La掺杂SnO_2材料的制备及其对乙醇敏感性能研究

利用水热法分别制备了SnO_2和La掺杂SnO_2粉末样品。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和智能气敏分析系统对其结构、形貌以及对乙醇气体的敏感性能进行了表征。结果表明,所制备的粉末样品均呈四方石结构,La的掺入未改变SnO_2的晶体结构;此外,La的掺入无新相出现但使颗粒出现了团聚现象。掺入La的样品极大地提高了对乙醇气体的敏感性能,且灵敏度随着乙醇浓度的增加而增加。     

水热法合成花球状Co掺杂SnO_2纳米材料及其气敏性能

采用水热法合成花球状Co掺杂SnO_2纳米材料。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及附带能谱分析(EDS)对所得样品的物相、形貌及元素成分进行表征,并将其制成气敏元件,进行气敏性能测试。结果发现,在工作温度350℃时,元件对丙酮气体具有较好的响应敏感性,对丙酮气体的灵敏度与丙酮气体浓度呈线性关系,响应和恢复时间分别为10 s和110 s。此外,对可能的气敏机理进行探讨。     

水热法合成花球状Co掺杂SnO_2纳米材料及其气敏性能

采用水热法合成花球状Co掺杂SnO_2纳米材料。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及附带能谱分析(EDS)对所得样品的物相、形貌及元素成分进行表征,并将其制成气敏元件,进行气敏性能测试。结果发现,在工作温度350℃时,元件对丙酮气体具有较好的响应敏感性,对丙酮气体的灵敏度与丙酮气体浓度呈线性关系,响应和恢复时间分别为10 s和110 s。此外,对可能的气敏机理进行探讨。     

电化学Fe掺杂增强FTO薄膜的可见光光电化学性能

通过在Fe SO4溶液中将FTO(F掺杂SnO_2)导电玻璃电化学阴极极化,随后在500°C空气中热氧化,制备出对可见光有响应的Fe掺杂FTO薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征了薄膜的形貌、结构和表面特性。在可见光下测试了薄膜在1.0 mol/L NaOH溶液中零偏压下的光电流-时间曲线。结果显示,电化学修饰后的FTO薄膜表面呈纳米多孔形貌,薄膜中有1%(原子分数)左右的Fe元素掺杂且存在正交结构SnO_2和四方结构SnO_2两种物相。Fe掺杂FTO的光电流密度为0.5μA/cm~2,比无Fe掺杂的FTO薄膜(0.019μA/cm~2)显著增强。     

基于化学掺杂SnO2的氢泄漏传感器的研制

主要研究了掺杂过渡金属(Mn、Co)的SnO_2纳米晶样品(半导体金属氧化物)的合成及其对氢气的敏感特性。该样品采用溶胶凝胶法制备,随后经过微波辐射进行合成处理。通过透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)表征方法证实,样品晶粒平均尺寸随掺杂过渡金属浓度的增加而减小;通过实验研究样品在不同温度和浓度下对H2的信号响应,评估采用这种纳米材料作为敏感材料的氢气传感器性能。同时研究了上述传感器对潜在干扰气体一氧化碳(CO)的选择性。结果表明,Co在提高SnO_2纳米晶粒的传感性能方面比纯SnO_2和掺杂了锰的SnO_2更有效,这使得在250℃工作温度下,氢泄漏传感器具有优异的响应性、选择性和再现性。     

固相合成N/Fe共掺杂TiO2及可见光降解葛根素

采用简单固相反应法分别合成了铁掺杂二氧化钛(Fe-TiO2)及氮和铁共掺杂二氧化钛(N/Fe-TiO2)光催化粉体材料,并对材料进行了X射线衍射(XRD)、紫外-可见光光谱(UV-Vis)、X射线光电子能谱(XPS)等物相结构及元素组成表征,同时研究了材料对葛根素的可见光降解性能.结果表明,N和Fe进入了TiO2晶格,...     

Si掺杂TiO2光催化材料的制备、活性及其机理

采用两步溶胶-凝胶法制备了Si掺杂TiO2(Si:TiO2)粉体,通过X射线衍射、热重-差热分析和X射线光电子能谱表征了Si:TiO2粉体样品的晶相及表面结构,以甲基橙为目标物考察了Si掺杂TiO2的光催化活性.研究发现:Si:TiO2粉体在水中降解有机物时,比纯TiO2粉体具有更高的光催化活性;Si:TiO2粉体具有...     

TiO2与SiO2掺杂对Al2O3相转变的研究

通过球磨混合法,制备TiO2、SiO2和TiO2+SiO2掺杂的Al2 O3粉体,经不同温度煅烧后进行X射线衍射(XRD)测试,比较研究这三种掺杂对Al2 O3粉体相转变温度的影响.研究结果表明,TiO2、SiO2掺杂对γ-Al2 O3向α-Al2 O3的相转变均有促进作用.在掺杂质量分数为0.5％的情况下,二者可分别...     

镱掺杂二氧化锡纳米粉体的制备工艺影响因素

以SnCl4·5H2O和Yb(NO3)3·6H2O为原料,氨水为沉淀剂,采用化学共沉淀法制备了镱掺杂二氧化锡纳米粉体,考察了反应温度、煅烧温度、分散剂的种类对所得纳米镱掺杂二氧化锡粉体的物相、晶粒度和形貌的影响。对粉体的前驱体进行综合热分析(TG-DTA),用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对产物的结构和形貌进行表征,得到共沉淀法制备纳米镱掺杂二氧化锡粉体的最佳条件为:反应温度60℃,煅烧温度600℃,用非离子型PEG-600为分散剂。     

Pr~(3+)掺杂SrBi_2Ta_2O_9陶瓷的铁电及介电性能研究

以氧化钽为钽源,采用溶胶-凝胶法合成SrBi2Ta2O9(SBT)、Pr0.2Sr0.8Bi2Ta2O9(SPBT)粉体。用X射线衍射技术(XRD)对所制备的SBT、SPBT粉体进行结构表征,并对其介电、铁电性能进行了测试分析。实验结果表明:Pr3+离子掺杂未改变SBT粉体的晶相,但是会使得SBT的介电常数增大,不过随着测试频率的增加介电常数仍然逐渐下降。另外SBT的铁电性能也随着Pr3+的掺杂有了显著的提升。