材料的开口气孔表面裂纹的愈合。研究表明:热等静压氯化工艺可以显著提高SiC和Al2O3陶瓷的抗弯强度,对断裂韧性也有较大的改善作用。对于热等静压烧结SiC陶瓷,在1850℃和200MPa氮气压力下氯化处理1小时后,其抗弯强度和断裂韧性分别由582MPa和5.7MPa·m1/2提高到907MPa和8.4MPa·m1/2;对于热压烧结的SiCp-Al2O3复相陶瓷和SiCp-SiCw-Al2O3复合材料,在1700℃和150MPa氮气压力下氮化处理1小时后,其室温抗弯强度分别由460和705MPa提高到895和1033MPa。  相似文献   

2.
通过对SiC料浆稳定性和流变特性的控制条件、SiC薄带的制备工艺、SiC薄带烧结密度的影响因素等研究,采用配制SiC料浆-浇带-剪切压制-无压力烧结工艺,制备出为理论密度50-85%的具有密度梯度的SiC陶瓷骨架,使浇带法制备具有密度梯度的陶瓷骨架,进而制备其组分、结构和性能沿厚度方向呈阶梯变化的功能梯度材料的工艺路线成为可行。  相似文献   

3.
CaO-Y2O3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了掺杂CaO-Y2O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的性能和显微结构.结果表明:热压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3Al5O12,常压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3Al5O12和Ca3Y2O6;热压烧结AlN的第二相体积百分数和晶格氧含量均低于常压烧结;热压烧结AlN陶瓷的微观结构良好,其热导率达到200W/m·K.  相似文献   

4.
Al2O3—TiC—Co与Al2O3—TiC陶瓷冲蚀磨损行为的比较研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过特殊的化学处理方法,完成了对Al2O3及TiC陶瓷粉末的钴包覆,将包覆后的两种粉安70wt%Al2O3-Co和30wt%TiC-Co的比例混合烧结出硬度和韧性都较理想的Al2O3-TiC-Co(ATC)精细陶瓷,通过SEM观察研究其冲饥蚀磨损行为,并对AT30(70wt%Al2O3-30wt%TiC)和ATC陶瓷的冲蚀行为机制进行了比较研究,与AT30陶瓷相比,ATC陶瓷良好的综合力学性能和细  相似文献   

5.
AlN-SiC固溶体陶瓷研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
步文博  徐洁 《材料导报》2000,14(3):34-37
评述了国内外AlN-SiC固体溶体陶瓷研究工作的最新进展。着重阐述了烧结工艺,包括粉体机械混合传统烧结工艺及化学活化烧结新工艺,并对其优缺点进行了评价。认为化学活化烧结新工艺是今后制备AlN-SiC固溶体陶瓷的发展趋势,介绍了该领域的最新发展动态。  相似文献   

6.
浇带法制备具有密度梯度的SiC陶瓷骨架   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对SiC料浆稳定性和流变特性的控制条件,SiC薄带的制备工艺,SiC薄带烧结密度的影响因素等研究,采用配制SiC料浆-浇带-剪切压制-无压力烧结工艺,制备出为理论密度50-85%的具有密度梯度的SiC陶瓷骨架,进而制备其组分,结构和性能沿厚度方向呈阶梯变化的功能梯度材料的工艺路线成为可行。  相似文献   

7.
郭绍义  郦剑 《材料工程》1997,(11):3-5,22
对于钴包覆陶瓷粉末热压烧结的Al2O3-TiC-Co新型复合材料力学性能和断裂行为进行了研究。结果表明,Co在基体中以金属相存在,分布于晶界的金属钴的存在能有效地改善Al2O3-TiC材料的力学性能,影响其断裂行为。  相似文献   

8.
本文报导了通过溶胶—凝胶法制备Pb_(1-x)CaxTiO_3(x=0.1~0.3)铁电陶瓷原料粉末,所得粉末具有较高的活性、纯度和均匀度。研究了不同掺CaO量对晶体结构和烧结温度的影响。在PCT晶相生成前未发现有烧绿石或其它过渡晶相的出现。使用该粉末通过1000~1200℃的烧结过程,所得PCT陶瓷可达理论密度的88~94%。  相似文献   

9.
B4C-TiB2复相陶瓷的强韧化研究   总被引:11,自引:1,他引:10  
采用热压烧结工艺,制备B4C-TiB2复相陶瓷。结果表明,复相陶瓷的抗弯强度,断裂韧性和显向硬度受第二相TiB2颗粒的影响,其中B4C-30vol%TiB2材料的弯曲强度为725MPa,比单体B4C提高65%,B4C-45vol^TiB2材料的断裂韧性为6.7MPa.m^1/2,比单体B4C提高84%,由B4C基体和TiB2颗粒热膨胀系数不匹配导致的残余应国是B4C-Tdisplay status  相似文献   

10.
倾斜陶瓷耐热涂层的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
报道了Cu材表面喷涂斜陶瓷耐热涂层的组织及其性能,介绍了一种火焰喷涂陶瓷基复合涂层的新方法--倾斜过渡和重熔层法。实验结果表明:涂层间有扩散反应和液相烧结、涂层具有良好的结合强度、耐热蚀和抗热震性能。采用倾斜陶瓷涂层,可使高炉渣口寿命提高2倍。  相似文献   

11.
(YCa)F3助烧AlN陶瓷的显微结构和热导率   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用(CaY)F_3为助烧结剂,低温烧结(1650℃, 6h)制备出热导率为208W/m·K的AIN陶瓷,在烧结过程中,热导率随保温时间的变化服从方程:λ(t)=λ∞-△λ(0)·e~(-t/r)·用SEM、 SThM、 TEM和 HREM对 AIN陶瓷的显微结构及其对热导率的影响进行了研究,结果表明,晶粒尺寸对AIN陶瓷热导率的影响可以忽略,而分隔在AIN晶粒之间的晶界相会降低热导率。  相似文献   

12.
高温陶瓷基复合材料的发展引人注目—国际高温陶瓷基复合材料会议(HT-CMC)简介北京航空材料研究所戴永耀由欧洲复合材料协会(EACM),美国陶瓷协会(ACS)和日本陶瓷协会(CSJ)主办的国际高温陶瓷基复合材料会议(HT-CMC)于1993年9月19...  相似文献   

13.
2Y2O3—xCeO2对ZTM复相陶瓷相组成,显微结构,力学性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用原位反应烧结工艺制备了ZrO2增韧莫来石(ZTM)复相陶瓷。研究和分析了在Y2O3为2fmol%的情况下,CeO2添加量(用2Y2O3-xCeO2)对ZTM复相陶瓷相组成,显微结构及力学性能的影响,结果表明,当CeO2添加量(用2Y2O3-xCeO2)对ZTM复相陶瓷相组成、显微结构及力学性能的影响。结果表明,当CeO2添加量在1.5~4.5mol%时,ZrO2晶格畸变,晶胞长大,缺陷增加,C  相似文献   

14.
SiC陶瓷的冲蚀磨损耐磨性   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了无压(PL),热压(HP)、热等静压(HIP)烧结SiC陶瓷的室温冲蚀磨损行为。热等静压SiC陶瓷具有良好的综合力学性能和细致的组织结构,其冲蚀磨损耐磨性比无压的热压烧结SiC陶瓷要好。  相似文献   

15.
梁勇  韩亚苓 《材料导报》2000,(Z10):331-333
本文将Al2O3/SiC纳米复合陶瓷分别与Cr25Ni5合金,Co-Cr-W合金及烧结W环三种配制材料在465℃的熔融锌液中进行环-块腐蚀磨损实验。结果表明耐锌腐蚀是各种材料耐磨的前提。W(环)与Al2O3/SiC纳米复合陶瓷(块)是最佳的摩擦副。  相似文献   

16.
通过热压烧结技术,SiC、AlN和Y2O3粉末混合体在1920 ̄2050℃、Ar气氛下形成了致密的复相陶瓷。在室温下SiC-AlN-Y2O3复相材料的抗弯强度和断裂韧性分别达到600MPa和7MPa·m^1/2以上。运用XRD、SEM和TEM分析致密样品的断裂裂纹、形貌和组成。SiC-AlN-Y2O3复相陶瓷在1370℃氧化试验30h,其氧化产物为莫来石。  相似文献   

17.
本文报导了通过溶胶-凝胶法制备Pb1-xCaxTiO3(x=0.1 ̄0.3)铁电陶瓷原料粉末,所得粉末具有较高的活性、纯度和均匀度。研究了不同掺CaO量对晶体结构和烧结温度的影响。在PCT晶相生成前未发现有烧绿石或其它过渡晶相的出现。使用该粉末通过1000 ̄1200℃的烧结过程,所得PTC陶瓷可达理论密度的88 ̄94%。  相似文献   

18.
本工作应用多元分析方法研究了α'-β'-Sialons-YAG陶瓷的无压烧结性能。结果表明,具有不同烧结致密化类型的陶瓷试样训练点位于主成份平面的不同区域。部分最小二乘方模型建立了陶瓷组份与烧结密度的定量关系,并预报了可具有较高的致密化程度的陶瓷组份。  相似文献   

19.
通过热压烧结技术,SiC、AlN和Y2O3粉末混合作在1920~2050℃、Ar气氛下形成了致密的复相陶瓷.在室温下SiC-AlN-Y2O3复相材料的抗弯强度和断裂韧性分别达到600MPa和7MPa·m1/2以上运用XRD、SEM和TEM分析致密样品的断裂裂纹、形貌和组成.SiC-AlN-Y2O3复相陶瓷在1370℃氧化试验30h,其氧化产物为莫来石.  相似文献   

20.
CaO-Y2O3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了掺杂CaO-Y热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的性能和显微结构.结果表明:热压烧结AlN陶瓷的第二相为YAl12,常压烧结AlN陶瓷的第二相为YAl12和Ca;热压烧结AlN的第二相体积百分数和晶格氧含量均低于常压烧结;热压烧结AlN陶瓷的微观结构良好,其热导率达到200W/m·K.  相似文献   

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