源区正面通孔电镀热沉结构的X、Ku波段功率GaAs MESFET

本文简述了采用源区正面通孔电渡热沉结构的三种器件(CX631、CX641、CX671)的设计要点和主要制作技术及性能。由于这种结构的FET的源区通过在极薄GaAs衬底上开凿的通孔和散热电极直接接地,使器件的源寄生电感和热阻大大下降,使得器件在X、Ku波段获得较高增益。CX631器件在12GHz下,P_0≥40mW,G_p≥10dB,较好器件P_0为58mW,G_p为11.6。CX641器件在18GHz下,P_0≥30mW、G_p≥5dB,载体装配器件G_p可达7dB。最好器件P_0可达50mW。CX671器件在12GHz下,P_0≥80mW,G_p≥9dB,最好器件输出功率可达140mW。     

100mW8～12GHz微波FET宽带放大器

本文介绍了一种宽带大动态放大器及其电路设计和实验结果。其主要技术指标为:在8～12GHz频带范围内,G_p≥20dB,△G_p≤±1.5dB,P_0≥100mW。该场放具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。     

产品介绍

X—波段放大器中心频率;10GHz带宽:±500MHz增益;28dB输出功率: 20dBmKU-波段放大器中心频率:13～18GHz带宽:±250MHz增益:30dB噪声系数:<2dB输出功率: 20dBm     

WTF-631型体效应放大器

研制了一种 X 波段同轴传输线型宽带功率体效应放大器。它具有体积小、重量轻、使用方便、稳定性好等特点。使用 T512型体效应放大二极管,放大器一般指标为:中心频率 f_0=9.0±0.3千兆赫、带宽≥20%、输出功率 P_0=50～100毫瓦、功率增益 G_p=7～10分贝。最佳结果:f_0=8.8千兆赫、带宽42%、P_0=50～100毫瓦、G_p=7～10分贝。放大器通过了环境实验、高温贮存(+85℃、250小时)实验,并且连续工作寿命在250小时以上。进行了两级放大器级联工作,其功率增益能较好地迭加。比较好的结果:中心频率 f_0=9.0千兆赫、带宽22%、输入功率 P_i=1毫瓦、输出功率 P_0=100～155毫瓦、功率增益 G_p=20～22分贝。     

产品介绍

X—波段放大器中心频率:10GHz带宽:±500MHz增益:28dB输出功率:-20dBmKu-波段放大器中心频率:13～18GHz带宽:±250MHz增益:30dB噪声系数:<2dB输出功率: 20dBm     

新时代电子 微波毫米波产品

X波段放大器中心频率:10 GHz带宽:±500 MHz增益:28 dB噪声系数:<2dB输出功率: 20 dBmKu波段放大器中心频率:13～18 GHz     

8.4～9.5GHz微波FET低噪声放大器

本文主要介绍一种8.4～9.5GHz微波FET低噪声放大器,该放大器采用计算机微波辅助设计,利用微带工艺技术,在聚四氟乙烯双面敷铜版制作微带电路。文章介绍了放大器的调试结果,该放大器在8.4～9.5GHz的频带内,噪声系数NF≤2.0dB、增益G_p≥20dB、增益平坦度△G_P≤±0.5dB、饱和输出功率P_(-1)≥+8dBm,目前国外在该频率范围最好水平的低噪声放大器的NF≤2.2dB,由此可见,本低噪声放大器已达到目前国外水平。放大器已提供用户使用,用户反映很好。     

产品介绍

X—波段放大器中心频率:10 GHz带宽:±500 MHz增益:28 dB输出功率; 20 dBmKu—波段放大器中心频率:13～18 GHz带宽:±250 MHz增益:30 dB噪声系数:<2 dB输出功率: 20 dBm微波、毫米波段高次倍频器倍频次数:×5、×6、×7倍频效率:5%杂波抑制:-40 dB     

产品介绍

X—波段放大器中心频率:10GHz带宽:±500MHz增益:28dB输出功率: 20dBmKu—波段放大器中心频率:13～18GHz带宽:±250MHz增益:30dB噪声系数:<2dB输出功率: 20dBm微波、毫米波段高次倍频器倍频次数:×5、×6、×7倍频效率:5%杂波抑制:-40dB     

X波段功率GaAs双栅MESFET的设计与制造

本文叙述微波功率双栅MES FET的设计与制造。介绍了实验结果。器件微波性能已达到10GHz下输出功率188mW,相应增益达9.7dB。用已定型的器件产品组成单级可变增益放大器,在9.952GHz下,输出功率大于100mW,相应增益达8dB,增益控制范围达30dB以上。     

GaAs微波双栅功率MESFET

本文报导了C和X波段GaAs微波双栅功率MESFET的研制情况和器件设计的主要原则、制作技术、器件性能以及使用情况。CX651型较好器件,f_0=12GHz,P_0=195mW,G_p=13.7dB,第二栅可控增益△G_P=34.4dB;DX591型较好器件,f_0=6GHz,P_0=310nN,G_P=7.1dB,第二栅可控增益△G_P=33dB。代表了目前我国双栅功率器件的最高水平。     

基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计

基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成。在片测试结果表明,200~230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB。频率为210~230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm。     

基于0.15mm GaAs PHEMT的具有可调增益控制的低噪声分布式放大器设计

基于0.15?m GaAs PHEMT工艺设计了具有九级增益单元的低噪声分布式放大器,一个可选的栅极偏置为放大器提供了10dB的可调增益控制。所设计的放大器采用了一种新的共源共栅结构以提高输出电压和带宽。测试结果表明该放大器在频带2~20GHz带宽内具有15dB的平均增益,带内增益平坦度为?1dB;噪声系数在2~20GHz频带内为2dB-4.1dB。放大器在1dB增益压缩点处输出功率为13.8dBm,显示了良好的线性特性。电源电压为5V时总的功率损耗为300mW,芯片面积为2.36?1.01 mm2。     

Ku波段GaAs微波单片集成电路

本文介绍Ku波段GaAs单片集成电路的设计、研制和测量结果。该单片电路的匹配网络采用对FET进行计算机分析和电路模拟相结合的方法进行设计。研制成功了一个两级单片电路,其尺寸为1.9×3.2×0.1mm,在14.5～15.4GHz的频率范围内,输出功率P_0≥100mW,增益G_P≥5dB,带内增益起伏△G_P≤±0.75dB。     

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器的设计

介绍了一款基于SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器(LNA)的设计与测试。分析了毫米波频段硅基集成电路的匹配设计方法,给出了HBT晶体管电流密度与噪声系数的关系,以及最佳噪声偏置点的选取方法。并基于以上方法设计了单级共基共射低噪声放大器,LNA芯片基于Global Foundry 8HP工艺流片验证。测试结果表明,该LNA实现了30~40GHz的-1dB带宽、小于3.5dB的噪声系数以及6.2dBm的1dB压缩输出功率(P-1dB);输入输出反射系数均小于-15dB,中心频率(35GHz)处增益为7.2dB(单级),LNA的直流电流为6.7mA,电源电压为1.8V。     

2GHz输出500MW硅微波线性功率晶体管研究

本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于内部存在着非线性效应,使得输出波形产生了畸变。为了改进线性性能可采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层提高器件大电流性能,已研制出在2GHz下,1dB压缩点输出功率P_(-1)=500mW、增益G_p=8dB、动态线性范围大于20dB、1dB压缩点时集电极效率大于30％。     

44GHz HEMT混合功率放大器

我们实验室研制的0.25μm栅长掺杂沟道PHEMT,在毫米波频率下已显示出优良的功率性能,44GHz下的输出功率密度和功率附加效率分别为0.93W/mm和41％,用这些器件已研制出两种Q波段混合功率放大器。二级放大器输出功率为108mW,相应功率增益为9.5dB,功率附加效率为26.5％;三级放大器输出功率达251mW,功率增益为13.6dB,功率附加效率为26.8％。当加上不同偏压时,三级放大器的峰值效率可达31.3％。这两种放大器的线性增益分别为12dB和20dB。这些结果清楚地表明这些器件能够用于毫米波发射器。     

能取代某种行放的体效应放大器

一、引言 早先的X波段雷达发射机,多采用磁控管,振荡式工作,其频率应变能力差,抗干扰性能不好。近期逐渐发展起来的主振放大式雷达,能在较宽的频带内,实现频率的捷变,抗干扰能力好,成为雷达的研究重点。 本文所述的主振放大式雷达发射机,主振讯号功率较小。末级输出讯号功率较大,中间需加接几种频率范围的功率放大器。对它们的要求是:工作频率在7～12GHz,带宽B在1GHz以上,增益G_p大于或等于7dB,输出功率P。≥50和150mW。     

30GHz FET接收机

本文描述了在27.5～30.0GHz下工作的噪声系数为4.6dB、频带中心转换增益为17dB的GaAsFET接收机。为此接收机研制了一个FET三级放大器(噪声系数4.4dB,增益17.5dB),一个25GHzFET振荡器(输出功率10mW)和双栅FET混频器(转换增益3dB,噪声系数10dB)。     

基于InP基HEMTs的W波段高增益低噪声放大MMIC

本文基于自主研发的InP基高电子迁移率晶体管工艺设计并制作了一款W波段单级低噪声放大单片毫米波集成电路。共源共栅拓扑结构和共面波导工艺保证了该低噪声放大器紧凑的面积和高的增益,其芯片面积为900 μm×975 μm,84 GHz-100 GHz频率范围内增益大于10 dB,95 GHz处小信号增益达到最大值为15.2 dB。根据调查对比,该单级放大电路芯片具有最高的单级增益和相对高的增益面积比。另外,该放大电路芯片在87.5 GHz处噪声系数为4.3 dB,88.8 GHz处饱和输出功率为8.03 dBm。该低噪声放大器芯片的成功研制对于构建一个W波段信号接收前端具有重要的借鉴意义。