高速半导体激光器的设计

高速调制半导体激光器光源是高速光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。本文分析了影响半导体激光器调制带宽的各种因素，系统地介绍了提高调制带宽的途径，并讨论了高速半导体激光器的典型结构和制造工艺。     

高速半导体激光器的设计与制造

对于 Gb/s 量级的光纤通信系统,高速半导体激光器光源是关键器件。文章分析了限制半导体激光器速率的因素,提出了改善激光器带宽的途径,讨论了器件的制造。     

大功率半导体激光器调制特性的实验研究

设计了一种带有调制输入接口及恒电流、恒功率、恒温控制的光源系统,着重对其低频调制特性进行了实验研究.通过引入负反馈及自动温度控制技术,从外部电路角度改善了半导体激光器的调制输出特性,有效抑制了驰豫振荡,优化了激光二极管(LD)的调制输出参数.     

高速编码半导体激光器控制电路设计

基于单片机和高速复杂可编程逻辑器件(CPLD)技术,介绍了单片机模块、CPLD处理模块和驱动电路模块的基本设计方法.重点阐述了通过CPLD硬件电路对外围RAM进行寻址的设计思想,同时给出RAM寻址电路的读写时序关系图.通过示波器(TDS5104B)观测,证明控制电路产生的脉冲序列编码具有精度高、速度快、间隔可变等优点.     

半导体激光器可靠性设计考虑

简述了半导体激光器可靠设计中的模式控制设计、管芯芯片的晶格匹配、结构设计、管芯芯片的金属化（欧姆接触）设计，以及器件的金属化气密封装设计等的设计考虑。     

半导体激光器的调频特性

本文讨论了半导体激光器(LD)的直接调频(FM)特性,指出随着偏置电流的增大,FM响应降低,伪强度调制(IM)响应增大,并给出了一种新的描述FM能力的方法.     

电反馈半导体激光器强度调制的最佳设计

本文研究了电反馈对半导体激光器强度调制的影响。在适当的反馈条件下,电反馈可以较好地改善半导体激光器强度调制的性能。并且存在着最佳反馈环路传递函数,使得其强度调制性能达到最佳。     

直接调制半导体激光器技术初探

阐述了影响高速调制半导体激光器的主要因素,着重从理论上对半导体激光器的阻抗匹配网络设计进行了分析,结合採用微波 CAD 技术,给出了理论上的结果。     

高速半导体激光器的响应特性

本文详细地讨论了高速半导体激光器的响应特性。文中以物理观点阐述了小信号和大信号调制特性。在叙述中集中在小信号强度调制和频率调制以及大信号频率啁啾方面。     

高速直接调制半导体激光器研究进展

直接调制半导体激光器因其具有高速传输、高可靠和低成本等特点,成为应用在第五代移动通信技术(5G)前传和数据中心中的高性价比光源。高速直接调制半导体激光器性能提升已有许多研究,文章分别从无制冷宽温工作高速半导体激光器研究方面和超高速半导体激光器方面对高速直接调制半导体激光器的基本理论和发展历程进行了综述,分析各自的优缺点,并介绍了研发团队在这些方面取得的部分进展。     

1.3μm单模半导体激光器的高频调制

本文报道了在光载波通信中使用１．３μｍ半模半导体激光器组件作为发射光源，实现了高频调制。这里给出了器件结构设计及性能，研究了器件的阻抗匹配，测量了微波的Ｓ参数，在最佳条件下，直接调制获得６．５ＧＨｚ，３５ｐｓ的超短光脉冲，小信号调制可达８ＧＨｚ。     

半导体蓝光激光器

本文详细论述了半导体蓝光激光器的应用前景，国内外研究动态以及量子阱半导体蓝光激光器件的结构与种类等。     

半导体激光器高速同轴封装设计

在光纤接入网等光通信领域,低成本高速同轴封装半导体光电器件有着非常重要的作用。对于高速TO-can激光器(LD),由于已进入微波工作频段,封装以及相关元件的分布参数已经成为制约高速激光器性能的主要参数之一,分析了同轴封装结构的技术特点,建立了激光器器件及封装相关元件的等效电路模型,利用商用CAD分析软件对其进行了模拟和优化设计,为半导体激光器高速同轴封装设计的工艺方案、封装材料的选择提供了依据,并据此进行了部分相关实验。     

半导体激光器调制相位不均匀效应的实验研究

对于条形半导体激光器在不同偏置电流、调制频率的工作条件下,调制相位不均匀效应进行了实验研究,并与1.3μm、BH半导体激光器的调制相位不均匀性进行了比较.实验结果与理论计算一致.     

半导体激光器像散的实验研究

实验研究了质子轰击条形GaAs/GaAlAsDH半导体激光器的像散特性.     

高功率半导体激光器

现在,人们希望把半导体激光器应用在加工领域中,要求其波长达到800nm,以往在民用范畴内应用激光二极管,它是一种应用在小型光盘上的光源,它的光输出功率大约为5mW,但是,光盘读出信号则需较高的输出功率,今后,光盘要求同样波长范围的输出功率为30mW,而且用组合激光器能获得5000W(脉冲)输出功率。