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《电镀与涂饰》2017,(9)
通过在Fe SO4溶液中将FTO(F掺杂SnO_2)导电玻璃电化学阴极极化,随后在500°C空气中热氧化,制备出对可见光有响应的Fe掺杂FTO薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征了薄膜的形貌、结构和表面特性。在可见光下测试了薄膜在1.0 mol/L NaOH溶液中零偏压下的光电流-时间曲线。结果显示,电化学修饰后的FTO薄膜表面呈纳米多孔形貌,薄膜中有1%(原子分数)左右的Fe元素掺杂且存在正交结构SnO_2和四方结构SnO_2两种物相。Fe掺杂FTO的光电流密度为0.5μA/cm~2,比无Fe掺杂的FTO薄膜(0.019μA/cm~2)显著增强。 相似文献
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刘兆琪 《工业技术与职业教育》2019,17(3):1-4
主要研究了掺杂过渡金属(Mn、Co)的SnO_2纳米晶样品(半导体金属氧化物)的合成及其对氢气的敏感特性。该样品采用溶胶凝胶法制备,随后经过微波辐射进行合成处理。通过透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)表征方法证实,样品晶粒平均尺寸随掺杂过渡金属浓度的增加而减小;通过实验研究样品在不同温度和浓度下对H2的信号响应,评估采用这种纳米材料作为敏感材料的氢气传感器性能。同时研究了上述传感器对潜在干扰气体一氧化碳(CO)的选择性。结果表明,Co在提高SnO_2纳米晶粒的传感性能方面比纯SnO_2和掺杂了锰的SnO_2更有效,这使得在250℃工作温度下,氢泄漏传感器具有优异的响应性、选择性和再现性。 相似文献
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Si掺杂TiO2光催化材料的制备、活性及其机理 总被引:2,自引:0,他引:2
采用两步溶胶-凝胶法制备了Si掺杂TiO2(Si:TiO2)粉体,通过X射线衍射、热重-差热分析和X射线光电子能谱表征了Si:TiO2粉体样品的晶相及表面结构,以甲基橙为目标物考察了Si掺杂TiO2的光催化活性.研究发现:Si:TiO2粉体在水中降解有机物时,比纯TiO2粉体具有更高的光催化活性;Si:TiO2粉体具有... 相似文献
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