Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延

我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。     

宽带Ⅱ-Ⅵ族磁性半导体的铁磁特性研究

自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一门新兴学科.近年来,由于磁性半导体的铁磁特性及磁光特性的研究迅速发展,使半导体自旋电子学的研究成为自旋电子学领域的一个重要分支,它着重于以磁性半导体为基本材料的新型电子器件的研究.本文主要介绍宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体铁磁特性的研究进展及一些初步的研究工作.     

Ⅱ—Ⅵ族半导体材料散射特性的高次有限元分析

用有限元和场匹配相结合的方法分析了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性。该方法能一次求出纵向模匹配所需要的所有本征模函数,并避开了多模网络方法中求解复超越方程的困难,简化了求解过程。本方法和多模网络方法计算的结果与多个样品的测试值进行了比较,彼此吻合得很好,表明本文方法不仅通用精确,而且具有很高的解题效率。     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展

本文简要介绍了我们在带宽Ⅱ－Ⅵ族半导体光电子学和发光学研究领域中取得的两大主要研究成果：第一,明确提出并实现了利用宽带Ⅱ－Ⅵ族晶体直接带跃迁来获在室温和电场激发下地发射的物理思想,第二,提出并实现了利用其超晶格的室温激子效应来实现在室温、蓝绿波段芡以及具有ｎｓ和ｐｓ量级响应的光双稳的物理思想。     

有间隙Ⅱ—Ⅵ族半导体材料散射特性的三维边缘元分析

用三维边缘元方法分析了有间隙Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的散射特性，该方法直接从泛函变分出发避开了其它方法中示肯损超薄介质填充波导本征值和本片函数的困难，简化了求解过程，计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效，可靠和精确的特点。     

宽带Ⅱ—Ⅵ族超晶格材料MBE生长及其特性研究

采用MBE和ALE方法,在GaAs、InP衬底上生长出了ZnSe/znS、ZnTe/ZnSe及p-ZnTe/ZnSe等超晶格材料。测量了低角度x-射线衍射,掺杂起晶格材料的载流子浓度及迁移率,进行了光荧光谱、瞬态光荧光谱、Raman光谱、远红外反射谱及光学非线性研究和讨论。所得结果多为首次报道,本文对其进行一些讨论。     

宽带II-VI族磁性半导体的铁磁特性研究

自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一门新兴学科。近年来,由于磁性半导体的铁磁特性及磁光特性的研究迅速发展,使半导体自旋电子学的研究成为自旋电子学领域的一个重要分支,它着重于以磁性半导体为基本材料的新型电子器件的研究。本文主要介绍宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体铁磁特性的研究进展及一些初步的研究工作。     

Wide-gap semiconductors for high-power electronics

The latest results obtained in the development of high-power devices based on wide-gap semiconductors are examined. It is shown that at present silicon carbide remains the most promising material for high-temperature, radiation-resistant, high-power electronics. Certain factors involving a wide commercial adoption of SiC-based devices are examined. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 1096–1099 (September 1999)     

Wide-gap semiconductor InGaN and InGaAln grown by MOVPE

We have achieved InGaN growth on sapphire substrates at temperatures substantially higher than conventional growth temperatures for InGaN. When the growth temperature was changed from 500 (conventional) to 800° C (this work) in InGaN, the x-ray diffraction line width (full width at half maximum) decreased from 100 to 30 min. At 77 K, edge emission was observed in PL. In order to further improve crystalline quality, we have investigated ZnO as a lattice-matching substrate. First, the surface treatment and the resistance to the reducing atmosphere at high temperatures was briefly investigated. We report the first successful lattice-matched growth of InGaN. The x-ray diffraction line width of InGaN grown on ZnO was about 20% smaller than that of films grown on sapphire substrates, thus using lattice-matched substrates was shown to have an effect on improving the crystalline quality of InGaN. Single crystal InGaAlN has been also realized on sapphire substrates. The indium, gallium and aluminum contents were 2.2, 22.5 and 74.3%, respectively. The optical transmission characteristic of this InGaAlN was measured.     

一种生成宽间隔跳频序列的改进对偶频带法

对偶频带法在构造宽间隔跳频序列时存在频点间距范围的限制和遗漏满足宽间隔的频率对的问题。针对这两个问题,为了进一步提高对偶频带法的抗干扰性能,提出了一种改进的对偶频带法的宽间隔处理方法。利用Matlab软件对算法进行了实例仿真,计算并对比了两种方法实例的汉明相关值。实验结果表明,改进对偶频带法简化了宽间隔跳频序列生成结构,汉明相关性能优于对偶频带法。     

基于Tent映射双向耦合映象格子的宽间隔跳频序列及其性能分析

为实时产生宽间隔跳频序列,提出了一种基于Tent映射双向耦合映象格子的宽间隔跳频序列实时产生方法.该方法采用多比特量化和比特抽取相结合的量化方法和改进的平移替代法进行宽间隔处理.仿真结果表明,实时产生的宽间隔跳频序列服从均匀分布,具有宽的跳频间隔、良好的汉明相关性和复杂的相空间分布.     

电润湿的研究进展

介绍了电润湿的研究背景以及基本理论和基于电润湿的单层结构彩色显示和三层结构彩色显示的基本原理.将电润湿显示的能耗、性能表现、色彩等与其他显示技术进行了比较,可以看到电润湿显示具有低能耗,相应时间快,色彩丰富等特点.它被认为是未来可能被广泛应用的显示技术之一.介绍了电润湿在其他方面的应用和所面对的困难与前景.     

分子束外延研究进展

简要介绍了用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备二维电子气结构、量子线、量子点及高指数衬底表面ＭＢＥ生长等方面的研究进展     

STN-LCD技术的发展

介绍了目前人们对改善STN－LCD特性所取得的一些研究进展，主要包括反射式STN－LCD彩色显示，高分辨率STN－LCD用液晶材料，采色STN－LCD用彩色滤光膜，以及STN－LCD用光学膜，如偏振片、相位差补偿膜等。     

椭偏仪的研究进展

主要介绍了椭偏仪的测量原理,比较了不同结构的椭偏仪,并根据具体应用需求介绍了椭偏光谱仪、红外椭偏光谱仪、成像椭偏仪和广义椭偏仪,分析了椭偏仪的数据处理过程,最后展望了椭偏仪的发展趋势.     

TD-LTE的标准化工作及进展

LTE技术不仅使3GPP标准保持相对其他移动通信标准的竞争优势,同时也为3GPP标准向Ihrr-Advanced阶段演进打下了坚实的基础.本文讨论了LTE产生的背景、需求和标准化的历程及现状,并探讨了1D-LTE标准化的重点以及LTE的进一步演进.