光折变晶体全息图的热固定特性优化的研究

采用红光对单、双掺铌酸锂晶体中全息光栅的热固定效率及光擦除和暗存储寿命的特性进行了深入的实验研究。实验中高掺杂和强还原晶体难以显影出离子光栅 ;对于较少掺杂的未还原晶体 ,获得离子光栅的热固定效率达 5 0 % ;高掺杂晶体中离子光栅的暗存储寿命达 4个月 ,比热固定前电子光栅的暗存储寿命提高了十几倍。实验表明热固定效率和光栅的暗存储寿命不能同时提高 ,这与理论预期一致。     

离子阱中碳原子簇离子的碰撞反应

用激光溅射法产生并在射频离子阱中囚禁了碳原子簇离子，进而利用离子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点，研究了经过选择存储的碳原子簇离子在离子阱中的碰撞解离和碰撞缔合。根据碰撞解离的结果以及碰撞前后的焓变，分析了团簇离子发生碰撞解离的条件和吸热范围，以及团簇离子的囚禁工作点与碰撞活化的关系。在此基础上，进一步研究了团簇离子碰撞解离后的各碎片之间发生缔合反应的过程，探讨了计算有效碰撞截面的方法。     

EO－PVA有机染料薄膜的存储特性研究

制备并研究了染料掺杂ＥＯ—ＰＶＡ有机材料膜片的存储性能．用氩离子单线激光作光源，获得了良好的实时和长时存储图像信息．最低存储功率密度可小于０．２Ｗ／ｃｍ２。分析了该材料的存储机理，确定了最佳存储参数。     

氧化还原对Fe∶LiNbO3全息光栅热固定的影响

通过分析全息存储动态机制的理论模型得出,晶体中的热固定效果与晶体的氧化还原状态有关,不同氧化还原处理的晶体中进行热固定将会有不同的显影效率和固定寿命.在不同氧化还原处理的Fe∶LiN bO3晶体中进行了全息存储热固定实验,记录了全息光栅的记录、离子补偿和衰减过程 .实验结果与理论分析达到了很好的一致.本文作者的研究论证了氧化还原处理可以改进晶体的热固定效果,为延长晶体中固定全息图的帮助,提高固定效率,提供了一条新的途径.     

激光波长对镁钌铁铌酸锂的全息存储性能影响

在生长Fe∶LiNbO3熔体中掺进摩尔分数x(Ru2O3) =0.1％和x(MgO)=1％、3％、7％,用提拉法生长镁钌铁铌酸锂(Mg ∶ Ru∶Fe∶LiNbO3)晶体.通过二波耦合光路,分别以红光(632.8 nm)、绿光(532 nm)和蓝光(476 nm)为光源测量晶体的全息存储性能.实验结果表明,在476 nm下,Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能随着Mg离子掺杂浓度的增加而呈现逐渐增强的趋势,与其在红光和绿光下不同.研究了Mg离子掺杂浓度的增加使Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体的蓝光全息存储性能增强的机理.     

光折变多重全息图分批热固定的光擦除特性

研究光折变多重全息图分批热固定方法．依据热固定的基本理论模型研究离子补偿后的全息电子光栅在分批记录和定影过程中的光擦除特点。引入批间光擦除时间常数对多重全息图分批热固定的批间擦除特性进行定量描述．给出了测量批间光擦除时间常数的实验方法．并测得实际品体的批间光擦除时间常数：研究结果表明，被记录光激发的已定影全息图的获陷电子对其离子光栅的屏蔽作用，使得多重全息光栅的各批间光擦除时间常数τF远大于每批内光栅间的擦除时间常数τE，实验结果与理论预期一致。证实了批间光擦除时间常数与批内光擦除时间常数的差异是采用分批存储热固定技术高效存储热固定高密度全息图的基本依据。     

手性偶氮苯衍生物的光致变色和全息存储特性研究

研究了手性偶氮分子N-[4-(4-十二烷氧基苯基偶氮)苯甲酰]-L-谷氨酸(C12-Azo—L-Glu)掺杂聚合物薄膜的光致变色特性。利用C12-Azo-L-Glu掺杂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜的可逆光致异构过程．以线偏振的氩离子激光(488nm)作抽运光和写入光，线偏振氦氖激光(632．8nm)作再现光和读出光．探讨了光致双折射和全息光学存储过程中．衍射信号强度与氩离子激光功率的关系。实验结果表明C12-Azo-L-Glu具有响应时间快、可擦重写、耐疲劳度高的特点，可用作实时存储材料。     

光折变晶体中多重全息图分批定影热固定的研究

首次描述了多重全息图分批定影热固定的记录－补偿－多次光擦除及平滑－显影的存储固定机制,并据此对分批存储定影过程中的全息电子光栅和离子光栅的行为进行了详细理论分析。研究结果表明,多次光擦除平滑阶段中获陷电子对离子光栅的屏蔽作用所引起的光擦除减缓效应,是分批定影热固定法能够有效提高多重全息图固定后衍射效率的根本原因。     

用激光溅射的方法在离子阱中产生和囚禁碳原子团簇离子

利用激光溅射的方法，已经在离子阱中产生并囚禁了Ｃ＋ｎ（ｎ＝１～１３）原子团簇离子，并取得了溅射产生原子团簇的质量范围随激光脉冲能量的变化以及原子团簇离子的稳定存储随囚禁时间的变化关系等结果。囚禁时间可达２０ｓ。     

双波长光致变色存储实验研究

介绍了多波长光存储的存储原理、系统构成和光盘结构。利用三波长光致变色存储实验装置，进行了双波长光致变色存储的实验，结果显示，实验中采用的两种光致变色材料可用于多波长存储，双波长存储读出信号对比度较高，但有小幅度的串扰。     

激光溅射法在射频离子阱中产生和囚禁低能多电荷离子

用激光溅射金属氧化物的方法在射频离子阱中产生了Ｃｏ和Ｔｉ的多电荷离子,结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉离子束碰撞冷却方法,得到了稳定囚禁的低能（电子伏特能量）Ｃｏ３＋和Ｔｉ４＋离子。     

射频阱中基态Sc3+与Ti3+多电荷离子的产生及存储特性

结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉的离子束碰撞冷却方法 ,在射频阱中用激光溅射纯金属靶产生并选择囚禁了难熔元素钪与钛的低能多电荷离子Scn +(n =1～ 3)和Tin +(n =1～ 4)。在本底气压为 5 6× 10 - 7Pa下 ,测得Sc3 +与Ti3 +离子的衰减速率分别为 1 98s- 1 与 0 5 8s- 1 。     

On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs

In this paper, we investigate the trapping effects, of iron doped AlGaN/GaN HEMTs, before and after on-wafer 24 hour RF stress test. First, we study the trap centers responsible of the current collapse at different on-state bias and temperature conditions. Second, we investigate 24 hour RF stress effect on the trapping kinetics.By filling traps under off-state condition with high drain-source voltage, we have identified two prominent traps labelled E₁ and E₂ with activation energies of 0.7 eV and 0.6 eV under the conduction band, respectively. An increase of the amplitude of the trap centers E₁ and E₂ by 22.9% and 15.8% respectively is noticed during the RF stress. This result suggests that the degradation observed during RF stress might have induced a density increase of the traps involved in the E₁ and E₂ trap signatures responsible on the current collapse.     

射频电缆国际标准化的新进展

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Laser experiments with single atoms as a test of basic physics

Two experiments with single atoms are reviewed. In the first experiment, the interaction of a single Rydberg atom with a single mode of an electromagnetic field was investigated. The quantum collapse and revivals of the atomic inversion predicted by the Jaynes-Cummings model were demonstrated for the first time. In the second experiment, a single atomic ion stored in a radio-frequency trap was probed by resonance fluorescence. In the fluorescent light, antibunching and sub-Poissonian photon statistics were detected. Furthermore, `crystallization' and `evaporation' of few ions in a trap were observed as the stored ions were cooled by the laser light and heated by the radio-frequency field of the trap     

Si_xN~±_y团簇离子的形成和稳定性研究

结合ＤＶ－Ｘα方法的理论计算结果，对激光蒸发方法产生的ＳｉｘＮ团簇离子的形成和稳定性进行了细致的研究。发现上述四簇离子可能以ＳｉＮ３或ＳｉＮ４作为初始单元，较大的团簇离子可由某种单元与另一质谱上较稳定的复合分子组成。质谱强度变化的规律表明：若团簇离子质量是Ｓｉ原子量的倍数时，呈现极大值，此时，团簇离子包含偶数个Ｎ原子。其奇偶性是由初始单元强度差异引起的。     

AlGaN/GaN double-channel HEMT

正The fabrication of AlGaN/GaN double-channel high electron mobility transistors on sapphire substrates is reported.Two carrier channels are formed in an AlGaN/GaN/AlGaN/GaN multilayer structure.The DC performance of the resulting double-channel HEMT shows a wider high transconductance region compared with single-channel HEMT. Simulations provide an explanation for the influence of the double-channel on the high transconductance region.The buffer trap is suggested to be related to the wide region of high transconductance.The RF characteristics are also studied.     

AlGaN/GaN double-channel HEMT

The fabrication of AlGaN/GaN double-channel high electron mobility transistors on sapphire substrates is reported. Two carrier channels are formed in an AlGaN/GaN/AlGaN/GaN multilayer structure. The DC performance of the resulting double-channel HEMT shows a wider high transconductance region compared with single-channel HEMT. Simulations provide an explanation for the influence of the double-channel on the high transconductance region. The buffer trap is suggested to be related to the wide region of high transconductance. The RF characteristics are also studied.